Parametry dynamiczne tranzystora MOS Cgd G D ggs gmugs gds Cgs Cgb Cds S,B S,B Elektryczny małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MIS dla zakresu średnich częstotliwości. ggs konduktancja wejściowa (o bardzo małej wartości), występującą w obwodzie wejściowym G-S, której mała wartość wią\e się z bardzo du\ą rezystancją izolatora pod bramką. gds konduktancję wyjściową (występującą w obwodzie D-S). gm transkonduktancję. Dwa ostatnie parametry definiowane są tak samo jak w przypadku ich odpowiedników dla tranzystora PNFET. Elektryczny schemat zastępczy zawiera ponadto: Cgs pojemność bramka-zródło, wynikającą ze zmian ładunku bramki przy zmianach napięcia ugs, Cgd pojemność bramka-dren wynikającą ze zmian ładunku bramki przy zmianach napięcia ugd, Cgb pojemność bramka-podło\e wynikającą ze zmian ładunku (obszaru zubo\onego) przy zmianach napięcia ugb. Przedstawione parametry zaliczane są do parametrów dynamicznych tranzystorów unipolarnych z izolowaną bramką. Oprócz nich określana jest fm częstotliwość graniczna pracy tranzystora, przy której prąd płynący przez pojemność wejściową jest równy prądowi dostarczanemu przez zródło prądowe gmugs.