pp test zima 05 air boratynski, Polibudos, 1rok, półprzewody


Test: I kolokwium, semestr zimowy 2005,

Fizyka półprzewodników półprzewodników przyrządy półprzewodnikowe ETD3082W

Kierunek: Automatyka i Robotyka (eka)

dr inż. Bogusław Boratyński

??? - oznacza, że nie wiem co za wyraz stał w tym miejscu

(?) - oznacza, że nie jestem dokońca pewien że słowo przed (?) jest słowem które tam było

  1. Model zastępczy Ebers'a Moll'a dla prądu stałego składa się z:

    1. Pojemności i rezystancji

    2. Diód i źródeł napięciowych

    3. Diód i źródeł prądowych

    4. Diód i pojemności

  2. Tranzystor w układzie wspólnej bazy ma wzmocnienie prądowe:

    1. Zwykle większe od 1

    2. Dokładnie równe 1

    3. Trochę mniejsze niż 1

    4. Zawsze mniejsze niż 0,9

  3. Napięcie UCE na wyjściu tranzystora krzemowego w stanie nasycenia wynosi około:

    1. 20 V

    2. 0,2 V

    3. 1,4V

    4. 16 V

  4. Parametr małosygnałowy, transkonduktancja - gm dla układu WB podaje zależność pomiędzy:

    1. Napięciem UCB i napięciem UCE

    2. Napięciem UCB i prądem kolektora

    3. Napięciem UCE i prądem bazy

    4. Napięciem UEB i prądem kolektora

  5. Opóźnienie w przełączaniu tranzystora powoduje ładunek:

    1. Nośników mniejszościowych w bazie

    2. n większościowych w bazie

    3. n większościowych w złączu EB

    4. n mniejszościowych w złączu EB

  6. Parametr małosygnałowy h22 tranzystora to inaczej:

    1. Rezystancja wejściowa

    2. Konduktancja wejściowa

    3. Rezystancja wyjściowa

    4. Konduktancja wyjściowa

  7. Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie wspólny emiter przedstawia zależność:

    1. IC = f(UCB) dla IE = const

    2. IC = f(IE) dla IB = const

    3. IC = f(UCE) dla IB = const

    4. IC = f(IB) dla IE = const

  8. Tranzystory polowe wykazują zależność prądu drenu od napięcia bramka-źródło:

    1. Liniową

    2. Eksponencjalną

    3. Kwadratową

    4. Logarytmiczną

  9. Tranzystor JFET można wykorzystać (oprócz wzmacniacza) jako:

    1. Sterowaną diodę

    2. Regulowany rezystor

    3. Prostownik

    4. Element świecący

  10. Tranzystor MOSFET z kanałem wzbogaconym typu n wymaga polaryzacji:

    1. UDS > 0 UGS < 0

    2. UDS < 0 UGS < 0

    3. UDS > 0 UGS > 0

    4. UDS < 0 UGS > 0

  11. Rezystancja wejściowa tranzystora MOSFET jest:

    1. Mniejsza niż JFETa

    2. Większa niż JFETa

    3. Jak bipolarny układ WB

    4. Jak bipolarny układ WO

  12. Monolityczny bipolarny układ scalony ma budowę optymalną dla efektywnej pracy:

    1. Tranzystora pnp

    2. Tranzystora npn

    3. Tranzystora JFET kanał p

    4. Tranzystora JFET kanał n

  13. Standardowe napięcia układów TTL: U zasilania, UL w stanie niskim, UR w stanie wysokim wynoszą odpowiednio:

    1. 5V, 0V, 2,4V

    2. 3,5V, 0,2V, 2,4V,

    3. 5V, 0,2V 3,5V

    4. 7V, 0V, 3,5V

  14. tych 4 pytań narazie nie jestem w stanie sobie „przypomnieć” :/

  15. Przepływ prądu w kierunku przewodzenia w złączu p-n jest wynikiem:

    1. ??? nośników

    2. unoszenia nośników

    3. dyfuzji nośników większościowcyh

    4. generacji nośników

  16. Zmiana napięcia z 9,58V na 9,62V na diodzie Si przewodzącej stały prąd 1mA mogła wystąpić(?) pod wpływem:

    1. obniżenia temperatury o 40°C

    2. obniżenie temperatury o 20°C

    3. wzrostu temperatury o 40°C

    4. wzrostu temperatury o 20°C

  17. Właściwie(?) pracująca dioda waraktorowa(?) (pojemnościowa):

    1. Jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia i ma dużą pojemność złączową

    2. Jest spolaryzowana w kierunku zaporowym i wykazuje pojemność złączową

    3. Jest spolaryzowany w kierunku zaporowym i wykazuje pojemność dyfuzyjną

    4. Jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia i przewodzi duży prąd

  18. Model zastępczy diody, słuszny dla małych sygnałów w.cz. składa się z:

    1. Rezystancji i pojemności

    2. Samych rezystancji

    3. Rezystancji i indukcyjności

    4. Samych pojemności

  19. W ogniwie słonecznym siła elektromotoryczna [SEM](?) będzie miała najwyższą wartość wówczas gdy:

    1. Ogniwo wykonane jest z Si i jest silnie oświetlane

    2. Ogniwo wykonane jest z Si i jest słabo oświetlane

    3. Ogniwo wykonane jest z GaAs i jest silnie oświetlane

    4. Ogniwo wykonane jest z GaAs i jes słabo oświetllane

  20. Halotrony to przyrządy, w których sygnałem mierzonym na wyjściu czujnika jest:

    1. Temperatura

    2. Naprężenia(?)

    3. Pole magnetyczne

    4. Napięcie

  21. Układ inwertora CMOS zbudowany jest z:

    1. 2 tranzystory MOSFET z kanałem zubożanym

    2. 2 tranzystory MOSFET z kanałem wzbogacanym

    3. 1 tranzystor kanał wzbogacany + 1 tranzystor kanał zubażony

    4. dowolna kombinacja

  22. Moc bierna(?) w układach COMS:

    1. Nie zależy od częstotliwości (f) pracy

    2. Rośnie liniowo z f

    3. Rośnie z kwadratem(?) f

    4. Maleje liniowo z f



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
pp test zima 05 air boratynski, Studia - Mechatronika PWR, Elementy i układy elektroniczne (Bogusław
pp test zima 05 air panek+ohly, Polibudos, 1rok, półprzewody
pp test odp zima 05 air boratyn Nieznany
pp test odp zima 05 air boratyn Nieznany
pp test zima air boratynski
POLPRZEWODY TEST, Polibudos, 1rok, półprzewody
pp-poprawiony2, Polibudos, 1rok, półprzewody
Połprzewody, Polibudos, 1rok, półprzewody
polprzewody+kolo, Polibudos, 1rok, półprzewody
Półprzewodniki - przerwy energetyczne, Polibudos, 1rok, półprzewody
Półprzewodniki, Polibudos, 1rok, półprzewody
dla Was, Polibudos, 1rok, półprzewody
wstępne informacje- charakterystyki przebicie i inne123-lab, Polibudos, 1rok, półprzewody

więcej podobnych podstron