95918

Podstawowe właściwości związków’ półprzewodnikowych AlIIBY

Związek półprzewodnikowy	Temp. topnienia [°C]	Eg [eV]	Hn [cm^2/Vs]	Hp [cm^2/Vs]	Współczynnik załamania n
AIN	2400	5,88	—	-	2,2
GaN	1700	3,4	300	-	2,4
InN	1100	1,95	-	-	2,9
A1P	2000	2,45	80	30	3,0
GaP	1467	2,26	190	120	3,45
InP	1070	1,35	4600	150	3,45
AlAs	1770	2,16	280	-	3,2
GaAs	1238	1,43	9500	450	3,65
In As	942	0,36	33000	460	3,52
AISb	1060	1,58	200	550	3,4
GaSb	710	0,72	4000	1400	3,8
InSb	525	0,18	78000	750	4,0

Masa cząsteczkowa A1BV < GaBV < InBV. A/T=> E_Ct i,T_lopi_M„ T

9