Model warstwowy tranzystora MOS

Model warstwowy (przekrój) tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym typu p

(normalnie wyłączonym).

S

G

D

Si(n)

p

+

p

+

SiO

2

S – źródło
D – dren
G – bramka
B – podłoże

B

Przekrój tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym typu p

w warunkach normalnej polaryzacji, w zakresie małych napięć U

DS

.

Symbol tranzystora MOS
z kanałem wzbogacanym
typu p

D

G

S

B

Symbol tranzystora MOS
z kanałem wzbogacanym
typu n

D

G

S

B

U

DS

< U

Dsat

; U

GS

 > U

T



Si(n)

p

+

p

+

B

U

DS

+

-

kanał typu p

S

G

D

U

GS

+

-

warstwa zubożona