background image

 

LABORATORIUM 

 

PODSTAWY 

 

ELEKTRONIKI 

 
 

 

 
 
 

UKŁADY 

KOMBINACYJNE

 

(BRAMKI: AND, OR, NAND, NOR, NOT) 

 
 
 
 

background image

 

 

Cel ćwiczenia 

 

 

Zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych funktorów (bramek) 

układów kombinacyjnych, jak równieŜ z metodami opisu układów kombinacyjnych. Program 

tego ćwiczenia ma zostać zrealizowany na praktycznym zestawieniu układów 

kombinacyjnych przy uŜyciu bramek. 

 

Przebieg ćwiczenia 

 

1.

 

Zapoznanie się z zasadą działania podstawowych bramek występujących na danym 

stanowisku laboratoryjnym 

2.

 

Przeprowadzić analizę stanów wyjściowych dla kaŜdej bramki 

3.

 

Zminimalizować funkcję logiczną podaną (przez prowadzącego zajęcia) w postaci 

sumy kanonicznej za pomocą Tablicy Karnaugha i zrealizować tę funkcję na 

bramkach 

4.

 

Wyniki ćwiczenia umieścić w sprawozdaniu 

 
 
 
 

 
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

background image

 

 
 
 

1.1

 

Wstęp teoretyczny. 

 

 
 

Podstawowa bramka TTL serii standardowej 74xx. 

 
 

 

Podstawową i powszechnie stosowaną bramką jest bramka NAND poniewaŜ 

stanowi ona system funkcjonalnie pełen, czyli jest bramką, która pozwala zrealizować 
dowolną funkcję logiczną. 
Układ wejściowy takiej bramki stanowi tranzystor wieloemiterowy składający się z 
tylu tranzystorów o połączonych bazach oraz kolektorach, ile wynosi liczba wejść. 
W wersji scalonej takiego układu odpowiednie obszary baz i kolektorów są takŜe 
połączone, co stanowi w efekcie strukturę określaną mianem tranzystora 
wieloemiterowego. 
 
  

Układ 7400 zawiera w swej obudowie cztery dwuwejściowe bramki NAND. 

Jest to układ 14 nóŜkowy. 
 
 
  

 
 

 

 

 

 
 
 
 

 

 

 
 

 

Schemat ideowy bramki NAND przedstawia poniŜszy rysunek. 

 
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

1

14

7493

GND

Vcc

T1

T2

T3

T4

D1

R3

1k7

R2
1k8

R1
4k

R4
130R

Vcc

F

A

B

background image

 

 
 
 

Stopień wejściowy bramki stanowi tranzystor wieloemiterowy T1. Tranzystor T2 jest 

podstawowym elementem wzmacniacza pośredniczącego (inwertera), a tranzystory T3 i T4 – 
stopnia wyjściowego (tzw. wzmacniacza przeciwsobnego). 
Do wejść bramki są dołączone diody, które tłumią oscylacje powstałe w liniach łączących 
bramki w czasie ich przełączania i zapobiegają powstawaniu ujemnych napięć o wartości 
większej niŜ 0,7 V. 
 

Wszystkie tranzystory ( poza tranzystorem T3) w tym układzie – w stanach 

ustalonych, czyli przy niezmieniających się sygnałach wejściowych i wyjściowych o 
wartościach zawartych w dopuszczalnych przedziałach – pracują w charakterze kluczy 
tranzystorowych ( znajdują się naprzemiennie w stanach nasycenia bądź zatkania). 
 
 
 
 
 

Analiza bramki TTL NAND przełączanej do stanu wysokiego. 

 
 

