Częstotliwości graniczne tranzystora Wzrost częstotliwości sygnału zmiennego powoduje zmiany małosygnałowych parametrów tranzystora. Współczynnik wzmocnienia prądowego przyjmuje wartość zespoloną. Ze wzrostem częstotliwości, przy określonej amplitudzie prądu wejściowego, maleje amplituda prądu wyjściowego w stosunku do swojej wartości przy małej częstotliwości. Występuje równie\ opóznienie zmian prądu wyjściowego względem zmian prądu wejściowego. Reasumując: sygnał wyjściowy jest zmniejszony i opózniony w stosunku do sygnału wejściowego. Przyczynami tych zjawisk są: konieczność ładowania pojemności złączowych (złącz E-B i C-B) w określonym czasie oraz skończony czas przelotu nośników przez obszar bazy. Zmiany napięcia na złączu E-B powodują zmiany rozkładów koncentracji nośników mniejszościowych w bazie. Przy wzroście częstotliwości rozkłady koncentracji nośników w bazie nie nadą\ają za zmianami napięć na złączu emiterowym. ćłh21bćł 0,707 h21b0 0 f fą Przebieg modułu współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora w układzie OB w funkcji częstotliwości (skala logarytmiczna) h21b0 wzmocnienie prądowe dla małych częstotliwości f H" 0. fą jest to częstotliwość, przy której moduł zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego w układzie OB maleje o 3 dB.