1

Elektr/źr-prąd

ŹRÓDŁA PRADOWE z tranzystorów FET

2s, 47kB

Źródła prądowe wykonane ze złączowych tranzystorów polowych są stosowane

zarówno wewnątrz układów scalonych (szczególnie we wzmacniaczach
operacyjnych) jak też w układach zrealizowanych z elementów dyskretnych.

P. Horowitz, W. Hill: Sztuka elektroniki, Część 1, W.,1995

Rys.3.16. Źródło prądowe z tranzystorom

polowym złączowym z kanałem n:

- pracuje przy zerowej wartości napicia

bramka-źródło

U

GS

= 0;

- dość proste rozwiązanie (są to złączowe
tranzystory polowe, których bramkę zwarto ze

źródłem oraz posortowane w grupy stosownie
do wydajności prądowej);

- jest to dwukońcówkowe źródło prądu o
stałej wartości

Rys.3.17. Zmierzone

charakterystyki wyjściowe

I

D

= f(U

DS

)

przy U

GS

= const złączowego

TP z kanałem n typu 2N5484

- z zamieszczonych charakterystyk drenowych tranzystora polowego widać, że

prąd drenu ma dość stałą wartość dla napięć U

DS

o wartościach większych niż

kilka woltów;
- jednakże, ze względu na rozrzut produkcyjny wartości I

DSS

(np. między 1mA a

5mA), wydajności takiego źródła nie można przewidzieć

2

a)

b)

Rys.3.18. Charakterystyka stabilizatora prądu typu 1N5294 o wydajności 0,75mA

- z Rys.3.18a wynika, że stałość prądu jest dobra aż do napięcia przebicia
- z Rys.3.18b można określić minimalną wartość napięcia, do której źródło daje prąd o
ustalonej wartości

Rys.3.19. Źródło prądowe o dobieranej wydajności:

U

GS

= I

D

R

S

Wnioski:
- użycie rezystora R

S

w układzie źródła prądowego

pozwala dobrać właściwą wartość prądu oraz
zmniejszyć nieoznaczoność tej wartości: napięcie U

GS

przesuwa się w kierunku napięcia odcięcia i
zmniejsza się wartość prądu drenu I

D

;

- układ z rezystorem jest lepszym źródłem prądowym (o większej wartości

impedancji) niż układ bezrezystotowy, gdyż rezystor w obwodzie źródła TP
realizuje prądowe sprzężenie zwrotne.

Rezystancja wewnętrzna źródła prądu

)

1

(

max

s

m

ds

s

U

ds

i

R

g

r

R

k

r

r