1>> Czego dotyczy zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne ?

Polega na tym, że foton uwalnia parę elektron-dziura. Musi zajść warunek, że foton dostarczy energie minimalna, dzięki której elektron z pasma walencyjnego będzie mógł przeskoczyć przerwę zabroniona i przejść do pasma przewodnictwa. W ten sposób pod wpływem oświetlenia następuje wzrost koncentracji nośników ładunku w PP i wzrost konduktywności, co opisuje pewien wzór.

2>> Co to jest h 21?

h21 - zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego

3>> Co to jest h 12?

h12 - współczynnik napięciowego oddziaływania wstecznego.

4>> Co to jest h11?

h11 - rezystancja wejściowa

5>> Co to jest h 22?

h22 - kondunktancja (rezystancja) wyjściowa.

Kondunktancja jest odwrotnością rezystancji (1/R).

6>> Co to są dziury?

Dziury są to wyimaginowane dodatnie nośniki ładunku, powstałe w skutek przejścia elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa. W paśmie walencyjnym powstaje wtedy luka, nazwana `dziura', która dla zachowania stanu równowagi, przyjmuje się, ze posiada ładunek dodatni. Ruch dziury jest pozorny! (Jak krzesła w teatrze).

7>> Co się składa na model Ebersa Molla?

Model ten składa się z diod i źródeł prądowych.

Zawiera on dwie diody idealne o prądach wstecznych połączone szeregowo przeciw sobie oraz dwa zależne od siebie źródła prądu sterowane prądowo.

-



?
- diód i źródeł pradowych
- diod i źródeł

?
- diód i pojemności

8>> Dla jakich polaryzacji aktywnie działa tranzystor bipolarny?

Emiter - Baza: kierunek przewodzenia

Baza - Kolektor: kierunek zaporowy

9>> Gdzie występuje największa częstotliwość graniczna w tranzystorze w jakiej konfiguracji?

Największa częstotliwość graniczna występuje dla tranzystora o wspólnej bazie OB.

10>> Jakie jest wzmocnienie we wzmacniaczu w konfiguracji wspólnej bazy OB.?

W OB wzmocnienie jest bliskie 1 (jednak nie przekracza tej wartości, tutaj: ~0,96).

11>> Co to jest ruchliwość elektronów?

Swobodne nośniki ładunku w półprzewodniku, tzn. elektrony znajdujące się w paśmie przewodnictwa i dziury znajdujące się w paśmie podstawowym, mogą się pod wpływem pola elektrycznego przesuwać w kierunku tego pola. Ruch nośników ładunku pod wpływem pola elektrycznego jest prądem elektrycznym płynącym przez rozpatrywane półprzewodniki. Tego rodzaju prąd, płynący przez PP w dalszym ciągu będzie prądem unoszenia.

Ruchliwość zależy od koncentracji domieszek, temperatury i natężenia pola elektrycznego.

12>> Gdzie występuje poziom Fermiego w PP zdegenerowanym (silnie domieszkowanym )?

Występuje w paśmie podstawowym lub w przewodzenia (tj. zagłębia się w te pasma) lub jest w odległości od nich < 2kT.

13>> Dyfuzja.

Nadmiarowe nośniki ładunku, występujące w pewnym obszarze PP, ulegają tak częstym zderzeniom z siecią i wykonują chaotyczne ruchy, ulegają rozproszeniu - występuje ich dyfuzja.

Wykonanie złącza PN metoda Dyfuzji polega na tym, że do wybranych odpowiednio obszarów PP określonego typu wprowadza się drogą dyfuzji domieszki donorowe lub akceptorowe, w zależności od tego, jakiego typu jest PP wyjściowy.

14>> Gdzie znajduje się poziom Fermiego dla typu p.

Dla typu p znajduje się bliżej wierzchołka pasma podstawowego, gdyż pp zawiera wtedy więcej dziur i większe jest prawdopodobieństwo obsadzenia niższego stanu energetycznego.

27>> W półprzewodniku typu „n” poziom Fermiego znajduję się

+zbliżony jest do dna pasma przewodnictwa

15>> Dla jakich warunków prawidłowo działa dioda pojemnościowa?

Dioda pojemnościowa pracuje przy polaryzacji zaporowej, charakteryzując się zmienną pojemnością w funkcji przyłożonego napięcia. Z charakterystyki wynika, ze pojemność C jest większa dla mniejszych wartości napięcia wstecznego.

16>> Dlaczego dla wyższych temperatur zmienia się przewodność?

