8812711163

Ćwiczenie 1. Dynamiczne własności tranzystora IGBT (8.4.2006)

3) przewodzenia: 0 < Uce < L^brices, Uge > UcE<th), Ic = Io (zwykle Uce = UcE(sat)« Ucc),

przy czym:

■ UcE(th) - napięcie progowe (ang. threshold voltage),

C

Rys. 1. Przekrój pojedynczej komórki tranzystora IGBT NPT z naniesionymi elementami schematów zastępczych (patrz rys. 2)

Rys. 2. Tranzystor IGBT: a) symbol graficzny wg normy PN-EN 60617; b)-e) schematy zastępcze