34

Podstawy Technologii Komputerowych

Podstawy Technologii Komputerowych

dr inż. Krzysztof MURAWSKI

dr inż. Krzysztof MURAWSKI

mgr inż. Józef TURCZYN

mgr inż. Józef TURCZYN

Tel.: [phone], E

Tel.: [phone], E

-

-

mail

mail

: k.

: k.

murawski

murawski

@

@

ita

ita

.

.

wat

wat

.

.

edu

edu

.

.

pl

pl

35

Diody półprzewodnikowe

Diody półprzewodnikowe

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

36

Wykaz najważniejszych oznaczeń

Wykaz najważniejszych oznaczeń

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

37

Wykaz najważniejszych oznaczeń

Wykaz najważniejszych oznaczeń

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

38

Wykaz najważniejszych oznaczeń

Wykaz najważniejszych oznaczeń

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

39

Rodzaje diod półprzewodnikowych

Rodzaje diod półprzewodnikowych

Diody półprzewodnikowe

Germanowe

Krzemowe

Małej mocy

Prostownicze średniej

i dużej mocy

Detekcyjne

Fotodiody

Luminescencyjne

Małej mocy

Prostownicze średniej

i dużej mocy

Małej

częstotliwości

Dużej

częstotliwości

Stabilizacyjne

(Zenera)

Fotodiody

Impulsowe

Pojemnościowe

Warikapy

Waraktory

Diody Schottky’ego

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

40

Polaryzacja diody

Polaryzacja diody

Anoda

Katoda

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

41

Polaryzacja diody

Polaryzacja diody

Rezystor

Anoda

Katoda

Rezystor

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

42

Polaryzacja diody

Polaryzacja diody

F

I

Rezystor

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

43

Polaryzacja diody

Polaryzacja diody

R

I

Rezystor

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

44

Charakterystyka diody

Charakterystyka diody

MAX

R

U

−

MAX

F

I

F

I

F

U

F

I

R

I

[ ]

mA

[ ]

V

[ ]

V

[ ]

A

µ

P

U

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

45

Charakterystyka diody

Charakterystyka diody

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

20

40

60

80

100

[ ]

F

I mA

[ ]

D

U V

Ge

Si

0.4

Ge

F

U

V

=

0.65 ~ 0.7

Si

F

U

V

=

0.1

MAX

F

F

I

I

=

i

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

46

Charakterystyki diod w kierunku przewodzenia

Charakterystyki diod w kierunku przewodzenia

[ ]

I mA

[ ]

U V

0

5

10

0.2

0.4

0.6

0.8

1

Dioda

Schotky'ego

Dioda pn(Si)

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

47

Wsteczne charakterystyki statyczne diod

Wsteczne charakterystyki statyczne diod

Zenera

Zenera

[ ]

Z

I A

[ ]

Z

U V

0

6

10

0.2

0.4

0.6

0.8

1

B

Z2

D

12

8

12

max

5

P

W

=

0

25

t

C

=

B

Z2

D

10

B

Z

2D

8V

2

B

Z

2D

6V

8

Z

R

L

R

Z

D

WE

U

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

48

Ogólne zasady oznaczeń

Ogólne zasady oznaczeń

elem

elem

. dyskretnych

. dyskretnych

BAYP 95A

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

49

Ogólne zasady oznaczeń

Ogólne zasady oznaczeń

elem

elem

. dyskretnych

. dyskretnych

BAYP 95A

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

50

Ogólne zasady oznaczeń

Ogólne zasady oznaczeń

elem

elem

. dyskretnych

. dyskretnych

BAYP 95A

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

51

Ogólne zasady oznaczeń

Ogólne zasady oznaczeń

elem

elem

. dyskretnych

. dyskretnych

BAYP 95A

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

52

Parametry diod prostowniczych

Parametry diod prostowniczych

Parametry dopuszczalne /t

amb

=25

o

C/

Parametry charakterystyczne

/t

amb

=25

o

C/

przy przy

przy

U

RWM

U

RSM

I

O

I

FSM

t

j

t

t

j

U

F

I

F

I

R

U

R

V V A A

o

C ms

o

C V A µA V

Typ

Zasto-

sowanie

Obudowa

nr rys.