Przy napięciu wejściowym, (co najmniej jednym) o wartości odpowiadającej 

poziomowi niskiemu L z wejścia bramki wypływa prąd o wartości typowej 1mA. Prąd ten 
wpływa do elementu, z którego jest sterowana analizowana bramka. Tranzystor T1 znajduje 
się w stanie nasycenia. Na bazie tranzystora T2 występuje napięcie wejściowe powiększone o 
napięcie nasycenia (0,2 V) nasyconego tranzystora T1. Napięcie to jest wystarczające, aby 
wprowadzić tranzystor T2 w stan pracy aktywnej, ale jednocześnie zbyt małe, aby uaktywnić 
takŜe tranzystor T4, do czego potrzeba większego napięcia. Praca aktywna T2 sprawia, Ŝe 
napięcie kolektora T2 równe napięciu bazy T3 maleje, co zmniejsza wysterowanie tranzystora 
T3, a w konsekwencji prowadzi do obniŜenia napięcia wyjściowego. Jednak napięcie 
wyjściowe jest nadal na tyle wysokie, Ŝe bramka znajduje się w stanie H. Dla typowych 
napięć poziomu L napięcie bazy tranzystora T3 jest wysokie (zbliŜone do Vcc = 5 V), co 
zapewnia dobre wysterowanie tranzystora T3 w kierunku przewodzenia. Tranzystor T3 jest w 
stanie przewodzenia i na wyjściu ustala się napięcie, którego typowa wartość wynosi 3,6 V. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

T1

T2

T3

T4

D1

R3

1k7

R2
1k8

R1
4k

R4
130R

Vcc = 5 V

background image

 

 
 
 
 

Analiza bramki TTL NAND przełączanej do stanu niskiego. 

 
 

Przy napięciach wejściowych obu wejść o wartości odpowiadającej poziomowi 

wysokiemu H do kaŜdego wejścia bramki wpływa prąd o wartości  

A

µ

40

. Jest to prąd 

kolektora tranzystora T1 pracującego w połączeniu inwersyjnym. Złącze baza-emiter 
tranzystora T1 jest spolaryzowane zaporowo, a złącze baza-kolektor w kierunku 
przewodzenia. Prąd kolektora tranzystora T1 ma niewielką wartość. 
 

Prąd złącza BC tranzystora T1 plus prądy wejściowe stanowi prąd wpływający do 

bazy tranzystora T2, który dzięki temu znajduje się w stanie nasycenia. 
Cześć prądu emiterowego tranzystora T2 wpływa do bazy tranzystora T4, nasycając go. 
Napięcie występujące na bazie T3 jest za małe, aby wysterować tranzystor T3, który znajduje 
się wobec tego w stanie zatkania. Stan odcięcia tranzystora T3 uzyskujemy dzięki diodzie D1. 
Konsekwencją umieszczenia diody D1 jest po prostu konieczność spolaryzowania w kierunku 
przewodzenia dwóch, a nie jednego złącza w celu wprowadzenia tranzystora T3 w stan 
aktywny. Napięcie jest zbyt małe, aby spolaryzować te dwa złącza w kierunku przewodzenia. 
Na wyjściu bramki ustala się wiec stan niski L o typowej wartości napięcia 0,4 V. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Bramka NOR. 
 
 

Schemat ideowy bramki NOR układu 7402 przedstawiono poniŜej. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

T3

D1

Vcc

F

1k6

4k

T5

T6

T1

1k

D2

D3

T2

4k

130R

B

A

background image

 

Układ 7402 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Wejścia bramki stanowią dwa tranzystory jednoemiterowe T1 i T2, które sterują 

równolegle połączonymi tranzystorami T5 i T6. JeŜeli na dowolne z wejść (A lub B) 
doprowadzimy poziom wysoki, wówczas jeden z tranzystorów T5 lub T6 przewodzi, 
wprowadzając tranzystor T4 w stan przewodzenia, co odpowiada stanowi niskiemu na 
wyjściu. JeŜeli obydwa wejścia są w stanie niskim, to tranzystory T1 i T2  przewodzą, co 
powoduje, Ŝe są zatkane tranzystory T5 i T6 oraz  tranzystor T4 i wyjście jest w stanie 
wysokim. 
 
Pozostałe bramki (AND, OR i NOT). 
 
 

Bramka AND ma identyczne obwody jak w bramce NAND. Schemat elektryczny 

bramki AND róŜni się jedynie od schematu bramki NAND obecnością stopnia negującego 
wykonanego na osobnym tranzystorze i umieszczonego przed wzmacniaczem wyjściowym. 
Sam układ wyjściowy w obu bramkach jest identyczny. 
 

Podobnie jak w przypadku poprzednim wykonana jest bramka OR. A wiec jest ona 

zbudowana na bazie funktora NOR, poprzez wprowadzenie stopnia negującego. 
 

Negator NOT w technice scalonej wykonuje się poprzez zwarcie wszystkich wejść 

bramki NAND. Wówczas sygnał wyjściowy jest zanegowanym sygnałem wejściowym. 
 

