Charakterystyki przejściowe tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym

Model warstwowy tranzystora MOS z kanałem typu p zubożanym

I

D

[mA]

U

T

0

U

GS

[V]

U

DS1

U

DS2

I

D

= f(U

GS

)

U

DS

= const.

U

DS2

 > U

DS1



U

T

– napięcie progowe

Charakterystyki przejściowe tranzystora MOS z kanałem

wzbogacanym typu p.

S

G

D

Si(n)

p

+

p

+

SiO

2

B

kanał wbudowany typu „p”

Symbol tranzystora MOS
z kanałem zubażanym
typu p

S

D

G

B

Symbol tranzystora MOS
z kanałem zubażanym
typu n

S

D

G

B