elektroenergetykacykl1, Instrukcja Ogniwo PV, BADANIE MODUŁU SŁONECZNEGO


BADANIE MODUŁU SŁONECZNEGO

  1. Wstęp teoretyczny

Systemy fotowoltaiczne przetwarzają promieniowanie słoneczne bezpośrednio w energię elektryczną.

Podstawą tej technologii są materiały półprzewodnikowe takie jak krzem. Typowe ogniwo słoneczne składa się z dwóch różnie domieszkowanych półprzewodników. Domieszkowanie jest to kontrolowane wprowadzanie zanieczyszczeń do materiału bazowego. W przypadku czystego kryształu półprzewodnika (np. krzemu) zastępuje się niektóre atomy w siatce krystalicznej pierwiastkami mającymi o jeden elektron walencyjny więcej lub o jeden elektron walencyjny mniej niż materiał podstawowy (elektrony walencyjne określają zachowanie chemiczne materiału, są one umiejscowione na zewnętrznej powłoce elektronowej atomu). Pierwiastki półprzewodzące mają cztery elektrony walencyjne z których wszystkie są wykorzystane w wiązaniach w siatce krystalicznej.

Jeśli materiał domieszki ma pięć elektronów walencyjnych, jeden z nich będzie dodatkowym, słabo związanym z atomem domieszkującym. „Wolne„ elektrony mogą poruszać się łatwo w siatce i są odpowiedzialne za zwiększenie przewodności. Ponieważ mają one ładunek ujemny, materiał domieszkowany w ten sposób jest nazywany półprzewodnikiem typu „n”.

Jeśli z kolei materiał domieszkujący ma tylko trzy elektrony walencyjne, siatka krystaliczna będzie miała niedomiar elektronów to znaczy będzie miała jedna „dziurę” (ładunek dodatni) na atom domieszki. Podobnie do powyższych wolnych elektronów dziury mogą się łatwo przemieszczać w siatce zwiększając ponownie przewodność. Ponieważ w tym przypadku wolne ładunki są dodatnie, ten rodzaj półprzewodnika jest nazywany półprzewodnikiem typu „p”.

Jeśli półprzewodnik typu n zostanie połączony z półprzewodnikiem typu p, powstaje złącze p-n. Różnice koncentracji dziur i wolnych elektronów pomiędzy rejonami n i p, powodują powstanie prądu dyfuzyjnego: elektrony przepływają z obszaru n do obszaru p i wypełniają dziury. To tworzy region który jest prawie pozbawiony wolnych nośników ładunku i dlatego jest nazywany warstwa zubożoną.

W warstwie zubożonej po stronie n jest dodatni ładunek netto, a po stronie p ujemny co powoduje powstanie pola elektrycznego zapobiegającego dalszemu przepływowi elektronów. Im więcej elektronów przepłynie ze strony n na stronę p tym silniejsze jest to pole. Prowadzi to do ustalenia się stanu równowagi w którym przepływ elektronów ustaje. Różnica potencjałów w polu równowagowym jest nazywana napięciem dyfuzji. To napięcie nie może być wykorzystane w zewnętrznym obwodzie. Jednakże gdy światło pada na ogniwo słoneczne, równowaga zostaje zaburzona i tak zwany wewnętrzny efekt fotowoltaiczny powoduje powstanie dodatkowych nośników ładunku mogących poruszać się w polu elektrycznym warstwy zubożonej.

Dziury poruszają się w kierunku regionu p a elektrony w kierunku n, powodując powstanie zewnętrznego napięcia (biegu jałowego) ogniwa. Napięcie biegu jałowego ogniwa słonecznego zależy od materiału a nie od jego powierzchni. Fotoogniwa krzemowe mają napięcie biegu jałowego około 0,5 V. Większe napięcia można uzyskać łącząc ogniwa szeregowo.

0x01 graphic

Rys.1.1 Budowa ogniwa słonecznego

Prąd dostarczany przez fotoogniwo zależy od natężenia światła padającego na nie. Równoległe łączenie ogniw pozwala na uzyskanie większego prądu. Moc ogniwa zależy nie tylko od samego ogniwa ale również od przyłączonego obciążenia elektrycznego. Punkt mocy maksymalnej można określić z charakterystyki napięciowo-prądowej ogniwa.

