Parametry dynamiczne tranzystora PNFET
Cgd
G D
ggd
ggs gds gmugs
Cgs Cds
S S
Elektryczny schemat zastępczy tranzystora JFET dla małych
sygnałów i średnich częstotliwości.
Wśród elementów schematu zastępczego wyró\
nia się:
ggs  konduktancja wejściowa (o bardzo małej wartości, występującą
w obwodzie wejściowym G-S), która fizycznie jest konduktancją
ró\
niczkową złącza p-n spolaryzowanego zaporowo,
ggd  konduktancja oddziaływania wstecznego (definiowaną podobnie),
gds konduktancja wyjściowa (występującą w obwodzie D-S), którą
wyznacza się ze stosunku przyrostu prądu drenu "ID do przyrostu napięcia
"
"
"
drenu "
"UDS, przy ustalonym napięciu bramki UGS.
"
"
W zakresie liniowym gds przyjmuje dość du\
e wartości, a w zakresie nasycenia jest
bardzo małe.
gm  transkonduktancja, określana jest jako stosunek przyrostu prądu drenu
"ID do przyrost napięcia bramki "
" "
" "UGS przy ustalonym napięciu drenu UDS .
" "
Jest to jeden z najwa\
niejszych parametrów tranzystorów polowych określający
właściwości wzmacniające tranzystora. Du\
e wartości transkonduktancji otrzymuje się
w tranzystorach z krótkimi kanałami i dla du\
ych ruchliwości nośników.
Występujące na schemacie zastępczym pojemności Cgs oraz Cgd są
składowymi pojemności złączowej złącza p-n (między bramką i kanałem).
Częstotliwość graniczna fm  jest to częstotliwość, przy której prąd płynący
przez pojemność wejściową jest równy prądowi dostarczanemu przez z
ródło
prądowe gmugs .
Częstotliwość graniczna tranzystora JFET nie zale\
y od szerokości kanału. Jest większa
przy mniejszych długościach kanału i większych jego głębokościach. Du\
y wpływ na
częstotliwość ma przewodność kanału.
Tranzystory z kanałem typu n są  szybsze , gdy\
ruchliwość elektronów jest
większa od ruchliwości dziur.