T Y R Y S T O R Y - rodzaje NIE W PEŁNI STEROWALNE
W PEŁNI STEROWALNE
BIPOLARNE JEDNOKIERUNKOWE
BIPOLARNE GTO
(triodowy, blokuj cy
wył czalny za pomoc
SCR - wstecznie), krzemowy GTO - bramki
prostownik sterowany
(Gate turn off thyristor) ASCR - " - " asymetryczny AGTO - " - " asymetryczny RCT - wstecznie przewodz cy RCGTO - wstecznie przewodz cy tyrystor
GATT - wył czany ze pomaganiem RBGTO - wstecznie blokuj cy bramkowym
LASCR- wiatłoczuły, blokuj cy AGGTO - z bramk dynamiczn wstecznie
LASCS - wiatłoczuły, blokuj cy TILGTO - Two Interdigitation Lovels (4 ko c.)
SCS - blokuj cy wstecznie IGCT - Komutowany tyrystor z (4 ko c.), binistor
bramk zintegrowan
ZTO - Zero turn - off thyristor (brak wył czenia
bramkowego)
BIPOLARNE DWUKIERUNKOWE
KOMBINOWANE
TRIAC - sterowany
MTO - wył czany za pomoc dwukierunkowo
bramki MOS
TS - sterowany jednokierun-MCT - sterowany za pomoc kowo (symistor)
tranzystora MOSFET
BCT - sterowany dwukierun-
(MCT) EST - przeł czany emiterem kowo tyr. podwójny
(MCT) DMT -
IGTT - wył czalny z izolowan FCTh - sterowany polem
bramk
elektrostatycznym
IGT - z izolowan bramk SITh - indukcyjny
S-W1-2. J. Piłaci ski: Podstawy energoelektroniki - materiały do wykładu
T Y R Y S T O R Y S C R - charakterystyka, zastosowanie TYRYSTOR
IT(AV)M URRM
tq
(di/dt)crit (du/dt)crit UTM
[µs]
[A/µs]
[V/µs]
[V]
PRZEKSZTAŁTNIKOWE,
SIECIOWE
- komutacja sieciowa
- f = 50 - 500 Hz
kilka A
50V
50-200
500
1000
1,52,6
- du e rozmiary struktur 4 kA
5 kV
300-400
- konstrukcja z bramk wzm. i zwartym emiterem
SZYBKIE,
FALOWNIKOWE,
IMPULSOWE,
KOMUTACYJNE
- komutacja wymuszona
kilka A
2,2 kV
5-50
100-800
1000-
1,4-2,2
(pojemno ciowa)
1,5 kA
2000
- falowniki, choppery
- mniejsze gabaryty
- krótsze
- forsowanie wysterowania GATT (20-100 kHz)
WYSOKONAPI CIOWE
- eliminacja poł cze równol.
2,5...
500...
- gruba struktura
- wolne
5 kV
-700
2000
WIRNIKOWE
- odporna konstrukcja
mechaniczna na przysp.
- gorsza obci alno ze
wzgl du na złe chłodzenie
- parametry przeci tne
TRAKCYJNE
- parametry i konstrukcja dostosowane do konkretnego nap du trakcyjnego
- du e serie
S-W1-2. J. Piłaci ski: Podstawy energoelektroniki - materiały do wykładu
D I O D Y - k l a s y f i k a c j a Typ / zastosowanie
IF(AV)M[A]
URRM[V]
trr[µs]
SIECIOWE
3000
2500
5
PROSTOWNICZE
950
4500
9,5
(p-n)
max 7000
max 6000
SZYBKIE
1500
2500
2
300
1200
0,5
600
0,2
FRED
200
0,05
SCHOTTKY’ego (PIN)
max 200
70
< 0,05
- unipolarna (równoległe poł czenie diody pin i
Schottky'ego,
- fs = (10 - 100)kHz
SPIN
70
200
0,03
LAWINOWE
- zwi kszona odporno
max ≤ 2500
max ~ 5000
na krótkotrwały przep-
ływ pr du wstecznego,
zast. w zabezpieczeniach przepi ciowych
T R A N Z Y S T O R Y - k l a s y f i k a c j a Typ
ICM[A]
UCE[V]
trr[µs]
BJT
Bipolar Junction Transistor Darlington
MOSFET
Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor
Power JFET
Power Junction Field Efect Transistor IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor SIT
Static Induction Transistor FCT
Field Controlled Transistor S-W1-2. J. Piłaci ski: Podstawy energoelektroniki - materiały do wykładu