U1	U2	U3	U4	U3-5	l	b	d	Napięcie Halla	Koncentracja	Ruchliwość	Dd [m]
	[V]	[V]	[V]	[V]	[mV]	[mm]	[mm]	[mm]	Uh	n	mi
Ge	-0,16	0,15	0,21	-0,19	4,73	4	1	0,5	22,50	4,00E+17	52,91	5E-05
	[mV]	[mV]	[mV]	[mV]
InSb	1,21	-1,20	-2,02	2,03	4,64	4	1	0,4	-0,41	2,74E+19	0,98
HgCdTe	0,51	-0,51	-0,13	0,14	4,70	4	1	0,01	0,19	2,40E+21	0,44
			Ge	InSb	HgCdTe	B=	0,36	T
Napięcie Halla [mV]			22,50	-0,41	0,19	I=	2,00	mA
Rodzaj przewodnictwa			dziur	elekt	dziur	e=	1,602E-19	C
Koncentracja			4,00E+17	2,74E+19	2,40E+21	DI=	0,000175	A
Ruchliwość			52,91	0,98	0,44	DB=	0,018	T
Dd [mm]			0,05	0,04	0,001	DU=	1E-06	V
Dn [1/m^3]			0,53*10^17	0,53*10^19	0,49*10^21	DI=	0,0004	m
dn			0,13	0,19	0,20	Db=	0,0001	m
Dm [m^2/(Vs)]			1,07	0,21	0,09
dm			0,02	0,21	0,20
dziur - przewodnictwo dziurowe
elekt - przewodnictwo elektronowe