Obwody rezonansowe [lab] 1999 11 30


0x01 graphic

Wydział Elektroniki Politechniki Wrocławskiej

Laboratorium Teorii

Obwodów

Wykonał

Krzysztof Krzemiński

Arkadiusz Kuziak

Grupa

9

Ćw. nr

4

Prowadzący

Dr A. Jarząbek

Obwody rezonansowe

Data wykonania

99. 11.30

Data oddania

99.12.07

Dzień wykonania

Wtorek godz. 1515

CEL ĆWICZENIA:

Celem ćwiczenia jest:

W ćwiczeniu należy:

WSTĘP TEORETYCZNY :

Zjawisko rezonansu występuje w obwodach elektrycznych zawierających elementy reaktancyjne LC, zdolne do gromadzenia energii w polu magnetycznym i elektrycznym, gdy energia między tymi elementami jest przekazywana z małymi stratami.

Połączenie w jeden układ pojedynczych elementów LC z rezystorem reprezentującym straty energii umożliwia budowę najprostszych obwodów rezonansowych - szeregowego i równoległego

0x01 graphic

Rys. 1a Rys. 1b Rys. 1c

Własności tych obwodów opisuje się za pomocą dobroci, którą dla obwodów z rys. 1a i 1c można wyznaczyć z zależności

,

dla obwodu z rys. 1b

0x01 graphic

Drugim parametrem charakteryzującym własności rezonansowe wszystkich trzech obwodów jest częstotliwość nazywana rezonansową, opisana wzorem Thomsona

.

Przy tej częstotliwości impedancje obwodów z rys. 1a i b przyjmują ekstremalne wartości, równe odpowiednio Rs ( minimum impedancji układu z rys. 1a ) i Rr ( maksimum impedancji układu z rys. 1b ) , natomiast impedancja układu z rys. 1c osiąga maksymalną wartość, równą w przybliżeniu

0x01 graphic
.

Obwody rezonansowe o większej dobroci Q charakteryzuje węższe pasmo przenoszenia sygnałów oraz bardziej stromo opadające zbocze krzywej rezonansu, a charakterystyka amplitudowa i fazowa takich obwodów zmienia się bardzo gwałtownie w otoczeniu częstotliwości f0 .

W obwodzie szeregowym przy częstotliwości f0 występuje tzw. rezonans napięć, gdyż na elementach reaktancyjnych występuje Q-krotnie większe napięcie niż wartość źródła Eg . Analogicznie w obwodzie równoległym przy częstotliwości f0 prądy w gałęziach z elementami reaktancyjnymi są Q-krotnie większe od prądu źródłowego Ig .

Rzeczywiste źródła pogarszają własności selektywne i zmieniają kształt charakterystyk częstotliwościowych obwodów rezonansowych.

W celu poprawienia własności selektywnych pojedynczego obwodów rezonansowych sprzęga się je za pośrednictwem pola elektrycznego, magnetycznego, łączy galwanicznych bądź też w sposób kombinowany. Obwody sprzężone magnetycznie charakteryzują dobrocie tych obwodów, częstotliwości własne oraz współczynnik sprzężenia

.

Charakterystyka rezonansowa dla 0 k < k1kr = 0,4859*Q -1 jest krzywą jednowierzchołkową, a przy k > k1kr - krzywą dwuwierzchołkową.

Dla k = kgr = 0x01 graphic
powstają dwa oddzielne pasma przenoszenia.

WYKAZ PRZYRZĄDÓW :

SCHEMAT UKŁADU POMIAROWEGO:

0x01 graphic

Rys. 2. Schemat elektryczny obwodu rezonansowego

0x01 graphic

Rys. 3. Schemat zestawu pomiarowego

W skład zestawu pomiarowego wchodzi generator z wobulacją częstotliwości, oscyloskop, sonda w.cz. i układ pomiarowy z dwoma równoległymi obwodami rezonansowymi sprzężonymi magnetycznie. Regulacja sprzężenia w tym ostatnim panelu odbywa się za pośrednictwem kondensatorów o pojemności 5 pF. Dzięki temu zmniejsza się znacznie wpływ tłumiącego działania generatora o małej rezystancji wyjściowej oraz sondy pomiarowej.

