6790847006
i
Todays Transistor
Transistors Go Vertical
IEEE SPECTRUM 2007 r.
Dual-Galc Planar Transistor
http://spectrum.ieee.orB/semiconductors/desiBn/transistors-KQ-vertical
Elementy elektroniczne - układy scalone
17
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
2016-05-11Ul kS Rozwój tranzystorów MOS Intel Transistor Leadership H LflJ u u !
2016-05-11!!! PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE MOCY IkC Literatura • S.
2016-05-11 2016-05-11ELEMENTYELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3, pokój 413; tel. 617-27-
2016-05-11 Elementy elektroniczne - układy scaloneUlUKŁADY SCALONE CMOSPROJEKTOWANIE Ike tranzystor
2016-05-11 mUKŁADY SCALONE CtAOS PROJEKTOWANIEIke 16
2016-05-11 liiTROCHĘ HISTORII Istniejąca od dawna (koniec XIX w.) potrzeba bezstykowej regulacji moc
2016-05 11 lilii !!! PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE MOCY STRATY MOCY - PRZEŁĄCZANIE•
2016-05-11 liiPRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE MOCY PODZIAŁ (1)• Niesterowalne: -
2016-05-11 liiPRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE MOCY PODZIAŁ (2) Unipolarne - przepływ prądu przy udziale
2016-05-11 lll !!! PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE MOCY SYMBOLE c.d. Tablica 2.2
Skanowanie 11 05 09 37 Instytut Technologii Maszyn i Automatyzacji Politechniki Wrocławskiej __Zakł
Skanowanie 11 05 09 37 Instytut Technologii Maszyn i Automatyzacji Politechniki Wrocławskiej Zakład
Skanowanie 11 05 09 37 (2) A Instytut Technologii Maszyn i Automatyzacji Politechniki Wrocławskiej
Skanowanie 11 05 09 37 (3) Instytut Technologii Maszyn i Automatyzacji Politechniki Wrocławskiej Za
ig 05 11 Sieć IPX: CCCCCCCC M PC: 00-00-00-00-00-01 r Adres procesu serwera plików
Image029 — technologia MOS umożliwia uzyskanie kilkakrotnie większej gęstości upak
2.1. Technologie warstwy fizycznej sieci 802.11 Standard IEEE 802.11 definiuje pięć technologii wars
zik1 2011-05-11 Bank uniwersalny jako obiekt zarządzania %» o. ’■
zik0 Techniki menedżerskie c.d. Reengineeringf........‘......:.................. 2011-05-11 Cel
więcej podobnych podstron