Kondensator MOS

Metal Oxide Semiconductor

Budowa kondensatora MOS.

Si(p)

B

SiO

2

Al

G

G – bramka
B – podłoże

Wpływ polaryzacji bramki na właściwości obszaru granicznego

Si – SiO

2

pod bramką kondensatora MOS.

G

-

- - - - - -

+ + + + + +

+

+

+

+

+

+

+

+

Si(p)

+

+

+

B

+

U

GB

< 0 - akumulacja

+

+

+

+

Obszar wzbogacony

-

-

-

-

Obszar zubożony

U

GB

> 0 - zubożanie

G

+

+ + + + + +

+

+

+

+

+

+

+

+

Si(p)

+

+

+

B

-

+

+

-

-

-

-

U

GB

>> 0 - inwersja

Warstwa inwersyjna

Obszar zubożony

+

+

+

+

+

+

+

+

Si(p)

+

+

+

B

-

G

++

+ + + + + +

-

-

-

- - -

+

+

-

-

-

-

-

-