Teoria(21), ZESPÓŁ SZKÓŁ Nr 9 im


ZESPÓŁ SZKÓŁ Nr 9 im. Romualda Traugutta

W KOSZALINIE

Opracowanie teoretyczne

Temat ćwiczenia:

Badanie układów wejściowych

0x01 graphic

Koszalin rok szk. 2004/2005


  1. Uwagi ogólne

Jedną z dziedzin o najszerszym zastosowaniu tranzystorów są wzmacniacze małej częstotliwości. Cechy, jakie ma tranzystor, zdecydowały o jego przewadze nad lampą elektronową w zastosowaniu do wzmacniaczy małej częstotliwości.

Należą do nich przede wszystkim: małe wymiary, brak żarzenia, praca przy bardzo niskich napięciach zasilania, duża sprawność, zupełny brak zjawiska mikrofonowania i przydźwięku itp. Tranzystor ma jednak i wady, z których najważniejszą jest zależność parametrów od temperatury oraz duży rozrzut parametrów poszczególnych egzemplarzy. Jednakże wady te nie są groźnie, gdyż można je zmniejszyć przez odpowiednie zaprojektowanie układu (ujemne sprzężenie zwrotne, wybór odpowiedniego układu itp.)

Przy projektowaniu wzmacniaczy małej częstotliwości należ zwrócić uwagę na trzy podstawowe zagadnienia, a mianowicie: wybór najbardziej właściwego układu, wybór optymalnego punktu pracy i jego stabilizacja oraz wybór rodzaju sprzężenia między stopniami. Jednym z najbardziej ważnych jest wybór optymalnego punktu pracy i jego stabilizacja. Punkt pracy wpływa bezpośrednio na wartość wzmocnienia, zniekształcenia nieliniowe, poziom szumów, oporność wejściową i wyjściową, moc strat w kolektorze, a tym samym i na moc wyjściową oraz stałość pracy. Z drugiej strony, na punkt pracy ma pośredni wpływ zmiana temperatury poprzez zmianę prądu zerowego kolektora. Zatem układ musi mieć odpowiednią stabilizację temperaturową. W stopniach wejściowych i pośrednich zagadnienie stabilizacji jest stosunkowo proste. Sprowadza się ono do wyboru i zaprojektowania odpowiedniego układu zasilania. Natomiast w stopniach mocy (szczególnie przy pracy w klasie B), zagadnienie stabilizacji jest bardziej skomplikowane. Przy niewłaściwym zaprojektowaniu układu w tranzystorze mocy, pracującym w wysokiej temperaturze, może wystąpić zjawisko niestabilności termicznej, które doprowadza nawet do zniszczenia tranzystora.

W stopniu wejściowym istnieje problem szumów. Poziom szumów zależy w dużej mierze od wartości prądu i napięcia kolektora. Z drugiej strony, z prądem i napięciem kolektora związane są inne parametry wzmacniacza, jak: wzmocnienie, zniekształcenia, czy też oporność wejściowa. Dlatego o wyborze punktu pracy w tym stopniu decyduje przede wszystkim cel, do jakiego ma służyć wzmacniacz.

O wyborze układu pracy tranzystora i rodzaju sprzężenia między poszczególnymi stopniami decydują przede wszystkim właściwości poszczególnych układów tranzystora oraz warunki, jakie musi spełnić projektowany wzmacniacz. Ze względu na możliwość uzyskania maksymalnego wzmocnienia oraz maksymalnej mocy wyjściowej (wzmacniacze mocy) należałoby stosować sprzędzenia transformatorowe. Ze względu na dopasowanie oporności źródła wejściowego, co ma miejsce przy stopniu wejściowym dla uzyskania minimalnej wartości szumów, transformator może stać się niezbędnym. Zastosowanie transformatora zwiększa jednak koszty i wymiary urządzenia. Jest źródłem dodatkowych zniekształceń liniowych i nieliniowych, wprowadza przesunięcie fazowe, które ogranicza możliwość stosowania silnego ujemnego sprzężenia zwrotnego. W stopniach mocy jest on źródłem powstawania dodatkowych zniekształceń, spowodowanych indukcją rozproszenia, co objawia się w postaci niepożądanych pików napięcia.

O wyborze stopnia mocy decydują przede wszystkim względy ekonomiczne. Dlatego też stopnie mocy pracują najczęściej w klasie B. Klasa B charakteryzuje się dużą sprawnością, która teoretycznie wynosi 78 %, natomiast w klasie A - wynosi 50 %. Jednakże stopień w klasie A ma mniejsze zniekształcenia oraz ustalone wartości oporności wejściowej i wyjściowej (niezależne od wysterowania).

