Półprzewodniki, 1


Wewnątrz każdego metalu znajdują się swobodne elektrony , które oderwane od swych macierzystych atomów czynią je jonami dodatnimi . Sieć przestrzenna wypełniona jest jonami , między którymi poruszają się swobodne elektrony , nazywane gazem elektronowym . Liczba swobodnych elektronów jest

w przybliżeniu równa liczbie atomów . Gaz elektronowy wykazuje pewne ciśnienie p. zależne od koncentracji n elektronów i od temperatury bezwzględnej

i wyraża się :

Swobodne elektrony w odosobnionym przewodniku metalicznym, np.

w kawałku drutu miedzianego, znajdują się w ciągłym i bezwładnym ruchu podobnie jak drobiny gazu zamkniętego w zbiorniku. Wzdłuż drutu nie występuje żaden wypadkowy ruch. Jeśli przeprowadzimy przez drut hipotetyczną płaszczyznę w jednostce czasu z prawej strony na lewą będzie taka sama jak liczba elektronów przechodzących z lewej strony na prawą ; wypadkowa szybkości przewodzenia będzie równa zeru. Jeśli końce drutu połączymy z baterią, to w każdym punkcie wewnątrz drutu ustali się pole elektryczne. Pole E będzie działać na elektrony i nadawać im wypadkowy ruch w określonym kierunku .Wtedy mówimy że ustalił się prąd elektryczny

o natężeniu i; jeśli ładunek q przechodzi przez dowolny przekrój przewodnika

w ciągu czasu t, to natężenie prądu, z założenia stałe, jest równe

Jeśli szybkość przepływu ładunku nie jest stała w czasie, prąd zmienia się

w czasie to natężenie określamy :

Na szybkość przepływu ładunków ma wpływ temperatura w jakiej znajduje się przewodnik . Napięcie powoduje nadanie określonej prędkości cząstce , przeniesiony ładunek jest tym większy im większa jest liczba nośników oraz średnia prędkość .Prędkość generalnie jest nie wielka , ponieważ ruch wewnątrz metalu jest utrudniony . Rozpędzone cząstki nieustannie zderzają się wzajemnie oraz z jonami , oddając im swoją energię , która zamienia się na energię cieplną .

W czasie ogrzania ciała rośnie energia ruchu cieplnego ( energia kinetyczna ruchu drgającego atomów i cząsteczek ) . Wzrost związany jest ze zwiększeniem amplitudy drgań cząsteczek , a tym samym ze skróceniem drogi swobodnej ; oznacza to zmniejszenie prędkości średniej co prowadzi do zmniejszenia natężenia prądu . Tak się dzieje w metalach , w których obserwuje się wzrost oporu wraz ze wzrostem temperatury .

Rezystancja metali czystych zwiększa się wraz ze wzrostem temperatury,

a rezystancja roztworów kwasów, zasad i soli -maleje. Oznaczamy przez Ro rezystancje przewodnika w temperaturze To=293 K, co odpowiada to= 20 oC. Jeśli temperatura przewodnika zmieni się i osiągnie pewną temperaturę T kelwina , to rezystancja w tej temperaturze RT obliczamy ze wzoru

RT=Ro[1+α(T-To)]

przy czym α oznacza współczynnik temperaturowy rezystancji.

Współczynnik temperaturowy rezystancji α jest to względny przyrost rezystancji przy wzroście temperatury o 1 K.

Doświadczalnie stwierdzono , że w stałej temperaturze rezystancja przewodnika jest wprost proporcjonalna do jego długości , a odwrotnie proporcjonalna do pola przekroju poprzecznego i zależy od rodzaju materiału tego przewodnika .

Wielkością charakteryzującą materiał przewodnika pod względem jego zdolności przewodzenia prądu nazywamy rezystywnością .

Opór właściwy jest to opór czynny przewodnika o długości metra ,

o przekroju poprzecznym metra kwadratowego w określonej temperaturze .

Jednostką rezystywności jest omometr .

