Charakter działania ziaren ściernych na ścierany materiał zależy od ich ruchu względem powierzchni materiału oraz od charakteru i wartości obciążeń przenoszonych przez ziarna. Ścieranie może się odbywać przez ziarna umocowane we współpracujących powierzchniach, przez luźne pojedyncze ziarna ścierne, przez warstwę ścierną występującą między współpracującymi powierzchniami, przez strumień ścierny, ścieranie w środowisku ściernym. Odporność na zużycie ścierne jest zależna od:
• składu chemicznego i frakcyjnego luźnych łub umocowanych cząstek ścierniwa i ich twardości względnej (w stosunku do twardości materiału zużywanego),
• nacisków jednostkowych,
• częstości wymiany tych produktów w obszarach tarcia (wydmuchiwanie, przemywanie),
• prędkości poślizgu,
oraz wielu innych czynników jak temperatura otoczenia, wilgotność powietrza itp.
3 CEL ĆWICZENIA
Celem ćwiczenia jest określenie odporności na ścieranie wybranych materiałów stosowanych na opakowania transportowe. Badania zostaną przeprowadzone podczas tarcia w jednakowych warunkach pracy (v - prędkość ślizgania, Fn - obciążenie). Na podstawie uzyskanych wyników będą wyznaczone wskaźniki odporność na ścieranie badanych materiałów w odniesieniu do materiału wzorcowego (stal C45 w stanie znormalizowanym).
4 METODA BADAŃ
Badanie odporności na ścieranie prowadzone w ramach ćwiczeń laboratoryjnych odbywa się na stanowisku badawczym Tester T-07 produkcji MCNEMiT w Radomiu (rys.3). Stanowisko to przeznaczone jest do badania różnych materiałów i powłok. Metoda badawcza realizowana na omawianym testerze polega na tym, że w obecności luźnego ścierniwa przeprowadza się proces ścierania próbek wykonanych z badanych materiałów oraz próbki wzorcowej przy zachowaniu jednakowych warunków pracy tj. prędkości ślizgania v i obciążenia Fn- Zalecanym w omawianej metodzie ścierniwem jest elektrokorund nr 90 (wg PN-76/M-59115), natomiast próbka wzorcowa powinna być wykonana ze stali C45 w stanie znormalizowanym, o twardości ok. 200 HB. Schemat metody ścierania badanych materiałów przedstawiono na rysunku 4.
-4-