Image029

—    technologia MOS umożliwia uzyskanie kilkakrotnie większej gęstości upakowania elementów niż konwencjonalne technologie bipolarne. Wyjątkiem jest tu bipolarna technologia I²L charakteryzująca się porównywalną z technologiami MOS gęstością upakowania (rys. 1.26);

—    wytwarzanie układów MOS charakteryzuje się mniejszą liczbą operacji technologicznych niż wytwarzanie układów bipolarnych dzięki czemu można produkować struktury MOS o większej powierzchni niż struktury bipolarne, przy jednakowym poziomie uzysku.

W rezultacie, koszt układu MOS w przeliczeniu na jedną bramkę logiczną jest najczęściej znacznie niższy niż koszt odpowiedniego układu bipolarnego. Z drugiej strony, układy bipolarne charakteryzują się większą na ogół szybkością działania niż układy MOS, są zatem preferowane w tych systemach, w których szybkość działania ma decydujące znaczenie.

Praktyczne zastosowanie w masowej produkcji układów scalonych LSI znajdują — lub przewiduje się, że wkrótce znajdą — technologie przedstawione w tablicy 1.5.

Wielkość skali integracji i związana z tym złożoność logiczna układów scalonych zależą głównie od użytej technologii. Im mniejsze są wymiary elementar-

Właścfwości różnych technologii układów scalonych LSI    Tablica 1.5

Bipolarne    MOS

Technologia	Stosowana od roku	Czas propa- gacjl	Współ czynnik dobroci	Gęstość upakowania	Maksy malna powierz chnia struktury	Typowe zastosowania
		[ns]	[pj]	[elem./mm^2]	[mm^2]
p-MOS, bramka Al	1967	80	450	180	7x7	układy kalkulatorowe
p-MOS, bramka Si	1969	30	145	270	6,5 x 6,5	układy pamięciowe
n-MOS, bramki Si	1973	15	45	300	6x6	układy pamięciowe
n-MOS, bramki Si, obciążenie typu zubożanego	1973	12	38	350	6x6	mikroprocesory
n-MOS, podwójna bramka Si	1976	10	35	525	6x6	pamięć 16 kbit
CMOS, bramka Al	1970	12	1	150	6X6	układy zegarkowe
CMOS-SOS	1974	2+S	0,1	450	5X5	układy pamięciowe i zegarkowe oraz układy specjalne
DMOS i VMOS, kanał n	1978	5	20	600		prawdopodobnie pamięć 65 kbit
CTD	1972	5-M0	1	1000	7x7	prawdopodobnie pamięć 65 kbit
TTLS	1970	3	10			szybkie mikroprocesory modułowe
PL	1975	5-r5Q	0,01-r1	500	6	szybkie mikroprocesory modułowe

39