PRZEBIEG ĆWICZENIA :

1. Badanie własności pojedynczego obwodu równoległego

a) nietłumiony

Przy rozsuniętych cewkach na maksymalną odległość na ekranie oscyloskopu obserwujemy krzywą rezonansu. Jej rzędna jest proporcjonalna do napięcia na kondensatorze. Z przebiegu krzywej rezonansu określamy:

2f0 = 2,2162 - 2,1842 = 0,032 [MHz]

2f0 = 32 [kHz]

0x01 graphic

Krzywa rezonansowa dla obwodu nietłumionego jest przedstawiona na wykresie 1.

b) tłumionego

Do obwodu rezonansowego dołączamy rezystor tłumiący Rx i obserwujemy krzywą rezonansową, z której określamy:

2f0 = 2,2218 - 2,1843 = 0,0375 [MHz]

2f0 = 37,5 [kHz]

0x01 graphic

Krzywa rezonansowa dla obwodu tłumionego jest przedstawiona na wykresie 2.

c) z kondensatorem o najmniejszej pojemności Cmin = 295 pF

W obwodzie rezonansowym nietłumionym kondensator C (rys.1) ustawiamy tak, aby pojemność wynosiła 295 pF. Obserwując krzywą rezonansową określamy:

2f0 = 2,2937 - 2,2611 = 0,0326 [MHz]

2f0 = 32,6 [kHz]

0x01 graphic

Następnie do obwodu rezonansowego z o najmniejszej pojemności Cmin = 295 pF dołączamy rezystor tłumiący Rx. Obserwując krzywą rezonansową określamy:

2f0 = 2,2965 - 2,2575 = 0,039 [MHz]

2f0 = 39 [kHz]

0x01 graphic

Znając wartość pojemności i częstotliwość rezonansową obwodu, możemy wyznaczyć wartość indukcyjności L korzystając ze wzoru Thomsona:

Czyli

0x01 graphic
.

Podstawiając dane

C = 295 [pF]

f0 = 2,2773 [MHz]

otrzymujemy

0x01 graphic
.

L = 16,556 [H]

Rezystancję tłumiącą Rx wyznaczymy dokonując następujących przekształceń:

Obwodowi rezonansowemu nietłumionemu odpowiada schemat zastępczy z rys. 4, a jego dobroć wyraża się wzorem:

0x01 graphic

gdzie 0x01 graphic
- pulsacja rezonansowa.

Rys. 4.

0x01 graphic

Obwód z rysunku 4 jest równoważny schematowi z rysunku 5, który to schemat charakteryzuje dobroć:

0x01 graphic

Rys. 5.

0x01 graphic

Wyznaczając wartość Rr otrzymujemy:

0x01 graphic
.

Dla obwodu tłumionego mamy schemat zastępczy jak na rys. 6, a dobroć układu wynosi:

0x01 graphic

Rys. 6.

0x01 graphic

Wyliczając z powyższego wzoru Rx oraz uwzględniając wzór na Rr, otrzymamy ostatecznie:

0x01 graphic
,

gdzie: Qn - dobroć obwodu nietłumionego, Qt - dobroć obwodu tłumionego.

Podstawiając dane

L = 16,556 [H]

Qn = 69,85

Qt = 58,39

otrzymamy:

0x01 graphic

0x01 graphic

Rx ≈ 84,309 [k]

2. Badanie właściwości obwodów sprzężonych magnetycznie

a) obwód pierwotny

Przy rozsuniętych cewkach na maksymalną odległość dobieramy tak pojemność kondensatora obwodu wtórnego, aby na ekranie oscyloskopu zaobserwować krzywą rezonansową o maksymalnej wysokości. Z przebiegu krzywej rezonansowej dla obwodu pierwotnego określamy:

2f0 = 2,2162 - 2,1842 = 0,032 [MHz]

2f0 = 32 [kHz]

0x01 graphic

b) obwód wtórny

Przy tych samych warunkach pomiaru obserwujemy krzywą rezonansową obwodu wtórnego. Z niej określamy:

2f0 = 2,2153 - 2,1851 = 0,0302 [MHz]

2f0 = 30,2 [kHz]

