plik


˙ţModel warstwowy tranzystora MOS S  zródBo G S D D  dren G  bramka B  podBo\e SiO2 p+ p+ Si(n) B Model warstwowy (przekrój) tranzystora MOS z kanaBem wzbogacanym typu p (normalnie wyBczonym). D D Symbol tranzystora MOS Symbol tranzystora MOS z kanaBem wzbogacanym z kanaBem wzbogacanym G typu n B B typu p G S S UGS - + S G D p+ p+ - UDS kanaB typu p + warstwa zubo\ona Si(n) B ěřUDS ěř< ěř ěř ěřUGS ěř > ěř ěř ěř ěř ěř ěř ěř ěř ěř ěř ěř ěř ěřUDsat ěř; ěř ěř ěřUT ěř ěř ěř ěř ěř ěř ěř ěř ěř Przekrój tranzystora MOS z kanaBem wzbogacanym typu p w warunkach normalnej polaryzacji, w zakresie maBych napi UDS.

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
F 1 Tranzystor IGBT model warstwowy
2 Model warstwowy szacowanie
Tranzystor MOS popr
F 10 Tranzyst MOS zuboĹĽany
Model Warstwowy OSI
F 12 Parametry dynamiczne tranzystora MOS
F 14 Para komplementarna tranzystorĂłw MOS
F 2 Model warstwowy PNFET
Warstwowy model architektury internetowej
Warstwowy model architektury internetowej, cz IV
Warstwowy model architektury internetowej, cz I
Warstwowy model architektury internetowej
Warstwowy model architektury internetowej, cz III
Warstwowy model architektury internetowej, cz II
Warstwowy model architektury internetowej, cz II
Rzutparteru Model (1)

więcej podobnych podstron