9965379480

Analiza możliwości pomiarów nanotopografii 1_

Fig. 3. (A) The electrons turmeling effect: V₀ - potential barrier, El - electron's energy, d-barrier width, T - probability of tunneling; (B) Graph of the tunneling current / for distance between tip and testing surface [10]

Rys. 3. (A) zjawisko tunelowania elektronu; 1 ^r0 - wysokość bariery potencjału, El - energia elektronu, d - szerokość bariery . T- prawdopodobieństw o tunelowania; (B) natężenie prądu tunelowego / zależnie od odległości z/ [10]

Ograniczenie możliwości pomiarowych STM do przewodników, półprzewodników i nadprzewodników spowodowało, że konieczne było opracowanie mikroskopu, którego działanie opierałoby

Siła odpychająca.

Rys. 4. Wykres przedstawiający siły działające na ostrze w AFM [2]

Fig. 4. Force between probe and surface vs. distance curve f21

się na innych zjawiskach fizycznych. W 1985 r. Binning opracował mikroskop sił atomowych (AFM), działający z wykorzystaniem sił van der Waalsa (rys. 4) i pozwalający wykonywać pomiar nanotopografii powierzchni wszystkich rodzajów materiałów. W ciągu kolejnych lat nastąpił gwałtowny rozwój mikroskopii sondy skanującej, powstało wiele mikroskopów opartych na różnego typu zjawiskach fizycznych pozwalających na obrazowanie topografii próbki i jednoczesny pomiar takich parametrów, jak elastyczność, twardość, współczynnik tarcia itp.