Para komplementarna tranzystorów MOS
Struktura scalona (CMOS) zawiera we wspólnym podło\
u półprzewodnikowym dwa
tranzystory typu MOS z kanałami typu przeciwnego (o przeciwnym rodzaju przewodnictwa).
G
S
D
D S
SiO2
p+ p+
n+ n+
Si(n) Si(p)
Model warstwowy (przekrój) pary komplementarnej
tranzystorów MOS.
Para tranzystorów MOS z kanałami wzbogacanymi ma zastosowanie w układach
cyfrowych ze względu na bardzo mały pobór mocy, du\
ą odporność na zakłócenia
i stosunkowo du\
ą częstotliwość pracy przełącznikowej.  W stanie ustalonym między
z
ródłem S i drenem D nie ma przepływu prądu, dla dowolnej polaryzacji bramki, poniewa\

zawsze jeden z tranzystorów jest w stanie zatkania (nie posiada kanału). Jedynie w chwili
przeÅ‚Ä…czenia dochodzi do przepÅ‚ywu niewielkiego prÄ…du, rzÄ™du µA.
Tetroda MOS
Tetroda MOS powstaje przez połączenie kaskadowe dwóch tranzystorów MOS
wykonanych we wspólnym podło\
u, w strukturze scalonej. W przeciwieństwie do pary
komplementarnej, w tetrodzie MOS tranzystory posiadają kanały tego samego typu.
G1
G2
D
S
SiO2
n+
n
n+
Si(p)
T2
T1
B
Model warstwowy (przekrój) tetrody MOS.