1. Tranzystor bipolarny

PNP:

NPN:

C

B

C

E

B

E

NPN

PNP

V

BE

(napięcie baza-emiter) dla

nasycenia

+0,7V -0,7V

prąd bazy I

B

wpływa do bazy

wypływa z bazy

prąd kolektora I

C

wpływa do kolektora wypływa z kolektora

prąd emitera I

E

wypływa z emitera

wpływa do emitera

Wzory:

C

B

E

C

1

I

I

I

I

(

1)

β

α =

β+

= β⋅
= α⋅ = β+ ⋅

B

I

Parametry małosygnałowe:

C

m

T

I

g

V

=

, V

T

zazwyczaj 25,9mV

T

B

m

V

r

I

g

π

β

=

=

(dla modelu typu π)

e

m

1

r

g

=

(dla modelu typu T)

A

o

C

V

r

I

=

, V

A

– napięcie Early'ego, w większości zadań przyjęto r

o

=

∞, więc nie rysujemy go

na schemacie zastępczym
Model π (stosowany w praktycznie każdym zadaniu):

B C

r

o

g

m

v

π

v

π

r

π

E

to jest schemat samego tranzystora. jeżeli coś jest dołączone do którejś z jego końcówek, to
dorysowujemy to w odpowiednim pkcie – np. jeżeli do bazy jest przyłączone jakieś źródło ,to
rysujemy je w pkcie "B".

αi

e

Model T:

B C

i

e

r

e

E

2. Tranzystor polowy złączowy (JFET)

z kanałem
typu n

G

z kanałem
typu p

D

S

G

S

D

G – bramka, S – źródło, D – dren
Przy rozwiązywaniu zadań się zakłada, że prąd bramki jest zerowy (ale jest jakieś napięcie,
chyba że jest tam masa) oraz że prąd źródła = prąd drenu.
Wzory:

2

GS

D

DSS

P

V

I

I

1

V

⎛

⎞

=

−

⎜

⎝

⎠

⎟ - tylko ten wzór jest potrzebny do wyznaczenia parametrów

małosygnałowych. I

DSS

– prąd nasycenia drenu, jest podawany w zadaniu; V

GS

– napięcie

między bramką a źródłem, trzeba policzyć; V

p

– nie wiem, jak to się nazywa, w każdym razie

jest podawane w zadaniu
Parametry małosygnałowe:

A

o

D

V

r

I

=

, V

A

– napięcie Early'ego, w zadaniach z tranzystorów polowych często trzeba to r

o

liczyć.

DSS

D

m

DSS

p

2I

I

g

I

V

=

Model małosygnałowy (taki sam dla wszystkich tranzystorów polowych, czy to MOS, czy
JFET)

G D

r

o

g

m

v

gs

v

gs

S

3. Tranzystor MOS
a) z kanałem wbudowanym

z kanałem
typu n

z kanałem
typu p

D

S

G

G

B

B

S

D

B – podłoże (w zadaniach nic się z nim nie dzieje, trza tylko na symbolu narysować)
Wzory, parametry małosygnałowe i schemat małosygnałowy – tak samo jak dla JFET.

b) z kanałem indukowanym

Wzory i parametry małosygnałowe:

(

)

2

D

GS

I

K V

V

=

−

T

, K – jakiś tam współczynnik, ma jednostki mA/V; V

GS

– napięcie między

bramką a źródłem, V

T

– bedzie podane w zadaniu (już nie 25,9mV)

A

o

D

V

r

I

=

, V

A

– nap. Early'ego, będzie podane w zadaniu

m

D

g

2 K I

=

⋅

schemat małosygnałowy taki sam jak dla JFET.