  1. Wtórnik emiterowy

Konwencjonalnym układem wtórnika emiterowego jest układ wspólnego kolektora OC. Układ OC charakteryzuje się wysoką opornością wejściową, niską opornością wyjściową oraz wzmocnieniem napięciowym bliskim jedności. W tym miejscu rozważamy układ wtórnika emiterowego jako układ umożliwiający uzyskanie dużej oporności wejściowej. Zagadnienie to jest bardzo ważne w układach tranzystorowych, gdyż tranzystor jest elementem niskooporowym, a w technice układowej zachodzi dosyć zachodzi dosyć często potrzeba uzyskania wysokiej oporności wejściowej układu.

Oporność wejściowa układu OC wyraża się zależnością:

Rwe = rb + 0x01 graphic

Jak widać z powyższej zależności, oporność wejściowa wtórnika emiterowego w znacznej mierze zależy od oporności obciążenia RL. Dla wartości RL dążącej do zera

Rwe 0x01 graphic

Dla wartości RL dążącej do nieskończoności

Rwe 0x01 graphic

natomiast dla wartości pośrednich, kiedy spełniony jest warunek:

0x01 graphic

oporność wejściowa wyraża się zależnością

Rwe = (1+β) RL

Z powyższego rozumowania wyraźnie widać, że oporność wejściowa wtórnika emiterowego - jak na rysunku 1 - nie może być większa niż oporność kolektora rc. Zatem, możliwość uzyskania wysokiej oporności wejściowej w omawianym układzie są ograniczone. Wartość oporności rc jest zależna od punktu pracy układu, jest ona odwrotnie proporcjonalna do prądu kolektora i wprost proporcjonalna do napięcia kolektora. Interesującą cechą układu wtórnika emiterowego jest także oporność wyjściowa, która wyraża się zależnością:

Rwy = re + 0x01 graphic

gdzie Rg jest opornością źródła sterującego wtórnik emiterowy.

Analogicznie, oporność wyjściowa wtórnika emiterowego zależy od oporności źródła.

Dla

Rg 0x01 graphic
re + rb (1 - α),

Rwy 0x01 graphic
re + rb (1 - α),

kiedy

Rg 0x01 graphic

Rwy 0x01 graphic
rc (1 - α)
natomiast dla wartości pośrednich Rg, kiedy spełniony jest warunek:

rc >> Rg >>Rb

Rwy = Rg (1- α)

0x01 graphic

Rys. 1. Konwencjonalny układ wtórnika emiterowego.

Rysunek 1. przedstawia Układ wtórnika emiterowego bez uwzględnienia elementów układu polaryzacji bazy tranzystora. Rezystory polaryzujące bazę bocznikują obwód bazy przez co zmniejszają rezystancję wejściową wtórnika emiterowego. Rezystory RB1RB2 (rys. 2) są połączone szeregowo dla napięcia stałego zasilania, natomiast dla sygnału wejściowego rezystory te są połączone równolegle ponieważ źródło napięcia zasilającego stanowi zwarcie dla sygnałów zmiennych. Na rys. 2. pokazano wpływ rezystorów polaryzujących bazę tranzystora. Prąd wejściowy Iwe  rozpływa się na prądy IRB1 i IRB2 płynące przez rezystory RB1 i RB2 oraz na prąd sterujący tranzystor IB. Prąd sterujący IB jest znacznie mniejszy w porównaniu z konwencjonalnym układem o wspólnym emiterze ponieważ rezystor RL wprowadza 100 % ujemne sprzężenie zwrotne prądowo - szeregowe, które zawiększa rezystancję wejściową i zmniejsza rezystancję wyjściowa.

0x01 graphic

Rys. 2. Wtórnik napięciowy z układem polaryzacji bazy tranzystora

Dla stabilnej pracy układu suma rezystancji RB1RB2 nie może być zbyt duża. Przyjmuje się, że prąd stały płynący przez rezystory polaryzujące bazę tranzystora powinien być co najmniej dziesięciokrotnie większy od wartości prądu stałego płynącego przez bazę tranzystora.

Wynika stąd, że rezystancja wejściowa wtórnika emiterowego jest zawsze mniejsza niż wypadkowe rezystancja zastępcza równolegle połączonych rezystorów RB1 i RB2.

