1. Jakie dodatkowe efekty i w jaki sposób uwzględnia się w modelu rzeczywistego tranzystora MOS.

Modulacja ruchliwości nośników - nośniki poruszające się w stronę drenu zderzają się z międzypowierzchnią Si-SiO₂, co wpływa na ich ruchliwość; na częstość zderzeń wpływa napięcie u_GS decydujące o polu elektrycznym poprzecznym do kanału; modyfikuje się charakterystyki statyczne poprzez zmianę parametru B (zastąpienie μ₀ przez μ); uwzględniając wpływ u_GS na ruchliwość mamy (θ - parametr modelu):

Modulacja długości kanału (zakres pentodowy) - w zakresie pentodowym w tranzystorze idealnym kanał jest odcięty przy drenie; w tranzystorze rzeczywistym odcięcie nie jest punktowe - przy wzroście napięcia u_DS odcięcie kanału ma miejsce na coraz większym odcinku; występuje więc modulacja napięciowa długości kanału - w miarę wzrosty u_DS maleje rezystancja kanału, więc prąd drenu rośnie (γ- parametr modelu, 1/γ- sens tak jak napięcie Early'ego w BJT):

Praca w zakresie podprogowym (odcięcia) - założono że w zakresie odcięcia prąd drenu nie płynie; w rzeczywistości przy braku kanału między drenem i podłożem istnieje złącze pn spolaryzowane zaporowo (drugie złącze podłoże - źródło jest zwarte); płynie więc prąd drenu o wartości zbliżonej do prądu wstecznego złącza; prąd ten silnie rośnie przy wzroście temperatury;

W tranzystorze rzeczywistym może wystąpić przebicie zaporowo spolaryzowanego złącza pn dren podłoże.Z powodu charakteru domieszkowania podłoża przebicie ma charakter lawinowy. W katalogu określa się to napięcie przy określonym napięciu bramki np. u_GS=0.

Przebicie między bramką a podłożem to przebicie warstwy izolatora, gdy natężenie pola elektrycznego w izolatorze osiąga krytyczną wartość. Występuje przy kilkudziesięciu voltach, przeważnie niszczy strukturę(w izolatorze powstają kanaliki zwierające bramkę i podłoże).

---