W funkcji negatora moŜna teŜ uŜyć tranzystora pracującego jako inwerter 

(odwracającego fazę sygnału wejściowego o 180 stopni elektrycznych). 
Minimalizacja formuły funkcji metodą tablic Karnaugha. 
 
 

Budując układy cyfrowe z bramek na etapie projektowym spotykamy się często z 

problemem złoŜoności pod względem liczby bramek i liczby połączeń. Na ogół układ o 
najmniejszej liczbie elementów jest tańszy i bardziej niezawodny. Bardzo waŜnym wiec 
etapem syntezy układu logicznego jest poszukiwanie postaci funkcji logicznej opisującej 
działanie układu o moŜliwie najmniejszej ilości zmiennych. Proces poszukiwania takiej 
postaci nazywa się minimalizacją formuły funkcji. 
 

Szczególnie prostą i szybką w stosowaniu jest metoda minimalizacji funkcji za 

pomocą tablic Karnaugha, gdy liczba zmiennych minimalizowanych nie przekracza 4. 
 

Tablicą Karnaugha nazywamy tablicę, w której wiersze i kolumny będą opisane w 

kodzie Graya. Taka cecha tablicy Karnaugha umoŜliwia tzw. sklejanie ze sobą nadmiernych 
zmiennych. 
 
 
 
 
 
 

1

14

7493

GND

Vcc

background image

 

 

Tworzenie kodu Graya, którym opisuje się tablicę Karnaugha przedstawiają poniŜsze 

przykłady. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Przykłady tablic dla odpowiedniej liczby zmiennych przedstawiają poniŜsze rysunki. 

KaŜde pole tablicy odpowiada jednej kombinacji wartości zmiennych wejściowych. Dlatego 
dogodną postacią zapisu funkcji do utworzenia odpowiadającej jej tablicy Karnaugha jest 
tablica wartości funkcji. 
 
 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Kod 1-bitowy.

A

0
1

Kod 2-bitowy.

B   A

0    0
0    1
1    1
1    0

Odbicie symetryczne

0
1

1
0

Odbicie symetryczne

0 0
0 1
1 1
1 0

1 0
1 1
0 1
0 0

Kod 3-bitowy.

C    B    A

0     0    0
0     0    1
0     1    1
0     1    0
1     1    0
1     1    1
1     0    1
1     0    0

CB

00
01
11
10

A

0  1

0  1

A

B

0
1

00
01
11
10

00 01 11 10

BA

DC

background image

 

 

Proces minimalizacji za pomocą tablic składa się z trzech etapów. Etap pierwszy 

polega na przygotowaniu tablicy dla danej liczby zmiennych i wpisaniu w jej pola wartości 
funkcji. Następnie naleŜy narysować obwiednie (połączyć w grupy – skleić) moŜliwie 
największych obszarów, które obejmują wyłącznie jedynki (dla postaci alternatywnej – 
sumy), albo wyłącznie zera (dla postaci koniunkcyjnej) sąsiadujące ze sobą. 
 

JeŜeli w dwóch sąsiednich polach wypełnionej tablicy znajdują się jednakowe 

symbole ( 0 lub 1 ), to odpowiadające tym jedynkom (zerom) pełne iloczyny (pełne sumy) 
moŜna skleić – co odpowiada usunięciu litery, która w ramach sklejanej grupy zmienia swą 
wartość. 
Gdy zakreślane pola zawierają jedynki, wówczas zamiast odpowiadającego im wyraŜenia  

Ax

x

A

+

 moŜna przyjąć A. Natomiast, gdy zawierają zera, wówczas zamiast 

)

(

)

(

x

B

x

B

+

+

 

moŜna przyjąć B. Wzięcie grupy jedynek lub zer złoŜonej z czterech pól elementarnych 
usuwa kolejną literę z jej opisu. W stosunku do pełnego iloczynu (pełnej sumy) opis takiej 
czwórki będzie zawierał o dwie litery mniej. Generalnie, kaŜde zwiększenie zakreślanej grupy 
zmniejsza opis tej grupy o jedna literę. 
 

 

 

Przykłady sklejeń w tablicach czterech zmiennych. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Zakreślenia naleŜy dokonywać zgodnie z następującymi zasadami: 
 

-

 

liczba pól elementarnych łączonych ze sobą musi być potęgą liczby 2. 

-

 

łączone pola muszą być polami sąsiadującymi ze sobą. 

-

 

połączone pola muszą mieć kształt symetryczny względem swych osi. (kwadraty lub 
prostokąty). 

