elektronika tranzystor unipolarny


Politechnika Świętokrzyska w Kielcach

Laboratorium elektroniki

Ćwiczenie

nr

1

Temat:

Badanie tranzystora unipolarnego

złączowego.

Zespół:

1)Mularczyk Paweł

2)Stoch Paweł

3)Tomaszewski Andrzej

Data wykonania ćwiczenia:

26.10.1999 r.

Data:

Ocena:

  1. Schemat pomiarowy.

0x08 graphic

  1. Spis przyrządów.

  1. Tabele pomiarowe

dla UDS1=2V

UGS [V]

0

1

1,3

1,66

2

2,4

2,5

2,64

2,7

2,75

2,8

2,86

2,9

ID [mA]

6,2

3,44

2,67

1,82

1,13

0,44

0,3

0,17

0,12

0,09

0,05

0,02

0

dla UDS2=4V

UGS [V]

0

1

1,36

1,6

2

2,4

2,51

2,64

2,7

2,74

2,8

2,85

2,9

ID [mA]

7,4

3,77

2,69

2,04

1,07

0,48

0,32

0,18

0,14

0,1

0,06

0,03

0

dla UGS1=0V

UDS[V]

0,1

0,2

0,32

0,43

0,56

0,68

0,83

0,99

1,15

1,36

1,58

1,87

2,23

2,89

3,57

5,18

6,86

ID [mA]

0,5

1

1,5

2

2,5

3

3,5

4

4,5

5

5,5

6

6,5

7

7,14

7,37

7,52

dla UGS2=1V

UDS [V]

0,17

0,341

0,526

0,76

1,01

1,44

1,67

2,05

3,12

5,73

6,96

ID [mA]

0,53

1,03

1,5

2,03

2,49

3

3,21

3,42

3,66

3,82

3,83

dla UGS3=2V

UDS [V]

0,149

0,205

0,31

0,633

0,89

1,11

1,3

1,767

6,87

15,03

ID [mA]

0,24

0,32

0,46

0,76

0,9

0,97

1

1,05

1,17

1,24

  1. Obliczenia rezystancji drenu, transkonduktancji oraz wzmocnienia napięcia.

0x08 graphic

  1. obliczanie transkonduktancji

ΔID1=0,27mA ΔUGS1=0,24V

gm=1,125*10-3

ΔID2=0,3mA ΔUGS2=0,24V

gm=1,25*10-3

  1. obliczanie rezystancji drenu

ΔID1=0,38mA ΔUD1=3,29V

rd1=8657,9Ω

ΔID2=0,17mA ΔUD2=3,84V

rd2=22588,23Ω

ΔID3=0,12mA ΔUD3=5,57V

rd3=46416,7Ω

  1. obliczenie wzmocnienia napięciowego

- ΔUDS1= UDS2 - UDS1 =2V UGS1=0,315V

kU1=6,34

- ΔUDS2=1,25V ΔUGS2=UGS2 -UGS1=1V

kU2=1,25

kU3= rd * gm =9,74

  1. Wnioski

Celem ćwiczenia było wyznaczenie charakterystyk tranzystora JFET oraz obliczenie jego transkonduktancji, oporu drenu oraz współczynnika wzmocnienia napięcia.

Z charakterystyk ID=ID(UGS) widać, że dla napięcia UGS=0V prąd drenu osiąga maksymalną wartość (dla UD=2V IDSS=6,2mA, zaś dla UD=4V IDSS=7,4mA). W miarę zwiększania napięcia UGS prąd drenu maleje, do momentu gdy osiągnie zero (w obu przypadkach ma to miejsce dla UGS=2,9V).

Z charakterystyk ID=ID(UDS) wynika, że w miarę zwiększania napięcia UDS prąd drenu rośnie. Na początku przyrost prądu względem napięcia jest bardzo gwałtowny, lecz po przekroczeniu pewnej wartości napięcia UDS prąd ID stabilizuje się (dla UGS=0V UDS≈5V, dla UGS=1V UDS≈3V, dla UGS=2V UDS≈1V).

Różne wartości współczynnika wzmocnienia napięcia kU mogą być spowodowane faktem niedokładności odczytu wartości z charakterystyk oraz tym, że dowolnie dobieraliśmy wartości napięcia UGS z przedziału <0;2.9>, przy którym dokonywaliśmy pomiarów prądu.

0x01 graphic

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
sprawozdanie z elektroniki tranzystory unipolarne rtf
tranzystor unipolarny, elektronika, teoria
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
badanie tranzystora unipolarnego
Badanie tranzystorów unipolarnych typu, ˙wiczenie nr 10
laborki z elektry, TRANZYS, II ElektrycznyGrupa ˙wiczeniowa 2
Elektronika- Tranzystor w uk-adzie wzmacniacza.DOC, Wydz. Elektryczny_
Elektronika- Tranzystor w uk-adzie wzmacniacza.DOC, Wydz. Elektryczny_
Cw 7 Tranzystor unipolarny id 1 Nieznany
Tranzystor unipolarny
Elektronika- Tranzystor w uk-adzie wzmacniacza2.DOC, LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI ._
Spraw tranzystor unipolarny
juniewicz,elektrotechnika L, Tranzystor jako element elektroniczny spr
TRANZYSTORY POLOWE REFERAT, Inzynieria Materiałowa, I semestr, Elektrotechnika, elektrotechnika, Tr
Tranzystor polowy, Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny, FET - tranzystor, w którym sterowanie p
Badanie tranzystora unipolarnego
Cw 7 Tranzystor unipolarny

więcej podobnych podstron