  1. Sprawność ogniwa słonecznego

Sprawność ogniwa słonecznego jest stosunkiem maksymalnej mocy elektrycznej Pel, wydzielonej na obciążeniu, do padającej mocy promieniowania Prad:

0x01 graphic

Z powyższego równania wynika, że dla uzyskania maksymalnej sprawności zasadnicze znaczenie ma osiągnięcie maksymalnej mocy elektrycznej w danych warunkach oświetleniowych, co wymaga rozwiązania szeregu problemów. Na rysunku 2.1 przedstawiono rozkład widmowy promieniowania Słońca (T = 5800 K). Jak łatwo się przekonać, górnej granicy przerwy energetycznej w krzemie Eg = 1,12 eV odpowiada długość fali λg = 1100 nm. Zatem wszystkie fotony widma słonecznego o energii E < Eg mają zbyt małą energię aby wykreować w złączu parę elektron-dziura. Oznacza to, że ok. 23% energii fotonów widma nie ma wpływu na sprawność η. Należy podkreślić, że w przypadku materiałów o szerszej przerwie energetycznej Eg sytuacja jest jeszcze mniej korzystna. Jak już wspomniano, jedynie fotony o energii E > Eg produkują pary elektron - dziura o energii E. Nadwyżka energii E Eg tracona jest w półprzewodniku na ciepło co oznacza, ze jedynie energia Eg zamieniana jest na energię elektryczną. Obydwa efekty prowadzą do wykorzystania jedynie 44% energii fotonów widma, co jest górną, „teoretyczną” granicą sprawności.

Na rysunku 2.2 porównano charakterystyki prądowo - napięciowe ogniw, wykonanych z arsenku galu GaAs (Eg = 1,41 eV) oraz krzemu, badanych w tych samych warunkach. Jak wynika z rysunku, materiał o szerszej przerwie energetycznej wytwarza niższe napięcie w obwodzie otwartym Uoc (większy jest prąd zwarcia Is). Materiał o mniejszej Eg (absorbujący większą część padającego widma — por. rys. 2.12) wytwarza wyższe Uoc (mniejszy prąd Is).

0x01 graphic

Rysunek 2.1 Widmo emisyjne Słońca (przybliżone krzywą promieniowania ciała

doskonale czarnego) w funkcji energii fotonow z zaznaczoną wartością przerwy

energetycznej Si

0x01 graphic

Rysunek 2.2 Porównanie charakterystyk ogniw słonecznych wykonanych z arsenku

galu GaAs i krzemu Si

Ponieważ droga dyfuzji nośników w krzemie jest większa niż w arsenku galu, w krzemie zbiera się więcej generowanych światłem nośników. Analizując położenie MPP można wykazać, że bardziej „prostokątny” przebieg charakterystyki oznacza większą sprawność ogniwa. Widmo słoneczne ogranicza zatem grupę materiałów możliwych do zastosowania w ogniwach. Przy projektowaniu ogniw słonecznych konieczna jest optymalizacja czułości widmowej materiału. Z kolei, aby wychwycić nośniki generowane na oświetlonej powierzchni przez fotony nie wnikające w głąb materiału (hν >> Eg), warstwa wierzchnia ogniwa musi być — jak wspomniano na wstępie — bardzo cienka. Im cieńsza jest warstwa, przez którą dyfundują nośniki, tym większy jest opór wewnętrzny ogniwa. Konieczny jest więc rozważny kompromis pomiędzy wysoką sprawnością wychwytywania a małym oporem wewnętrznym. Straty promieniowania wskutek odbić są zazwyczaj ograniczone poprzez zastosowanie powłok antyodbiciowych. Z powyższych względów przykładowe, realne sprawności ogniw słonecznych osiągają następujące wartości:

— krzem monokrystaliczny: ok. 14 - 16%;

— krzem polikrystaliczny: ok. 13 - 15%;

— krzem amorficzny: ok. 5 - 7%;

— monokrystaliczny arsenek galu: ok. 11%.[2]

  1. Wyznaczenie sprawności i punktu mocy maksymalnej MPP

Aby wyznaczyć sprawność modułu słonecznego musimy znać wartość mocy promieniowania słonecznego padającego na moduł Pin i jego moc elektryczną.