 
Jeśli w tablicy występują miejsca, gdzie funkcja nie jest w pełni określona to pola 
elementarne zawierające takie miejsca moŜna łączyć z jedynkami albo zerami. Takie 
dołączenie pozwala zazwyczaj zakreślić większą grupę. 
 

NaleŜy pamiętać, Ŝe przeciwległe krawędzie tablicy moŜna uwaŜać za jedną linię 

oddzielającą sąsiadujące ze sobą pola. 
 
Trzeci etap procesu minimalizacji zawierać będzie następujące kroki: 
 

00
01
11
10

00 01 11 10

BA

DC

00
01
11
10

00 01 11 10

BA

DC

00
01
11
10

00 01 11 10

BA

DC

A

A

CA
C+A

BA

B+A

DC

D+C

DB

D+B

background image

 

-

 

wybór do zakreślania zer lub jedynek. Decyzja uzaleŜniona jest od posiadanych 
elementów. JeŜeli elementy nie wprowadzają ograniczeń, to naleŜy łączyć w grupy te 
symbole, które dają prostsze rozwiązanie. 

-

 

zakreślenie wybranego rodzaju symboli w moŜliwie największe grupy, przy 
minimalnej liczbie tych grup 

-

 

wyodrębnione w tablicy grupy opisuje się funkcją w postaci normalnej, redukując 
wyraŜenia o sklejone grupy. 

 

Przykład. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

1.2

 

Układy badane. 

 

Bramka AND 

 

 

 

 

 

  

Wyznaczona tablica prawdy 

 
 
    Symbol  
 
 
 
 
 
 
 

Otrzymane przebiegi sygnałów wejściowych i wyjściowych. 

 
 

                 A 

 

                 B 

 
 

      

    A*B 

 
 
Układ scalony 7408. 
 
 
 
 

 

CB

00
01
11
10

A

0  1

F(C,B,A) = CB+A

A

B

A  B

A     B     Q

0     0      0
0     1      0
1     0      0
1     1      1

1

14

7493

GND

Vcc

background image

 

10 

 
Bramka NAND 

 
 

Wyznaczona tablica prawdy 

 
 
    Symbol  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Otrzymane przebiegi sygnałów wejściowych i wyjściowych. 

 
 

                 A 

 

                 B 

 

 

      

    

B

*

A

 

 
 
 
 
Układ scalony 7400. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

A     B     Q

0     0      1
0     1      1
1     0      1
1     1      0

A

B

A  B

1

14

7493

GND

Vcc

background image

 

11 

 
Bramka NOR 

 

 

 

 

 

  

Wyznaczona tablica prawdy 

 
 
    Symbol  

 

 

 
 

 
 
 

 

Otrzymane przebiegi sygnałów wejściowych i wyjściowych. 

 
 

                 A 

 

                 B 

 

 

      

    

B

A

+

 

 
 
Układ scalony 7402. 
 
 
 
 
 
 

 

Bramka OR.   
 

 

 

 

  

Wyznaczona tablica prawdy 

 
 
    Symbol  

 

 

 
 
 
 
 

 

Otrzymane przebiegi sygnałów wejściowych i wyjściowych. 

 
 

                 A 

 

                 B 

 
 

      

    A+B 

 

1

14

7493

GND

Vcc

A+B

 

A     B     Q

0     0      1
0     1      0
1     0      0
1     1      0

A     B     Q

0     0      0
0     1      1
1     0      1
1     1      1

A

B

A+B

A

 

B

 

background image

 

12 

 
Bramka została zbudowana z bramki NOR (7402) oraz inwertera NOT (7404) 
Inwerter NOT 
 

 

 

 

  

Wyznaczona tablica prawdy 

 
 
    Symbol  

 

 

 
 
 
 

 

Otrzymane przebiegi sygnałów wejściowych i wyjściowych. 

 
 

                 A 

 

                  

         

 
Układ scalony 7404. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Realizacja bramek AND, OR, NOR i NOT za pomocą bramek NAND (7400) 
 

AND 

 
 

  

 
 
 

OR, NOR 

 
 

 

 

 
 
 
 

 

NOT 

 

 

1

14

7493

GND

Vcc

A

A

A     Q

0      1      
1      0      

      

A

B

A  B

7400

7400

A

B

A+B

A+B

7400

7400

7400

7400

A

A

7400