5555241425
Pamięci EPROM / SRAM
6264
2764
+12 V VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 AO DO Dl D2 GND
v^cc +5 v
PGM
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
D7
D6
D5
D4
D3
|sJ|s]|3j|s|l«]Uli]IBIISIISJI*ll£JI3J[31
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Pamięć EPROM Structure of an EPROM memory celi 12
Pamięci EPROM 13
Odczyt danej z pamięci EPROM Address CE OE Outputs 00-07 VlH - >C Address Valid
Pamięci EPROM <=> EEPROMStructure of EPROM and flash EEPROM memory celIs CG — control gate FG
Slajd7 Czytanie pamięci EPROM (EEPROM, FLASH) AC Waveforms for Read Operation1)
Zadanie 19. Zawartość w pamięci EPROM można utracić na skutek A. zaniku napięcia
magnesy 0,66 zł netto/szt. - 500 szt. {90x50 mm, 2-$tronne)pamięćUSB PD-6 —*°"an em 12/90 zł
44 (31) 88 Pamięć EPROM Rys. 227. Funkcje sygnałów przy programowaniu i weryfikacji pamięci
45 (33) 90 Pamięć EPROM pamięci jest w takim przypadku niemożliwa - jako zawartość każdej komórki pa
79367 Slajd5 (118) MC68000 - ORGANIZACJA PAMIĘCI 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 AEORESS 1
EGZAMIN 08 (7) Zadanie 19. Zawartość w pamięci EPROM można utracić na skutek A. sp
DSCN5319 (4) Statyczna pamięć RAM (SRAM) • elementarna komórka (1 bit) zbudowana z przerzutnika: 4-6
DSCN5320 (2) Statyczna pamięć RAM (SRAM) • elementarna komórka (1 bit) zbudowana z przerzutnika: 4-6
DSCN5389 (3) Parametry różnych typów pamięci ■KSSnESETTHl SRAM Mmconductor mcmory 0.5-2.$
Wyprowadzenie Vpp jest używane do jednorazowego programowania pamięci ROM, OTPROM, EPROM. Napięcie
więcej podobnych podstron