Tranzystor połowy złączowy JFET
Jest typem tranzystora, w którym prąd między elektrodami S i D (źródła i drenu) jest kontrolowany napięciem przyłożonym do elektrod G i S (bramki i źródła).
Na rysunku mamy przykład tranzystora JFET z kanałem przewodzenia typu n (pomiędzy źródłem i drenem). Kanał ten jest otoczony materiałem typu p+z dwu stron połączonych ze sobą. Mamy tu złącze p-n, które polaryzowane jest zaporowo. Kiedy dwie bramki nie są ze sobą połączone to mamy do czynienia z tranzystorem 4-końcówkowym nadającym się do zastosowania w charakterze miksera częstotliwości Pamiętamy, że polaryzacja zaporowa oznacza powiększanie obszaru pozbawionego mobilnych nośników prądu. Silniejsze domieszkowanie bramki oznacza, że przy zwiększaniu polaryzacji obszar bez nośników mobilnych jest szerszy po stronie kanału prowadzi do szybkiego zaniku tego kanału. Napięcie VGS(off), przy którym znika kanał i prąd drenu jest wyzerowany nazywamy napięciem odcięcia.
uGS =ov
-IV
= — 4 V