POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE			LABORATORIUM Ćwiczenie Nr 1
Nazwisko : Gładyszewski Grądzki Jończyk	Imię : Sławek Marcin	Semestr IV	Grupa E.D.4.4	Rok akadem. 1997/98
Temat ćwiczenia: Badanie charakterystyk statycznych tranzystora					Data wykonania 27.02.1998	Ocena

Tabela 1.

	UCB=2V		UCB=4V		UCB=6V
UEB	IE	IC	IE	IC	IE	IC
V	mA	mA	mA	mA	mA	mA
0,1	0	0	0	0	0	0
0,2	0	0	0	0	0	0
0,3	0	0	0	0	0	0
0,4	0	0	0	0	0	0
0,5	0	0	0	0	0	0
0,6	12	12	12	12	12	10
0,7	34	31	32	31	29	27
0,8	53	53	54	54	50	49
0,9	76	75	80	80	71	71
1	102	101	105	103	95	95

Tabela 2.

	IE=20mA		IE=50mA		IE=80mA
UCB	IC	UEB	IC	UEB	IC	UEB
V	mA	V	mA	V	mA	V
0	19	0,66	50	0,81	80	0,87
1	19	0,66	50	0,81	80	0,87
2	19	0,66	50	0,81	80	0,87
3	19	0,66	50	0,81	80	0,87
4	19	0,66	51	0,81	81	0,87
5	20	0,66	52	0,81	81	0,87
6	20	0,66	53	0,81	83	0,87
7	20	0,66	54	0,81	83	0,87
8	21	0,66	54	0,81	84	0,87
9	21	0,66	55	0,81	85	0,87

Wykres 1. (dla wspólnej bazy)

Tabela 3.

	UCE=2V		UCE=4V		UCE=6V
UEB	IB	IC	IB	IC	IB	IC
V	mA	mA	mA	mA	mA	mA
0,1	0	0	0	0	0	0
0,2	0	0	0	0	0	0
0,3	0	0	0	0	0	0
0,4	0	0	0	0	0	0
0,5	0,02	0	0,03	0	0,04	0
0,55	0,1	10	0,09	9	0,105	11
0,6	0,22	25	0,24	29	0,28	37
0,65	0,43	55	0,48	68	0,55	90
0,7	0,73	110	0,84	120	0,76	120

Tabela 4.

	IB=0,2mA		IB=0,4mA		IB=0,4mA
UCE	IC	UEB	IC	UEB	IC	UEB
V	mA	V	mA	V	mA	V
1	21	0,59	48	0,63	75	0,66
2	22	0,59	49	0,63	78	0,66
3	22	0,59	50,5	0,63	81	0,66
4	23	0,59	52	0,63	85	0,66
5	24	0,59	56	0,63	90	0,66
6	25	0,59	60	0,63	96	0,66
7	28	0,59	65	0,63	105	0,66
8	30	0,59	70	0,63	120	0,66
9	31	0,59	80	0,63	-	0,66

Wykres 2. (dla wspólnego emitera)

Wyznaczanie przyrostowych parametrów mieszanych .

1. Impedancja wejściowa :

,

2. Współczynnik wzmocnienia prądowego :

,

3. Admitancja wyjściowa :

, ok. 10^-6 S

4. Oddziaływanie wsteczne :

,

Wnioski:

1. Otrzymane charakterystyki statyczne tranzystora p-n-p w układzie WB odpowiadają swoim charakterem (kształtem) charakterystykom teoretycznym.

2. Charakterystyki wejściowe U_eb=f(I_e)U_cb=const. różnią się w zależności od wartości napięcia U_cb .Jeżeli rodzinę tych charakterystyk przetnie się linią stałego napięcia U_eb to większym napięciom U_cb będą odpowiadały większe wartości prądu I_e .Spowodowane jest to występowaniem tutaj zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy tzn. wzrost napięcia U_cb powoduje zmniejszenie efektywnej szerokości bazy i wzrost prądu emitera.

3. Charakterystyki wyjściowe I_c=f(U_cb)I_e=const. otrzymane z pomiarów są funkcjami stałymi niezależnymi od napięcia U_cb . Jednak w rzeczywistości nie są one idealnie płaskie lecz mają nieznaczne odchylenie dodatnie (tzn. ze wzrostem U_cb prąd I_c nieznacznie wzrasta ). Świadczy o tym skończona rezystancja wyjściowa ( rzędu 10⁶ Ω ) a spowodowane jest to występowaniem (j.w.) zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy.

4. Charakterystyki przejściowe I_c=f(I_e)U_cb=const. dla różnych napięć U_cb w przybliżeniu pokrywają się .

5. Charakterystyki zwrotne U_eb=f(U_cb)I_e=const. przy dużych uproszczeniach powinny być liniami równoległymi do osi U_cb . Jednak w wyniku pewnego oddziaływania zwrotnego u którego podstaw leży wspomniane zjawisko modulacji efektywnej szerokości bazy wzrostowi napięcia U_cb towarzyszy zmniejszenie wartości napięcia U_eb ( I_e =const. ) .

6. Wyznaczone na podstawie charakterystyk statycznych przyrostowe parametry mieszane:

a) rezystancja wejściowa h_11b =16,7 Ω potwierdza fakt iż w układzie WB ma małą

wartość.

b) współczynnik wzmocnienia prądowego h_21b = 0,91 w przybliżeniu odpowiada faktycznemu współczynnikowi w układzie WB.

c) współczynnik oddziaływania wstecznego h_12b = 0,0003 w układzie WB jest on o około dwa rzędy wielkości mniejszy .

d) admitancja wyjściowa h_22b powinna być bardzo mała rzędu 10^-6 S (nie wyznaczona ze względu na płaską ch-kę wyjściową ).

---