Półprzewodniki są to ciała, w których występuje prąd przewodzenia i prąd przesunięcia tego samego rzędu. Należą do nich np. selen, krzem, tlenek miedzi, siarczek ołowiu. W półprzewodnikach , które cechuje dużo mniejsza liczba elektronów swobodnych , zaznacza się wzrost tej liczby podczas ich ogrzania .

Mechanizm przewodzenia tłumaczy się w oparciu o model pasmowy krystalicznego ciała stałego , którego struktura jest regularną przestrzenną siatką atomów . Elektrony w atomach mogą zajmować pewne poziomy energetyczne . Najwyżej położonym i całkowicie zapełnionym jest pasmo walencyjne , powyżej niego leży pasmo zabronione oraz przewodnictwa . Przejście cząstki z jednego na drugi poziom wymaga dostarczenia kwantu energii .

Półprzewodniki oraz dielektryki w temperaturze zera bezwzględnego posiadają pasmo przewodzenia nie zapełnione .Główną różnicą obu modeli polega na różnych szerokościach energetycznych pasma zabronionego .

W półprzewodnikach szerokość jest mniejsza niż izolatorach .

Jednym z rodzajów energii dostarczanej jest ciepło w efekcie czego , część elektronów przechodzi do pasma przewodzenia . Proces ten nosi nazwę generacji termicznej par dziura - elektron . W miejscu po elektronie zostaje dziura , będąca dodatnim nośnikiem ładunku . Przy pewnej określonej temperaturze następuje zrównoważenie się szybkości procesów generacji i procesu o charakterze odwrotnym tj. rekombinacji .

Nikielina

lp.

U[ V ]

I [mA]

R[Ω]

ΔR[Ω]

1.

0

2.

10

3.

20

4.

30

5.

40

6.

50

7.

60

8.

70

9.

80

10.

90

11.

100

12.

110

13.

120

14.

130

15.

140

U

I

klasa miernika

zakres pomiarowy

wartość najmniejszej działki

niepewność pomiarowa

Żarówka

wolframowa

lp.

U[ V ]

I [mA]

R[Ω]

ΔR[Ω]

1.

0

2.

10

3.

20

4.

30

5.

40

6.

50

7.

60

8.

70

9.

80

10.

90

11.

100

12.

110

13.

120

14.

130

15.

140

16.

150

17.

160

18.

170

19.

180

20.

190

21.

200

22.

210

23.

220



nikielina

u

i

r

del R

1

0

#DZIEL/0!

#DZIEL/0!

2

10

0

#DZIEL/0!

#DZIEL/0!

3

20

4

5000

5001000

4

30

6

5000

3334000

5

40

8

5000

2500500

6

50

10

5000

2000400

7

60

13

4615,385

1420426

8

70

16

4375

1094000

9

80

18

4444,444

987876,5

10

90

20

4500

900200

11

100

22

4545,455

826628,1

12

110

24

4583,333

764055,6

13

120

25

4800

768160

14

130

26

5000

769384,6



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
3b Właściwości optyczne półprzewodników
3 Podstawy fizyki polprzewodnik Nieznany (2)
F 11 Półprzewodnik akceptorowy
otrzymywanie polprzewodnikow
Korbutowicz,optoelektronika,Technologia wytwarzania półprzewodnikowych struktur optoelektronicznych
2 Materiały półprzewodnikowe
cw8?danie właściwości optycznych półprzewodników
pamieci polprzew
3 Materiały półprzewodnikowe, własności, wytwarzanie i ich obróbka mechaniczna [tryb zgodności]
3 Diody półprzewodnikowe +
c03 2012 el polprzewodnikowe
111-4, materiały studia, 111. WYZNACZANIE SZEROKOŚCI PRZERWY ENERGETYCZNEJ W PÓŁPRZEWODNIKU METODĄ T
Tyrystor jest elementem półprzewodnikowym składającym się z 4 warstw w układzie 1, ELEKTRONIKA, Elek
Badanie własności diod półprzewodnikowych1
Badanie własności prostowniczych diod półprzewodnikowych Wstęp
Półprzewodniki

więcej podobnych podstron