1 

Elektr/źr-prąd 

       ŹRÓDŁA PRADOWE z tranzystorów FET           

2s, 47kB

 

 

Źródła  prądowe  wykonane  ze  złączowych  tranzystorów  polowych  są  stosowane 

zarówno  wewnątrz  układów  scalonych  (szczególnie  we  wzmacniaczach 
operacyjnych) jak też w układach zrealizowanych z elementów dyskretnych. 

P. Horowitz, W. Hill: Sztuka elektroniki, Część 1, W.,1995 

 

 
 
 

Rys.3.16. Źródło prądowe z tranzystorom 

polowym złączowym z kanałem n: 

   -  pracuje  przy  zerowej  wartości  napicia 
 

bramka-źródło 

U

GS

 = 0;

  

 

   -  dość  proste  rozwiązanie  (są  to  złączowe   
tranzystory  polowe, których bramkę zwarto ze 

źródłem  oraz  posortowane  w  grupy  stosownie 
do wydajności prądowej); 

-  jest to     dwukońcówkowe  źródło  prądu  o 
stałej wartości 

 
 

 
 
 
 
 
 

  Rys.3.17. Zmierzone    

 

charakterystyki wyjściowe 

I

D

 = f(U

DS

)  

   przy U

GS

 = const złączowego 

TP z kanałem n typu 2N5484 

 
 
 
 

-  z  zamieszczonych  charakterystyk  drenowych  tranzystora  polowego  widać,  że 

prąd  drenu  ma  dość  stałą  wartość    dla  napięć  U

DS

  o  wartościach  większych  niż 

kilka woltów; 
-  jednakże,  ze względu  na  rozrzut  produkcyjny  wartości  I

DSS

  (np.  między  1mA  a 

5mA), wydajności takiego źródła nie można przewidzieć 

 

2 

a) 

 

 

 

 

 

 

b) 

 

           

 

 

Rys.3.18. Charakterystyka stabilizatora prądu typu 1N5294 o wydajności 0,75mA 

 

- z Rys.3.18a wynika, że stałość prądu jest dobra aż do napięcia przebicia 
- z Rys.3.18b można określić minimalną wartość napięcia, do której źródło daje prąd o 
ustalonej wartości 
 
 

 
 
 
    

      Rys.3.19. Źródło prądowe o dobieranej wydajności: 

U

GS

 = I

D

R

S

  

 

Wnioski: 
-  użycie  rezystora  R

S  

w  układzie  źródła  prądowego 

pozwala  dobrać  właściwą  wartość  prądu  oraz 
zmniejszyć nieoznaczoność tej wartości: napięcie U

GS

 

przesuwa  się  w  kierunku  napięcia  odcięcia  i 
zmniejsza się wartość prądu drenu I

D

; 

 

-  układ  z  rezystorem  jest  lepszym  źródłem  prądowym  (o  większej  wartości 

impedancji)  niż  układ  bezrezystotowy,  gdyż  rezystor  w  obwodzie  źródła  TP 
realizuje prądowe sprzężenie zwrotne. 

 
 

Rezystancja wewnętrzna  źródła prądu           

)

1

(

max

s

m

ds

s

U

ds

i

R

g

r

R

k

r

r