Na ruchliwość nośników wpływa temperatura. Im większa temperatura tym drgania większe - ruchliwość nośników większa- większa przewodność. Jednak zbyt wysoka temperatura powoduje, że drgania są zbyt duże i ruchliwość nośników maleje - przewodność również.

17>> Jaki proces jest przyczyna działania diody elektroluminescencyjne

Luminescencja z jaką ma się do czynienia w przypadku diod elektroluminsencyjnych powstaje w wyniku rekombinacji swobodnych nośników ładunku w złączu p-n przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia. Pod wpływem powrotu elektronu do pasma walencyjnego z pasma przewodnictwa, zgromadzona energia, uwalnia się w postaci fotonu do otoczenia. Uwaga: Diody takie wytwarza się z pp, w których szerokość przerwy zabronionej odpowiada energii fotonów światła widzialnego. Różna szerokość przerwy: różne kolory świecenia.

18>> Jak przestaniemy oświetlać PP to co powoduje przepływ nośników w złączu spolaryzowanym zaporowo?

Przy polaryzacji zaporowej jedyny prąd jaki płynie przez półprzewodnik to prąd unoszenia (zwany prądem ciemnym). Jest to prąd wytwarzany przez nośniki mniejszościowe (dla pp typu p - elektrony, dla pp typu n - dziury).

19>> Lokalne prawo Ohma (wzór).

sigma = J/E z kreskami nad J i E (gęstość [A/(m*m)] / natężenie pola [V/m])

Jednostka: [1/OM * m]

20>> Czym jest poziom Fermiego.

Poziom Fermiego jest to poziom energetyczny, którego prawdopodobieństwo zajęcia przez elektron jest równe połowie szerokości przerwy zabronionej dla pp samoistnych. Dla pp domieszkowanych zbliża się ono ku pasmu walencyjnemu lub przewodnictwa w zależności od typu półprzewodnika.

21>> Polaryzacja złączy w tranzystorze.

Zasady polaryzacji tranzystora:

E-B (emiter-baza): przewodzenie B-C (baza-kolektor): zapór | stan aktywny

E-B (emiter-baza): przewodzenie B-C (baza-kolektor): przewodzenie | stan nasycony

E-B (emiter-baza): zapór B-C (baza-kolektor): przewodzenie | stan inwersyjny

E-B (emiter-baza): zapór B-C (baza-kolektor): zapór | stan zaporowy

22>> Jak wygląda poziom Fermiego w przypadku modelu pasmowego npn?

Dla pp typu n: poziom Fermiego zbliżony jest do dna pasma przewodnictwa.

Dla pp typu p: poziom Fermiego zbliżony jest do wierzchołka pasma walencyjnego.

Wynika stąd, że w modelu pasmowym dla tranzystora npn, poziom Fermiego, będzie tworzył swego rodzaju:

_____..............._______ <= pasmo przewodnictwa

......n..\......p..../.....n

...........\_____/

----------------------------- <= poziom Fermiego

_____.............._______ <= pasmo walencyjne

.........\............/

..........\_____/

Kropki, bo sie spacje nie ładują na forum

23>> Dioda Si przepuszcza 10nA, następuje wzrost spadku napięcia np. o 10mV. Czym jest to spowodowane?

Współczynnik temperaturowy jest dodatni dla charakterystyki w kierunku zaporowym a to oznacza ze wraz ze wzrostem temperatury wzrasta spadek napięcia.

24>> Dla jakich polaryzacji i napiec JFET działa przy największym prądzie na złączu bramka - kanał.

W tranzystorach polowych złączowych JFET (junction FET) największy prąd drenu płynie przy napięciu sterującym UGS=0, co widać na charakterystyce.

25>> Jaka jest zależność prądu drenu od różnicy potencjałów: A) liniowa, B) logarytmiczna, C) exponencjalna?

Odpowiedź: zależność logarytmiczna.

26>> Półprzewodnik samoistny to taki, w którym

+-nie ma domieszki

28>> Wzór Einsteina wiąże ze sobą:

+ruchliwość nośników z natężeniem pola elektrycznego

+współczynnik dyfuzji nośników z ich koncentracją

+ruchliwość ze współczynnikiem dyfuzji nośników

+współczynnik dyfuzji z natężeniem pola elektrycznego

29>> Półprzewodnik samoistny to taki w którym

+nie ma domieszki

+jest tylko domieszka donorowa

+jest tylko domieszka akceptorowa

+N?=Ni

30>> Przepływ prądu w kierunku przewodzenia złącza p-n jest wynikiem

+unoszenia nośników większościowych

+dyfuzji nośników większościowych

+unoszenia nośników mniejszościowych

+dyfuzji nośników mniejszościowych

31>> Przepływ prądu w kierunku zaporowym złącza p-n jest wynikiem

+unoszenia nośników większościowych

+dyfuzji nośników większościowych

+unoszenia nośników mniejszościowych

+dyfuzji nośników mniejszościowych

32>> Dioda SI przewodzi stały prąd 10mA zmniejszenie na niej spadku napiecia o 20mA jest skutkiem:

