Charakterystyki wyjściowe tranzystora MOS wzbogacanego
ID = f(UDS)
UGS = const.
ID [mA]
UGS = -7V
zakres nasycenia
zakres
liniowy
UGS = -6V
UGS = -5V
UGS = - 4V
UDsat
0 UGS=UT - UDS [V]
Rodzina charakterystyk wyjściowych tranzystora MOS
z kanałem wzbogacanym typu p.
ìÅ‚UDS ìÅ‚ = ìÅ‚UDsat ìÅ‚
ìÅ‚UGS ìÅ‚ > ìÅ‚UT ìÅ‚
UGS
+ -
G D
S
p+
p+
-
kanał typu  p
UDS
warstwa zubo\
ona
+
Si(n)
B
Przekrój tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym typu p
w warunkach normalnej polaryzacji dla napięcia UDS = UDsat.