1553597853

będzie miał fazę drgań i kierunek rozchodzenia się zgodny z fotonem wywołującym przejście wymuszone (jest to promieniowanie spójne - czyli zgodne w fazie).

W_c

W_v

~o

1 24

Rys. 1. Schemat procesu rekombinacji promienistej, prowadzącej do emisji spontanicznej fotonu.

hv_st

W

1 24

Ąjtm] = ^~[eV]

Rys. 2. Schemat procesu emisji stymulowanej.

1.1.1 Diody elektroluminescencyjne

Materiałem półprzewodnikowym stosowanym do wytwarzania diod elektroluminescencyjnych są związki półprzewodników grupy III-V z tzw. prostą przerwą energetyczną, np. GaAs-arsenek galu. Stosuje się zarówno dwu-, trzy- jak i czteroskładnikowe półprzewodniki, np. AlGaAs, InGaAsP,. Istotą konstrukcji i technologii struktury LED jest dobranie składu, który zapewni odpowiednią wartość przerwy energetycznej, W_g, a więc długość emitowanej fali, X oraz jednocześnie dopasowanie sieci kryształu struktury do kryształu podłoża. W Tab.l. przedstawiono zależność długości emitowanej fali od szerokości przerwy energetycznej materiału diody. Dioda LED wymaga polaryzacji złącza p-n w kierunku przewodzenia. Zwiększona koncentracja nośników mniejszościowych w obszarze o przeciwnym typie przewodnictwa prowadzi do rekombinacji par elektron-dziura. Energia wyzwolona w tej rekombinacji jest w przybliżeniu równa wartości przerwy energetycznej W_g.

Tab.l. Barwa emitowanego promieniowania optycznego diod LED

kolor	podczerwień	czerwony	pomarańczowy	żółty	zielony	niebieski	UV > biały
materiał	GaAs	GaP(Zn.O) GaAso.ńPoj Alo.3Gao.7As	GaAso.3sP o.65 Gao.7Ino.3P GaAso.,5Po.85:N	GaInN:Mg GaP:N”	GaP:N (In,Ga)N:Mg	InGaN	*GaN U luminofor

* w tym przypadku LED emituje promieniowanie UV, które pobudza luminofor dający światło białe.

3