+oboniżenia temperatury o 10K

+wzrostu temperatury o 10K

+oboniżenia temperatury o 20K

+wzrostu temperatury o 20K

33>> Ruchliwosc nosnikow ladunku to:

a) po prostu ich srednia predkosc

b) .. ich drgań termicznych

c) zmiana ich zdolnosci do rekombinacji (?)

d) zmiana ich predkosci wypadkowej pod wplywem pola elektrycznego

34>> Transkonduktancja g/M do czego jest analogiczna (do jakiego h) -

+chyba h 22

35>> charakterystyka wyjściowa tranzystora OE

+Ic = f(Uce) , Ib=const

36>> Najwyższa częstotliwość graniczna przy spadku o 3 dB (to już chyba było ) i - chyba ma być w OB

37>> Co tworzy dipol w złaczu P-N - i teraz nie wiem, odpowiedzi były typu dodatnie akceptory i ujemne donory i na odwrót albo te i te (?) niech ktoś na to odpowie

+Warstwa dipolowa w złączu PN tworzą nieskompensowane ładunki dodatnie w warstwie N (domieszek donorowych) oraz nieskompensowane ładunki ujemne po stronie P (akceptorowych).

38>> zależność koncentracji noścników od temperatury - ma być rosnąca dla małych temp i malejąca dla dużych temp

+koncentracja nośników... jeżeli w półprzewodniku samoistnym to jest tak jak mówisz, dla niskich temperatur rośnie do pewnego momentu, osiąga maksimum a potem spada. W półprzewodniku domieszkowanym rośnie dla niskich temperatur, w zakresie średnim pozostaje bez zmian, w zakresie wysokich temperatur znowu rośnie.

+ koncentracja rośnie wraz z temperaturą n_i = T^3/2 exp(-W_g/2kT)

39>> Najwieksza rezystancja wyjściowa dla jakiego ukłądu - chyba OC

Największa rezystancja wyjściowa jest w OB. W układzie OC rezystancja wejściowa jest duża.

40>> Co tworzy dipol w warstwie zubożonej złącza P-N:

A. Atomy akceptorów zjonizowane dodatnio i atomy donorów zjonizowane ujemnie

B. Atomy akceptorów zjonizowane ujemnie i atomy donorów zjonizowane dodatnio

C i D Jakieś pierdoły o dziurach i elektronach nie mające większego sensu

41>> Gdzie znajduje się poziom donorowy w en. modelu pasmowym:

A. Tuż pod poziomem przewodnictwa

B. Tuż nad poziomem walencyjnym

C i D. Coś około poziomu Fermiego itp.

42>> Transkonduktancja g/M do czego jest analogiczna (do jakiego h)

Odpowiedź poprawna to h21

43>> Jak zależy moc tracona w układzie cmos od częstotliwosci pracy układu

(liniowo rośnie wraz z czestotoliwością)

44>> Jakie konstrukcjie tranzystorow sa najłatwiejsze do wykonania w technologiach monolitycznych (npn - jest ich najwiecej wiec są najłatwiejsze do wykonania)

45>> Standardowe napięcia pracy ttl. Zasilanie, Uh Ul. (nie jestem pewien odp.)

46>> Dioda elektroluminestencyjna(LED) świeci w wyniku?
- generacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia
- generacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku zaporowym
- rekombinacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku zaporowym
- rekombinacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia

47>> Prądy unoszenia występują
- w półprzewodnikach
- w przewodnikach
- w półprzewodnikach i w przewodnikach
- w izolatorach

47>> Prądy dyfuzji występują
- w półprzewodnikach
- w przewodnikach
- w półprzewodnikach i w przewodnikach
- w izolatorach

48>> Dziura w póprzewodniku to
- dodatni nośnik ładunku

1. Podczas(?) powstawania(?) obszaru zubożonego złącza, zawarty w nim elektryczny ładunek przestrzenny jest przyczyną powstania:

• warstwy samoistnej;

• bariery potencjału dyfuzyjnego;

• obszaru bez pola elektrycznego;

• polaryzacji w kierunku przewodzenia;

---