0x01 graphic

Na podstawie powyższych danych można obliczyć wartość sprzężenia krytycznego kkr i granicznego kgr oraz szerokość pasma dla tych sprzężeń, korzystając z zależności:

0x01 graphic
, gdy 0x01 graphic

0x01 graphic
, gdy 0x01 graphic

0x01 graphic
, gdy 0x01 graphic

0x01 graphic
, gdy 0x01 graphic

Podstawiając dane

Q1 = 68,75

Q2 = 72,86

f0 = 2,2006 [MHz]

otrzymamy:

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

sprawdzam, ile wynoszą iloczyny kkrQ i kgrQ:

0x01 graphic

0x01 graphic

Otrzymaliśmy dla obu przypadków kQ > 1, zatem szerokość pasma wyliczymy ze wzoru:

0x01 graphic
.

Podstawiając dane, mamy:

0x01 graphic
0x01 graphic

Ostatecznie otrzymaliśmy:

kkr = 0,014143

kgr = 0,034116

2f0kr = 44,014 [kHz]

2f0gr = 96,635[kHz]

3. Obserwacja krzywych charakterystycznych dla sprzężenia krytycznego i granicznego.

a) sprzężenie krytyczne

2f0 = 2,2283 - 2,1804 = 0,0479 [MHz]

2f0 = 47,9 [kHz]

0x01 graphic

b) sprzężenie graniczne

2f0 = 2,2509 - 2,1575 = 0,0934 [MHz]

2f0 = 93,4 [kHz]

0x01 graphic

Krzywe rezonansowe obwodu sprzężonego dla sprzężenia krytycznego i granicznego są przedstawione na wykresach 3 i 4.

WNIOSKI I UWAGI:

Obwody rezonansowe mają zastosowanie w układach selektywnych, których najbardziej typowym przykładem są stopnie wejściowe radiowych urządzeń odbiorczych, w których wymaga się selektywnego odbioru sygnału. Obwód taki ma wtedy charakter rezystancyjny i dla obwodu równoległego prąd wypadkowy jest w fazie z napięciem na rezystorze, zaś prądy na cewce i kondensatorze są w przeciwfazie, przy czym każdy z nich jest prostopadły do prądu wypadkowego (na cewce opóźnia się, na kondensatorze wyprzedza). Celem naszego ćwiczenia był pomiar parametrów obwodów rezonansowych pojedynczych i sprzężonych.

W pkt. 1 ćwiczenia badaliśmy własności pojedynczego równoległego obwodu rezonansowego nietłumionego i tłumionego. Z pomiarów widzimy, że obwód nietłumiony (zarówno przy pierwszym przypadku, jak i przy Cmin) charakteryzuje się większą selektywnością, czyli mniejszą szerokością 3 dB pasma przenoszenia (32,6 kHz przy Cmin) niż obwód tłumiony rezystorem Rx (39 kHz przy Cmin). Decyduje o tym dobroć obwodu i im jest ona większa, tym obwód jest bardziej selektywny, co potwierdzają wyniki, w których dla obwodu nietłumionego Q = 69,85, dla tłumionego Q = 58,39 (dla pomiarów z Cmin). Krzywe rezonansowe dla obwodów bez Rx są przedstawione na wykresie 1 , zaś dla obwodu z Rx na wykresie 2. Z ich obserwacji wnioskujemy, że optymalne dostrojenie obwodu do częstotliwości rezonansowej występuje, gdy maksimum funkcji przenoszenia osiąga największą wartość. Porównując wykresy dla obwodów tłumionych i nietłumionych widzimy, że obwody z Rx charakteryzują się mniejszą wartością maksimum napięcia (mniejsze Q) oraz łagodniejszym spadkiem (większe 2f0), co jest objawem niekorzystnym. Dlatego w praktyce zastępuje się zwykły obwód rezonansowy obwodami rezonansowymi z dzieloną indukcyjnością lub pojemnością, a także, w celu poprawienia własności selektywnych, sprzęga się je za pośrednictwem pola elektrycznego, magnetycznego, łączy galwanicznych bądź też w sposób kombinowany. Własności obwodów sprzężonych magnetycznie badaliśmy w pkt. 2 ćwiczenia.

