Sprawozdanie z wykonania ćwiczenia nr 321
TEMAT :Wyznaczanie przerwy energetycznej w półprzewodniku |
||
IMIĘ I NAZWISKO : Ireneusz Sozański |
||
WYDZIAŁ : Elektryczny |
SEMESTR : letni |
ROK AKADEMICKI: 1995/96 |
ZESPÓŁ : nr 9 |
DATA WYKONANIA : 16 kwiecień 1996r |
|
OCENA : |
PODPIS : |
Wiadomości teoretyczne:
W półprzewodnikach (jak również i w metalach) przewodnictwo elektryczne jest proporcjonalne do koncentracji nośników ładunku elektrycznego oraz ich ruchliwości. Stąd też zależność temperaturowa przewodnictwa zależała będzie od temperaturowej zależności obu tych wielkości.
W półprzewodnikach samoistnych, przykładami których są chemicznie czyste kryształy germanu i krzemu, nośnikami ładunku są w równej liczbie elektrony n i dziury p. Ich koncentracja n=p=ni określa w danej temperaturze przewodnictwo właściwe si.. W stanie równowagi termodynamicznej koncentracja swobodnych nośników prądu jest rezultatem równości szybkości ich cieplnej generacji i rekombinacji. Stosując statystykę Maxwella-Boltzmana otrzymuje się następujące wyrażenie na koncentrację.
Z elementarnej teorii przewodnictwa elektrycznego otrzymuje się następujące wyrażenie dla ruchliwości U.
Gdzie m* jest efektywną masą ładunku, a jest średnim czasem życia nośnika w danym stanie. Czas ten określają procesy rozpraszania nośników ładunku w krysztale. Najbardziej efektywnymi centrami rozpraszającymi w półprzewodnikach są drgania cieplne atomów (fonony) i jony domieszkowe.
Metoda pomiarowa:
Szerokość pasma wzbronionego DE należy wyznaczyć z temperaturowej zależności przewodnictwa właściwego półprzewodnika.
Badana próbka umieszczona jest w termostacie pozwalającym ustalić temperaturę próbki. Przewodnictwo właściwe wyliczamy z pomiaru oporu, który mierzymy uniwersalnym miernikiem RLC.
Zestaw przyrządów:
Badana próbka germanowa, cyfrowy miernik uniwersalny RLC, termostst.
UT- ultra termostat, T- termometr, KT- termometr kontaktowy
Czynności pomiarowe:
a) zmierzyć opór próbki w zakresie temperatur od pokojowej do 90 oC (pomiary
wykonać co 5 oC) i obliczyć przewodnictwo właściwe próbki.
b) wykonać wykres zależności lns=f(1/T).
c) z wykresu oszacować szerokość pasma wzbronionego w badanym
półprzewodniku.
d) obliczyć wartość szerokości pasma wzbronionego metodą najmniejszych
kwadratów oraz błąd jej wyznaczenia. Porównać wynik z wynikiem
otrzymanym w punkcie c).
T[C] |
R[W] |
17,2 0,05 |
5650,5 |
22,50,05 |
5200,5 |
27,50,05 |
4650,5 |
32,50,05 |
4020,5 |
37,50,05 |
3410,5 |
42,50,05 |
2730,5 |
47,50,05 |
2200,5 |
52,50,05 |
1790,5 |
57,50,05 |
1410,5 |
62,50,05 |
1150,5 |
67,50,05 |
920,5 |
72,50,05 |
740,5 |
77,50,05 |
620,5 |
82,50,05 |
510,5 |
87,50,05 |
440,5 |
Wykres
Obliczenia:
= 0.0177 [eV]