3813100204

•    SDRAM (synchronous DRAM);

•    VRAM (video RAM), SGRAM (synchronous graphisc RAM);

•    DDR SDRAM (double data ratę DRAM), DDR2 SDRAM (double data ratę two SDRAM);

•    Rambus DRAM.

5.1.3 Pamięci podręczne

Sposób odwzorowania adresów pamięci wyższego poziomu na adresy pamięci podręcznej:

•    bezpośredni, 1-skojarzeniowy;

•    sekcyjno-skojarzeniowy, n-skojarzeniowy (n > 1);

•    skojarzeniowy, w pełni skojarzeniowy, asocjacyjny.

Zjawisko migotania pamięci podręcznej.

Przy odwzorowaniu innym niż bezpośrednie stosuje się następujące algorytmy zastępowania:

•    LRU (least recently used, najdawniej ostatnio używany) - zastępowany jest ten blok, który pozostawał w pamięci podręcznej najdłużej bez odwoływania się do niego;

•    FIFO (first in first out, pierwszy wchodzi pierwszy wychodzi) - zastępowany jest ten blok, który pozostawał w pamięci podręcznej najdłużej;

•    LFU (least freąuently used, najrzadziej używany) - zastępowany jest ten blok, do którego było najmniej odwołań;

•    zastępowany jest losowo wybrany blok.

Sposób uzgadniania zawartości pamięci wyższego poziomu z pamięcią podręczną podczas zapisu:

•    zapis jednoczesny (ang. write through);

•    zapis opóźniony (ang. copy/write back);

•    zapis inclusive;

•    zapis exclusive.

Algorytmy zapewniania zgodności pamięci podręcznych:

•    MESI;

•    MSI;

•    MOSI;

•    MOESI.

Poszczególne litery w nazwie algorytmu oznaczają dopuszczalny stan, w którym może znaleźć się blok (linia) pamięci podręcznej:

•    M — modified - mam ważną kopię bloku, który został zmodyfikowany;

•    O - owned - jestem właścicielem, ponoszą odpowiedzialność za wszystkie odwołania do tego bloku;

•    E - exclusive - mam ważną kopię bloku, który nie został zmodyfikowany;

•    S - shared - wszyscy mają kopię tego bloku;

•    I - invalid - blok zawiera nieważne dane.

16