9965379467

9965379467



Analiza możliwości pomiarów nanotopografii II

pomiaru jest bardzo ważnym czynnikiem, który często decyduje o zakupie danego typu urządzenia, zwłaszcza do zakładu produkcyjnego.

Tabela 2

Porównanie możliwości pomiarowych różnych urządzeń stosowanych w pomiarach 3D powierzchni

The comparison of measurements ability for eąuipments for 3d surface measurement

Typ

Zjawisko fizyczne

Rozdzielczość

Stosowalność

STM

zjawisko tunelow ania

V<0,1 A L ~ lA

ciała stale, przew odniki.

półprzewodniki.

nadprzewodniki

AFM

siły' międzyatomowe

V<1 A L= 10A

ciała stałe.

ciekłe kiysztaly. ciecze STM+izolatory

Interfero

metr

interferencja

V ~1 A L* O500A

ciała stałe.

ciekłe kry ształy , ciecze

SP

profil powierzchni

V=io A L = 1000A

ciała stale

* Rozdzielczość ta zależy- od zastosowanej metody przesuwu poprzecznego: dla profilometrów jest to stolik mechaniczny, w STM i AFM uży wany' jest skaner piezoelektryczny a w interferometrach rozdzielczość ta zależy wyłącznie od zastosowanej optyki.

Najbardziej uniwersalnym urządzeniem (tabela 2), a co za tym idzie, przydatnym w placówkach badawczych, jest AFM, a także, ze względu na szybkość pomiaru i zbliżoną rozdzielczość pionową oraz większy pionowy zakres pomiarowy, interferometr VSI. Bardzo duża rozdzielczość i ograniczona stosowalność powodują, że obecnie STM jest urządzeniem bardziej przydatnym dla fizyków niż mechaników.

LITERATURA

[1]    Barbacki A. (red.). Mikroskopia elektronowa. Wyd. Politechniki Poznańskiej. Poznań 2005.

[2] Bcntar L., Holland R., STM/AFM. Mikroskopy z sondą skanującą. 2002 (http://www.inmat.pw.edu.pl/zaklady/zpim/Mikroskopy_STM_AFM.pdf).

[3]    Binning G., Rohrcr H.. Gerber Ch., Weibel E., Appl. Phys. Lett.. 40. 178. 1982.

[4]    Binning G., Rohrcr H., Helv. Phys. Acta. 55,726. 1982.

[5]    Fan H., Reading I., Fang Z.P., Research on tilted coherent piane white light interferometry forwaferbump 3D inspection. SIMTech teclinical reports. Vol. 7, No. 1. Jan-Mar2006.

[6]    Fan H., Reading I., Fang Z.P., Research on tilted coherent piane white light interferometry for wafer bump 3D inspection. SIMTech technical reports, Vol. 7, No. 1. Jan-Mar 2006.

[7] Griffith J.. Scaiming Probe Microscopy: Training Notebook (http://www.eotc.tufts. edu/Documents/AFMFacility/SPM_T raining_Notebook_v3 .pdl).

[8]    National Institute of Physics (http://www.npl.co.uk/).



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
S5006395 XXX KLASYCYZM I NEOKLASYCYZM dzię z ówczesnym poglądem, że „państwo jest bardzo ważnym czyn
rostu organizmu ruch jest bardzo ważnym czynnikiem warunkującym wszechstronny
Analiza możliwości pomiarów nanotopografii li ono wprost proporcjonalne do długości fali, a co za ty
Analiza możliwości pomiarów nanotopografii 1_ Fig. 3. (A) The electrons turmeling effect: V0 - poten
Analiza możliwości pomiarów nanotopografii 9_ kazuje obraz rzeczywistych kolorów badanej próbki.
img149 6. Opracowanie wyników pomiarów6.1.    Wprowadzenie Analiza wyników pomiarów j
częstotliwość pomiaru jest bardzo wysoka (giełda, rynki finansowe) kategorie ekonomiczne na ogół
SPIS TREŚCI Paweł ANDRAŁOJĆ Analiza możliwości pomiarów
Analiza statystyczna pomiarów 133 Na rysunku 10.3 pokazano częstości wynikające z histogramu oraz kr
59682 skanowanie0035 i, Analiza ilościowa5.1. Analiza objętościowa - wprowadzenie A imll/ii objętośc
100000 m/s2 Tak wysoki poziom występuje przy pomiarach udarów mechanicznych. Bardzo ważnym czynnikie
Kropki, kreski, owale, wstĄľki5 Wskazówki dla nauczyciela Kreślenie niepełnej wiązki jest bardzo wa
IMG557 WNIOSKI Stężenie Se we krwi jest bardzo silnym czynnikiem ryzyka raków u nosicielek muta

więcej podobnych podstron