Porównując obwody rezonansowe tłumione i nietłumione widzimy, że układ tłumiony ma mniejszą dobroć niż układ nietłumiony i w układzie tłumionym zwiększa się pasmo przenoszenia .Czyli obecność Rx (w naszym przypadku obliczona Rx= 84 kΩ) tylko pogarsza Q i 2f0.

W pkt. 2 ćwiczenia badaliśmy własności obwodów sprzężonych magnetycznie, dostrojonych do tej samej częstotliwości rezonansowej f0 = 2,2 MHz, czyli takich, których maksima charakterystyki przenoszenia osiągają największą wartość. Z wartości odczytanych z oscyloskopu widzimy, że dobrocie obu obwodów nie są jednakowe, ponieważ oba ekstrema funkcji przenoszenia nie mają jednakowych wartości, co potwierdzają obliczenia: Q1 = 68,75, Q2 = 72,84. Pasmo przenoszenia obwodu pierwotnego (32 kHz) jest większe niż obwodu wtórnego (30,2 kHz), co potwierdza regułę, że im większa dobroć, tym węższe pasmo przenoszenia. Oznacza to, że obwód pierwotny jest mniej selektywny.

0x08 graphic
0x08 graphic
Zmieniając współczynnik sprzężenia k (w naszym przypadku poprzez zmianę odległości między cewkami) można regulować pasmo przenoszenia obwodu. Dla k < kkr krzywa rezonansowa obwodu ma identyczny kształt jak obwodu pojedynczego. Przy k = kkr = 0,014143 zaczynają się pojawiać dwa maksima funkcji przenoszenia (Rys. 7 i wykres 3), zaś przy k = kgr = 0,034116 jest już wyraźnie widoczne dwa maksima i minimum charakterystyki przenoszenia(wykres 4), przy czym między „wyższym” maksimum a minimum jest różnic 3 dB. Rośnie pasmo przenoszenia w stosunku do sprzężenia krytycznego (wyliczone 2f0kr = 44,014 [kHz], 2f0gr = = 96,635[kHz]). Zaobserwowane charakterystyki dla sprzężenia krytycznego i granicznego przedstawiają wykresy 3 i 4. Szerokości pasm przenoszenia dla tych charakterystyk odczytane z oscyloskopu wynoszą: dla sprzężenia krytycznego 2f0 = 47,9 [kHz], a dla sprzężenia granicznego 2f0 = 93,4 [kHz]. Jak widać na podstawie danych wyliczonych i odczytanych z oscyloskopu szerokości pasm różnią się w nieznacznym stopniu (dla sprzężenia krytycznego o 3.9 kHz, a dla sprzężenia granicznego o 3.2 kHz).Dla sprzężenia większego od granicznego uzyskujemy charakterystykę dwuwierzchołkową, z silnym wytłumieniem f0, czyli tak, jakby posiadał dwa oddzielne pasma przenoszenia (Rys. 8).

Rys. 8. Krzywa rezonansowa dla k > kgr

0x01 graphic
Laboratorium Teorii Obwodów Krzysztof Krzemiński

- 10 -

0x01 graphic

Rys. 7. Krzywa rezonansowa dla k = kkr



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Obwody rezonansowe [lab] 1999 11 30
Pomiar parametrów czwórników [lab] 1999 11 23
Obwody nieliniowe [lab] 1999 04 20
Podstawowe twierdzenia teorii obwodów [lab] 1999 11 09
Obwody rezonansowe [ćw] 1995 11 28
Obwody nieliniowe [lab] 1999 04 20
Obwody rezonansowe [ćw] 1995 12 11
F II wyklad 11 30 04 12
Sprawozdanie6, dc, GPF, Fizyka lab, Ćw. 11
Wzmacniacz rezonansowy, Lab.Wzmacniacz rezonansowy, POLITECHNIKA RADOMSKA
lab 28 11 10
Prez 13 11 30
Prez 26 11 30
Maszyny i urządzenia LAB TP 11,15
2001 11 30
2012.11.30 Biologia molekularna konspekt bloku 3, Lekarski I rok ŚUM, biologia, biologia egzamin, bi
lab 28 11 10

więcej podobnych podstron