3784503765

Literatura

[ 1.] Louise H. Crockett Ross A. Elliot Martin A. Enderwitz Robert W. Stewart Department of Electronic and Electrical Engineering University of Strathclyde Glasgow, Scotland, UK ,.Embedded Processing with the ARM®Cortex®-A9 on the Xilinx ® Zynq®-7000 Ali Programmable SoC”.edition 1 year2014. [2.] Kevin Ashton, "That 'Internet of Things' Thing", RFID Journal, 22 June 2009. [3.] Kevin Ashton '‘Internet of Things” year 1999. [4.] Steve Fuber „ARM system on chip architecture” rok 2000 . [5.] Bruce Eckel - „Thinking In C” Edycja Polska 2002 [6.] Peter Flake „System Yerilog for Design” rok 2010

Temat	Analiza udziału wewnątrzpasmowego tunelowania elektronów w prądach nanotranzystorów krzemowych.
Temat w języku angielskim	Analysis of intraband electron tunneling contribution to currents of Si nanotransistors.
Opiekun pracy	dr hab. inż. Piotr Plotka
Konsultant pracy	dr hab.inż. Piotr Plotka
Cel pracy	W tranzystorach krzemowych tunelowanie międzypasmowe jest mało prawdopodobne z powodu skośnej przemy energetycznej Si. Jednak przy odpowiednio malej długości kanału tranzystora bariera energetyczna oddzielająca dren od źródła może być na tyle wąska by następowało tunelowanie elektronów ze źródła do drenu, które są wykonane z Si tego samego typu przewodnictwa. Takie tunelowanie nie wymaga zmiany pasma. W Si proces ten powinien być dużo bardziej wydajny niż tunelowanie międzypasmowe. Celem pracy jest symulacja dla oszacowania udziału tak tunelujących elektronów w prądzie drenu tranzystora w skali 5 nm.
Zadania	1.    Zapoznanie się ze stanem w iedzy nt. fizyki działania nanotranzystorów. 2.    Zapoznanie się ze stanem wiedzy nt. mechanizmów przewodnictwa w skali nanometrowej i z modelami energia-pseudopęd krzemu. 3.    Zapoznanie się z metodami symulacji tunelowania elektronów. 4.    Symulacja tunelowania elektronów ze źródła do drenu w kanale tranzystora w skali pojedynczych nanometrów . 5.    Ocena wpływu tunelowania na charaktery styki nanotranzystorów.
Literatura	[1.] J. Nishizaw a, P. Plotka, T. Kurabayashi, "Ballistic and tunneling GaAs static induction transistors: Nano-devices for THz electronics", IEEE Trans, on Electron Devices, vol. 49, ss. 1102-1111, lipiec 2002 [2.] S.M. Sze, K.Ng. Kwok, M.S. Shur, Physics of Semiconductor Devices, Wiley 2006 [3.] M.S. Shur, Physics of Semiconductor Devices, Prentice Hall 1990 [4.] D. K. Ferry and S. M. Goodnick, Transport in Nanostructures, Cambridge, U.K.: Cambridge Univ. Press, 1997 [5.]J. N. Schulman andY.-C. Chang, “New method for calculating electronic properties of superlattices using complex band structures,” Phys. Rev. B, vol. 24, pp. 4445-4448, 1981.