Sprawność można wyznaczyć ze wzoru

0x01 graphic

Przykład:

Producent podał wartość maksymalną prądu zwarcia fotoogniwa dla mocy promieniowania 1000 W/m2; Iscmax = 350 mA. Wymiary ogniwa: 25mm x 50mm, zmierzona moc elektryczna Pel = 0,311W

0x01 graphic

Dla wyznaczenia mocy promieniowania padającego na moduł, należy pomnożyć zmierzony prąd zwarcia Isc przez współczynnik F i powierzchnię modułu S.

np. zmierzony prąd zwarcia Isc = 180mA:

0x01 graphic

0x01 graphic

Wyznaczanie MPP

Punktem maksymalnej mocy (MPP) jest maximum krzywej mocy P = f(U) rys3.1. MPP może być również wyznaczony z charakterystyki prądowo-napięciowej jako prostokąt o maksymalnym polu powierzchni oparty na osiach współrzędnych i wierzchołku należącym do krzywej rys.3.2. Rezystancję optymalną Ropt w punkcie MPP określa wzór

0x01 graphic

0x01 graphic

Rys.3.1 Krzywa mocy ogniwa

0x01 graphic

Rys.3.2 Charakterystyka prądowo-napięciowa modułu słonecznego

Dla charakterystyki I = f(U) definiowany jest współczynnik wypełnienia FF - współczynnik wypełnienia (ang. Fill Factor), który ma postać 0x01 graphic
i osiąga jedność gdy krzywa I = f(U) zbliża się kształtem do prostokąta o bokach Uoc i Isc.

  1. Schemat układu pomiarowego

0x01 graphic

Rys.4.1 Schemat układu pomiarowego

  1. Przebieg ćwiczenia

Przed przystąpieniem do pomiarów należy zapisać dane znamionowe badanego ogniwa

    1. Wyznaczanie charakterystyki prądowo napięciowej

Tabela pomiarów

U[V]

0

I[mA]

0

    1. Wyznaczanie krzywej mocy ogniwa

Tabela obliczeń

U[V]

0

P[W]

0

0

    1. Wyznaczanie rezystancji optymalnej

Tabela obliczeń

P[W]

0

0

R[Ω]

0

  1. Wyznaczenie mocy ogniwa w funkcji kąta padania

Tabela pomiarów i obliczeń

α[˚]

U[V]

I[A]

P[W]

  1. Wzory

0x01 graphic

Pmax = PMPP - maksymalna moc ogniwa [W] (ang. MPP - Maximum Power Point)

E - natężenie promieniowania słonecznego [W/m2]

S- powierzchnia badanego modułu [m2]

FF - współczynnik wypełnienia (ang. Fill Factor)

UOC - napięcie ogniwa otwartego, nieobciążonego (ang. Open-Circuit Voltage) [V]

ISC - prąd zwarciowy (ang. Short-Circuit Current) [A]

JSC -gęstość prądu zwarcia [A/m2]

F - współczynnik zależny od wartości maksymalnej prądu zwarcia ogniwa

0x01 graphic
ISCmax - maksymalny prąd zwarcia podany przez producenta

0x01 graphic

0x01 graphic

  1. Sprawozdanie

Sprawozdanie powinno zawierać:

  1. Literatura

  1. Sarniak M. - Podstawy fotowoltaiki - Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej 2008

  2. Piotr Grygiel i Henryk Sodolski - Laboratorium Konwersji Energii - Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej, Politechnika Gdańska 2006

  3. Ewa Klugmann-Radziemska - Fotowoltaika w teorii i praktyce - Wydawnictwo BTC Legionowo 2010

1



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
pobrane~, Instrukcja Ogniwo PV
pobrane~ Instrukcja Ogniwo PV
Badanie właściwości połączeń źródeł napięcia stałego, Elektrotechnika, Instrukcje I
Badanie jednofazowego licznika, Elektrotechnika, Instrukcje I
Inżynieria elektryczna w transporcie, instr Badanie ogniwa slonecznego kat 1
Pomiary wielkości elektrycznych Instrukcja do ćw 07 Badanie wzmacniacza operacyjnego pracującego w
Pomiary wielkości elektrycznych Instrukcja do ćw 06 Badanie tranzystora – parametry statyczne
Pomiary wielkości elektrycznych Instrukcja do ćw 09 Badanie bramek logicznych
Pomiary wielkości elektrycznych Instrukcja do ćw 05 Badanie diody – charakterystyka prądowo napięc
8 elektrolity instrukcja
Pomiary prądów i napięć w rozgałęzionym obwodzie elektrycznym, Elektrotechnika, Instrukcje I
Elektronarzędzia, Instrukcje-Bezpiecznej Pracy
INSTRUKCJA BHP DOTYCZĄCA SERWISU ELEKTRONICZNEGO, instrukcje BHP
pomoc przedlekarska osobom porażonym prądem elektrycznym, Instrukcje word
Elektryk, Instrukcje-Bezpiecznej Pracy
Instrukcja bezpiecznej eksploatacji urządzeń i instalacji elektroenergetycznych(3), Instrukcje BHP i

więcej podobnych podstron