Cw 3 Tranzystor bipolarny id 12 Nieznany

background image

background image

Opracowali: dr inż. Jerzy Chmiel, dr inż. Adam Rosiński, inż. Andrzej Szmigiel
Wydział Transportu PW. Warszawa 2008.

2

A) Cel ćwiczenia.

- Poznanie

właściwości tranzystorów bipolarnych i ich parametrów

- Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego: (w układzie OE)

wyjściowych

I

C

= f(U

CE

) przy I

B

= const.

wejściowych

I

B

= f(U

BE

) przy U

CE

= const.

przejściowych

I

C

= f(I

B

) przy U

CE

= const.


B) Program ćwiczenia.

a) Wykreślenie rodziny charakterystyk wejściowych tranzystora bipolarnego

b) Wykreślenie rodziny charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego

c) Wykreślenie rodziny charakterystyk przejściowych tranzystora bipolarnego


C) Część pomiarowa.



W celu zdjęcia charakterystyk tranzystora (w układzie OE) należy skorzystać z układu jak na

rys. 1.



Rys. 1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego w układzie OE









A

A

V

V

R

U

BE

U

CE

+

+

-

-

Zasilacz

Zasilacz

I

C

I

B

background image

Opracowali: dr inż. Jerzy Chmiel, dr inż. Adam Rosiński, inż. Andrzej Szmigiel
Wydział Transportu PW. Warszawa 2008.

3

a) Wyznaczyć rodzinę charakterystyk wyjściowych tranzystora BD 137 I

C

= f(U

CE

) przy

I

B

= const.

Tabela 1

U

CE

[V]

(int)

0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8

U

CE

[V]

I

C

[mA]

0,9 1 5 8 10 15


Dla I

B

=100 [

µA]


Tabela 2

U

CE

[V]

(int)

0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8

U

CE

[V]

I

C

[mA]

0,9 1 5 8 10 15


Dla I

B

=200 [

µA]


Tabela 3

U

CE

[V]

(int)

0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8

U

CE

[V]

I

C

[mA]

0,9 1 5 8 10 15


Dla I

B

=300 [

µA]

Tabela 4

U

CE

[V]

(int)

0,05

0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8

U

CE

[V]

I

C

[mA]

0,9 1 5 8 10 15


Dla I

B

=400 [

µA]

background image

Opracowali: dr inż. Jerzy Chmiel, dr inż. Adam Rosiński, inż. Andrzej Szmigiel
Wydział Transportu PW. Warszawa 2008.

4

b) Wyznaczyć rodzinę charakterystyk wejściowych tranzystora BD 137 I

B

= f(U

BE

)

przy U

CE

= const.

Wyznaczyć rodzinę charakterystyk przejściowych tranzystora BD 137 I

C

= f(I

B

)

przy U

CE

= const.



Tabela 5

I

B

[

µA]

(int)

5 10 15 30 50 100 250

500 750

1000

I

B

[

µA]

U

BE

[V]

I

c

[mA]


Dla U

CE

= 5 [V]




Tabela 6

I

B

[

µA]

(int)

5 10 15 30 50 100 250

500 750

1000

I

B

[

µA]

U

BE

[V]

I

c

[mA]


Dla U

CE

= 10 [V]




Tabela 7

I

B

[

µA]

(int)

5 10 15 30 50 100 250

500 750

1000

I

B

[

µA]

U

BE

[V]

I

c

[mA]


Dla U

CE

= 12 [V]



c) Wyznaczyć rodzinę charakterystyk wyjściowych tranzystora 2N 3055 I

C

= f(U

CE

) przy I

B

=

const.

Tabela 8

U

CE

[V]

(int)

0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 1

U

CE

[V]

I

C

[mA]

2 3 5 10

12 15


Dla I

B

=500 [

µA]

background image

Opracowali: dr inż. Jerzy Chmiel, dr inż. Adam Rosiński, inż. Andrzej Szmigiel
Wydział Transportu PW. Warszawa 2008.

5


Tabela 9

U

CE

[V]

(int)

0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 1

U

CE

[V]

I

C

[mA]

2 3 5 10

12 15



Dla I

B

=1000 [

µA]

Tabela 10

U

CE

[V]

(int)

0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 1

U

CE

[V]

I

C

[mA]

2 3 5 10

12 15


Dla I

B

=2000 [

µA]


Tabela 11

U

CE

[V]

(int)

0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 1

U

CE

[V]

I

C

[mA]

2 3 5 10

12 15


Dla I

B

=3000 [

µA]



Tabela 12

U

CE

[V]

(int)

0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 1

U

CE

[V]

I

C

[mA]

2 3 5 10

12 15


Dla I

B

=4000 [

µA]



background image

Opracowali: dr inż. Jerzy Chmiel, dr inż. Adam Rosiński, inż. Andrzej Szmigiel
Wydział Transportu PW. Warszawa 2008.

