POLITECHNIKA RADOMSKA WYDZ. TRANSPORT		LABORATORIUM ELEKTRONIKI			Data:
			Grupa:	Zespół:	Rok akademicki:
Nr ćwiczenia: 3	Temat: BRAMKA NAND

1. Charakterystyka statyczna bramki nand.

Lp	Uwe	Uwy	Izaś	Iwyj	R
	V	V	mA	mA	Ω
1	0,03	3,38	6,2	0,58	0
2	0,31	3,38	6,2	0,54	10
3	0,55	3,35	6,2	0,5	20
4	0,76	3,19	6,3	0,46	30
5	0,96	3,04	6,4	0,42	40
6	1,13	2,84	6,5	0,38	50
7	1,3	2,4	6,8	0,35	60
8	1,32	2,28	7	0,34	62
9	1,35	2,11	7,6	0,34	64
10	1,37	1,99	8,18	0,33	65
11	1,8	1,86	8,8	0,32	66
12	1,4	1,7	9,6	0,318	67
13	1,41	1,57	12	0,32	68
14	1,43	1,09	15	0,31	70
15	1,44	0,84	16	0,3	71
16	1,45	0,59	18	0,29	72
17	1,47	0,31	20	0,28	73
18	1,48	0,16	16	0,26	74
19	1,5	0,04	10	0,19	75

2.Oscylogramy charakterystyk przejściowych.

A.

Uwe=2,51V

Uwy=2V

B.

Uwe=2,37V

Uwy=3,22V

C.

Uwy=3,16V

Npięcie załączenia = 2,4V

Napięcie wyłączenia = 1,07V

3. Pomiar czasu propagacji.

TTL	TTLLS	HCT	CMOS(C405V)
125,5ns	97.ns	96,5ns	0429ms
11,409ns	8,818ns	8,772ns	0,039ms

Wnioski:

W układach logicznych wykorzystuje się dwa poziomy napięcia, które określają stan logiczny układu odpowiadający cyfrom 0 lub 1. W praktyce określa się dwa pola tolerancji, wewnątrz których powinien znajdować się poziom odwzorowujący stan niski lub wysoki.

W pierwszej tabeli znajduje się pomiar 11 który nie został uwzględniony w charakterystykach ponieważ zawierał błąd gruby.

W przeprowadzonym ćwiczeniu z wykresu charakterystyk statycznych wynika że przy napięciu około 1.4 V występują szybkie zmiany napięć i prądów oraz następuje przejście ze stanu niskiego w stan wysoki lub odwrotnie. Stanowi temu towarzyszy gwałtowny wzrost poboru prądu zasilania.

Średni czas propagacji t_p jest to średnia arytmetyczna czasów opóźnień zboczy sygnału wyjściowego względem sygnału wejściowego. Zależy on od technologii wykonania układu.