max

max max max -

- max

max - max -

DK 60

1/

24

300

-

0,6

6

-

100

125

1,2

0,6

10

300

DK 61

1/

24

500

-

0,6

6

-

100

125

1,2

0,6

10

500

DK 62

1/

24

700

-

0,6

6

-

100

125

1,2

0,6

10

700

DK 63

1/

24

100

-

0,6

6

-

100

125

1,2

0,6

10

100

BYP 401-50

2/

19

50

-

1

50

25

10

175

1,1

1

5

50

BYP 401-100

2/

19

100

-

1

50

25

10

175

1,1

1

5

100

BYP 401-200

2/

19

200

-

1

50

25

10

175

1,1

1

5

200

BYP 401-400

2/

19

400

-

1

50

25

10

175

1,1

1

5

400

BYP 401-600

2/

19

600

-

1

50

25

10

175

1,1

1

5

600

BYP 401-800

2/

19

800

-

1

50

25

10

175

1,1

1

5

800

BYP 401-1000

2/

19

1000

-

1

50

25

10

175

1,1

1

5

1000

BYP 660-50R

1/

23

50

-

0,6

15

-

10

125

1,0

0,6

10

50

BYP 660-100R

1/

23

100

-

0,6

15

-

10

125

1,0

0,6

10

100

BYP 660-300R

1/

23

300

-

0,6

15

-

10

125

1,0

0,6

10

300

U

RWM

– szczytowe napięcie wsteczne;

U

RSM

– niepowtarzalne szczytowe napięcie

wsteczne;

I

O

– średni prąd wyjściowy;

t

j

– temperatura złącza;

t

– czas przejścia;

U

F

– stałe napięcie przewodzenia;

I

F

– prąd przewodzenia;

I

R

– prąd wsteczny diody;

U

R

– stałe napięcie wsteczne diody.

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

53

Kod barwny na obudowach diod

Kod barwny na obudowach diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

54

Kod barwny na obudowach diod

Kod barwny na obudowach diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

55

Kod barwny na obudowach diod

Kod barwny na obudowach diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

56

Kod barwny na obudowach diod

Kod barwny na obudowach diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

57

Kod barwny na obudowach diod

Kod barwny na obudowach diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

58

Wybrane obudowy diod

Wybrane obudowy diod

DO-35

LLP75-3A

LLP75-3B

MicroMelf

SOD-123

SOT-123

MiniMelf (SOD80)

SOD-323

SOD-523 (SC79)

DO-214AC

DO-41

MelfPlastic

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

59

Wybrane obudowy diod

Wybrane obudowy diod

MelfGlas

SOD-57

SOD-64

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

60

Wybrane obudowy diod

Wybrane obudowy diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

61

Wybrane obudowy diod

Wybrane obudowy diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

62

Wybrane obudowy diod

Wybrane obudowy diod

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

63

Zdejmowanie charakterystyki diody

Zdejmowanie charakterystyki diody

A

R1 = 1K

V

F

I

F

U

Z

U

R

I

A

R1=1K

V

R

U

Z

U

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

64

Przełączania diody

Przełączania diody

A

B

C1

R2 = 3K

R3 = 100

OSC

A

B

GND

0

G

U

V

<

15

CC

U

V

= +

F

I

R

I

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

65

Prostujące działanie diody

Prostujące działanie diody

A

B

C1

R

OSC

A

B

GND

G

1

U

2

U

L

R

D

B

A

R

C1

OSC

A

B

GND

G

1

U

2

U

L

R

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

66

Łącze optyczne bezprzewodowe

Łącze optyczne bezprzewodowe

Ucc = +5V

B

A

R1

OSC

A

B

GND

1

D

2

D

G

G

U

1

D

U

F

I

R

I

2

R

U

G

U

1

2

D

R

U
U

L

2

R

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

67

Analogowa bramka diodowa

Analogowa bramka diodowa

Ucc = +5V

A

B

OSC

A

B

GND

C1

C2

R1

R2

G

1

U

2

U

S

U

L

R

1

2

,

1

10

L

R R

K

R

K

=

=

D

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

68

Cyfrowa bramka diodowa

Cyfrowa bramka diodowa

Ucc = +5V

D1

D2

R=1K

A

V

Z

U

A

U

B

U

1

D

I

2

D

I

F

U

A

B

F

•

F(A,B) = ?

F(A,B) = ?

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

69

Cyfrowa bramka diodowa

Cyfrowa bramka diodowa

D2

D1

V

A

R=1K

Z

U

A

U

B

U

A

B

1

D

I

2

D

I

F

U

F

F(A,B) = ?

F(A,B) = ?

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

70

Konwencje logiczne

Konwencje logiczne

Konwencja

Napięcie zasilania

Dodatnia (+)

Ujemna (-)

Dodatnie (+)

0 ⇒ 0V

1 ⇒ +U

0 ⇒ +U

1 ⇒ 0V

Ujemne (-)

0 ⇒ -U

1 ⇒ 0V

0 ⇒ 0V

1 ⇒ -U

W komputerach II generacji,

W komputerach II generacji,

na tranzystorach

na tranzystorach

PNP

PNP

, np. ODRA 1304 (1968r.)

, np. ODRA 1304 (1968r.)

Obecnie np. TTL:

Obecnie np. TTL:

„0”

„0”

⇒

⇒

(0

(0

–

–

0.4V);

0.4V);

„

„

1

1

”

”

⇒

⇒

(2.4

(2.4

–

–

5.0V).

5.0V).

© K. MURAWSKI, J. TURCZYN