Badanie bramek NAND TTL doc


POLITECHNIKA POZNAŃSKA FILIA W GNIEŹNIE

LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW

Nr ćwiczenia:

Data wykonania ćwiczenia:

Data oddania sprawozdania:

Ocena:

Tytuł / treść ćwiczenia: Badanie bramek NAND TTL

Wykonawcy:

Grupa:

6

Semestr:

3

1. Zdjąć charakterystyki przejścia bramki TTL Uwy = f(Uwe) dla obciążenia N = 0,10 ( N - ilość bramek dołączonych równolegle.)

0x01 graphic

W celu realizacji ćwiczenia wykonaliśmy pomiary napięć dla obciążeń N=0 i N=10 i umięściliśmy w tabeli, oraz wykonaliśmy wykres zależności Uwy = f(Uwe)

Uwe [V]

Uwy [V] N=0

Uwy [V] N=10

0.0

2.85

2.85

0.2

2.85

2.85

0.4

2.85

2.85

0.6

2.70

2.70

0.8

2.40

2.40

1.0

2.12

2.12

1.2

1.12

1.28

1.4

0.01

0.10

1.6

0.00

0.10

1.8

0.00

0.10

2.0

0.00

0.10

Wnioski: Dla napięcia wejściowego od 1.2 V obciążenie bramki 10 innymi bramkami powoduje zwiększenie napięcia wyjściowego w porównaniu z napięciem wejściowym, gdy bramka nie jest wcale obciążona.

2. Wyliczyć jaki jest średni czas propagacji dla bramki TTL i bramki MOS

tpœr = (t1 - t2) * 2k

t1 - czas propagacji przy zboczu dodatnim

t2 - czas propagacji przy zboczu ujemnym

k - ilość bramek połączonych szeregowo

a) redni czas propagacji dla bramki TTL

k = 20

1 cm = 20 ns

t1 = 6.5 cm * 20 ns/cm = 130 ns

t2 = 6.5 cm * 20 ns/cm = 130 ns

tpśr = (130 + 130) * (2 * 20) = 6.5 ns

b) redni czas propagacji dla bramki MOS

k = 10

1 cm = 20 ns

t1 = 5.1 cm * 20 ns/cm = 108 ns

t2 = 7.4 cm * 20 ns/cm = 148 ns

tpśr = (108 + 148) * (2 * 10) = 12.8 ns

c) Wnioski:

Porównując średni czas propagacji bramki TTL i MOS dowiadujemy się, że bramki TTL są dwukrotnie szybsze od bramek MOS

3. Zaobserwować zależność prądu wejściowego bramki od stanu wejścia badanego i stanu wejścia pozostałych.

a) układ

0x01 graphic

b) tabela zależności

P4 / K

P5 / L

I

„0”

„1”

-

„0”

0.875 mA

0.875 mA

0130 mA

„1”

„1”

-

„0”

4.2 uA

4.2 uA

5.4 uA

c) wnioski:

Jeśli na K jest stan „0”, a na L stan „1” wówczas płynie prąd 0.875 mA. Taki sam prąd płynie przy L „-”.

Dla stanu K i L wynoszących „0” prąd dzieli się na wszystkie wejścia i dlatego na wyjściu jest mały prąd rzędu 0.13 mA.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie bramek TTL id 76858 Nieznany (2)
badanie bramki NAND CMOS, -1-
Pomiary wielkosci elektrycznych Badanie bramek logicznych id 37
Badanie bramek logicznych, Z
Badanie bramki NAND, BRAMKAnand, RADOM
Badanie bramek logicznych, Z
Badanie bramki NAND, BRAMKAnand, RADOM
Badanie bramki NAND Bramki
Badanie funktorów logicznych TTL
Badanie instalacji niskiego napięcia.DOC, POLITECHNIKA LUBELSKA w Lublinie
Badanie bramki NAND, 1Bramka~1, RADOM
Badanie bramki NAND, Sprawozdanie
Badanie rezonansu prądów i napięć 1 DOC
Badanie licznika indukcyjnego jednofazowego 1 doc

więcej podobnych podstron