6



d) Wyznaczyć rodzinę charakterystyk wejściowych tranzystora 2N 3055 I

B

= f(U

BE

)

przy U

CE

= const.

Wyznaczyć rodzinę charakterystyk przejściowych tranzystora 2N 3055 I

C

= f(I

B

)

przy U

CE

= const.



Tabela 14

I

B

[mA]

(int)

0,5 1 2 3 4 5 6 8 9 10

I

B

[mA]

U

BE

[V]

I

c

[mA]

Dla U

CE

= 5 [V]




Tabela 15

I

B

[mA]

(int)

0,5 1 2 3 4 5 6 8 9 10

I

B

[mA]

U

BE

[V]

I

c

[mA]


Dla U

CE

= 10 [V]





Tabela 16

I

B

[mA]

(int)

0,5 1 2 3 4 5 6 8 9 10

I

B

[mA]

U

BE

[V]

I

c

[mA]

Dla U

CE

= 15 [V]





D) Wyposażenie.


Elementy układu:
Rezystor R = 1 k

Ω .............................................................................................................szt. 1

Tranzystor BD 137............................................................................................................szt. 1
Tranzystor BC 140............................................................................................................szt. 1

Sprzęt pomiarowy:
Cyfrowy miernik uniwersalny .............................................................................................szt. 4

Źródło zasilania:

background image

Opracowali: dr inż. Jerzy Chmiel, dr inż. Adam Rosiński, inż. Andrzej Szmigiel
Wydział Transportu PW. Warszawa 2008.

7

Zasilacz podwójny .............................................................................................................szt. 1

Akcesoria:
Płyta montażowa ...............................................................................................................szt. 1
Komplet przewodów ..........................................................................................................szt. 1

E) Literatura.

1. Basztura

Czesław: ,,Elementy elektroniczne”. Stow. Inż. i Techn. Mechaników, 1985

2. Kończak Sławomir: ,,Fizyczne podstawy elektroniki”. Wydaw. Politechn. Śląskiej, 1994
3. Kusy Andrzej: ,,Podstawy elektroniki”. Oficyna Wydaw. Politechn. Rzeszowskiej, 1996
4. Marcyniuk Andrzej: ,,Podstawy miernictwa”. Wydaw. Politechn. Śląskiej, 2002
5. Nowaczyk Emilia: ,,Podstawy elektroniki”. Oficyna Wydaw. Politechn. Wrocławskiej,

1995

6. Tietze, Schenk: ,,Układy półprzewodnikowe”. Wydaw. Nauk. –Techn., 1996
7. Wawrzyński Wojciech: ,,Podstawy współczesnej elektroniki”. Oficyna Wydaw. Politechn.

Warszawskiej, 2003

8. Wieland Jerzy: ,,Tranzystory”. Wyższa Szkoła Morska, 1983

F. Zagadnienia do przygotowania

1. Różnica między półprzewodnikami samoistnymi a domieszkowanymi.
2. Zależność między prądami zerowymi w dwuzłączowym tranzystorze bipolarnym.
3. Zasada działania bipolarnego tranzystora dwuzłączowego.
4. Polaryzacja normalna tranzystora.
5. Obszary ograniczające pracę tranzystora.
6. Schematy zastępcze tranzystora ( WE, WB, WC ) w oparciu o macierz typu h.
7. Charakterystyki statyczne tranzystora w konfiguracji WB, WE, WC.
8. Zależności pomiędzy

α i β.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
cw 3 sterowanie szeregowe id 12 Nieznany
Cw 7 Tranzystor unipolarny id 1 Nieznany
Cw 06 Tranzystor MOSFET id 1213 Nieznany
CW 8 pytania kontrolne v2 id 12 Nieznany
Cw 7 Tranzystor unipolarny 2 id Nieznany
cw rownowaznik subst chem id 12 Nieznany
cw PAiTS 05 id 122324 Nieznany
CW 8 pytania kontrolne id 12215 Nieznany
Cw 29 szablon id 97632 Nieznany
cw PRI harmonogram id 122354 Nieznany
Cw 1 Czworniki bierne id 122391 Nieznany
cw 03 formularz id 121361 Nieznany
Cw 25 Zaklocenia id 122416 Nieznany
cw 05 instrukcja id 121376 Nieznany
cw 15 formularz id 121556 Nieznany
normy do cw I PN B 19301 id 787 Nieznany
cwiczenie nr 2 instrukcja id 12 Nieznany
Cw 24 cw070 id 648300 Nieznany
cad 1 I Cw 14 2013 id 107655 Nieznany

więcej podobnych podstron