  1. Układ kaskadowy super alfa

Lepsze rezultaty można osiągnąć w układzie jak na rysunku 3. Jest to układ składający się z dwu tranzystorów połączonych kaskadowo, które w wyniku stanowią jak gdyby jeden tranzystor o wysokim wzmocnieniu prądowym β.

Prąd bazy drugiego tranzystora jest jednocześnie prądem emitera pierwszego tranzystora. W tym właśnie tkwi trudność układu. Prąd bazy tranzystora T1 powinien być 2β razy mniejszy od prądu kolektora tranzystora T2. A zatem, jest on porównywalny z prądem zerowym kolektora tranzystora T1. Prąd zerowy ma różną wartość zależnie od typu i egzemplarza tranzystora i może być większy od pożądanego prądu bazy tranzystora T2. W takim przypadku baza tranzystora T2 musi być polaryzowana w kierunku nieprzewodzenia (zaporowym).

0x01 graphic

Rys. 3. Układ kaskadowy super alfa

Rozpatrując ten układ widzimy, że w zakresie średnich wartości oporności RL, opornością obciążenia pierwszego tranzystora jest (β +1)2 RL , zatem oporność wejściowa układu wnosi:

Rwe = (β +1)2 RL

Analogicznie oporność wyjściowa:

Rwy = 0x01 graphic

Uwzględniając fakt, że prąd stały IB1 polaryzujący bazę tranzystora T1 jest mniejszy β razy od prądu bazy tranzystora T2 to rezystory polaryzujące bazę RB1RB2 mogą mieć znacznie większą wartość. Zatem rezystancja wejściowa układu super alfa jest wielokrotnie większa niż wtórnika emiterowego.

  1. Układ bootstrap

Na rysunku 4. przedstawiono sposób uniknięcia bocznikującego oporność wejściową wpływu oporności dzielnika zasilającego. Wtórnik emiterowy ma wzmocnienie napięciowe prawie równe jeden. Oznacza to, że napięcie sygnału na bazie tranzystora T1 jest prawie takie samo jak na emiterze a tym samym w punkcie A. W efekcie na rezystorze RD występuje bardzo małe napięcie a prąd przez niego płynący jest bardzo mały. Dzięki temu układowi wpływ oporności dzielnika na oporność wejściową wzmacniacza jest minimalny.

0x01 graphic

Rys. 4. Sposób zasilania obwodu wejsciowego wtórnika emiterowego

Z powyższego rysunku można wysnuć wniosek, że prąd wejściowy Iwe jest prakrycznie równy prądowi bazy tranzystora IB, czyli dzielnik napięcia RB1RB2 nie ma wpływu na rezystancję wejściową układu.

4

Badanie wzmacniacza operacyjnego.

7

Przygotowanie teoretyczne

8

Badanie układów wejściowych

2

Badanie układów wejściowych



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Teoria(15), Zespół Szkół nr 9 im
Teoria(26), Zespół Szkół nr 9 im
Teoria(14), ZESPÓŁ SZKÓŁ Nr 9 im
Teoria(8), Zespół Szkół nr 9 im
Teoria(4), Zespół szkół nr 9 im
Instrukcja do ćwiczenia(12), ZESPÓŁ SZKÓŁ Nr 9 im
Instrukcja do ćwiczenia(14), ZESPÓŁ SZKÓŁ NR 9 im
Instrukcja 3, Zespół Szkół nr 9 im
Instrukcja 3, Zespół Szkół nr 9 im
Czytelnictwo młodzieży Zespołu Szkół nr im Zawiszaków Proporca „Victoria” w Warszawie
Instrukcja do ćwiczenia(2), Zespół szkół nr 9 im
Instrukcja do ćwiczenia(1), Zespół Szkół nr 9 im
Zespół Szkół nr 5 im
Sprawozdanie z Pracowni nr. 1 , Zespół Szkół Nr 1 w Sierpcu
ZESTAW TEMATOW NA WEWNETRZNY EGZAMIN MATURALNY Z JEZYKA POLSKIEGO W ZESPOLE SZKOL TECHNICZNYCH IM
Projekt termomodernizacji i remontu elewacji budynku Zespołu Szkół nr 1 zlokalizowanego na działce n
zespół szkół nr 3 w choszcznie
test dla gimnazjum, ZESPÓŁ SZKÓŁ NR 2
ZESPÓŁ SZKÓL NR 5

więcej podobnych podstron