1. Materiały przewodzące, półprzewodniki i dielektryczne - kryteria podziału:
ze względu na konduktywność γ :
- przewodzące (budowa elektrycznych obwodów prądowych) - γ >10^6 s/m (ρ20˚C < 10^-4 Ω cm)
- półprzewodzące - 10^-6 s/m < γ < 10^4 s/m
(10^-2 < ρ20˚C < 10^8 Ω cm)
- elektroizolacyjne - γ < 10^-10 s/m (ρ20˚C > 10^12 Ω cm)
przy wilgotności względnej 65 %
klasyfikacja wg teorii pasmowej (tylko zjawisko przewodnictwa elektronowego)
- ΔE < 0 - metale
- 0,5eV < ΔE < 2eV - półprzewodniki
- ΔE > 2eV - izolatory
2. Charakterystyka temperaturowa materiałów przewodzących:
3. Wytwarzanie laminatów:
Podstawą klasyfikacji laminatów jest rodzaj użytego materiału osnowy oraz rodzaju żywicy. W normie amerykańskiej NEMA znajdują się laminaty na bazie:
- papieru i żywic fenolowych oraz żywic epoksydowych (oznaczone jako XXXP, XXXPC, FR-2, FR-3)
- tkanin szklanych oraz żywic epoksydowych (oznaczone jako G-10, G-11, FR-4, FR-5)
- tkanin szklanych oraz żywic poliestrowych (FR-6)
- papieru i tkanin szklanych oraz żywic epoksydowych (CEM-1)
- materiałów i tkanin szklanych oraz żywic epoksydowych (CEM-3)
4. Rodzaje laminatów wykorzystywanych w elektronice i ich właściwości:
laminat fenelowo-papierowy (zast. elektroniczny sprzęt powszechnego użytku, urządzenia pracujące w łagodnych warunkach środowiskowych, ozn. XXXP, XXXPC, FR-2):
- dobra obrabialność
- niska cena
- dobre właściwości elektryczne
- temp. pracy ciągłej niższa od 105˚C
- układy nie są narażone na wibracje i udary
- nie występuje łuk elektryczny
- obwód maksymalnie może wchłonąć do 1 % wilgoci
laminat epoksydowo-szklany (G-10, FR-4, G-11,
FR-5)
- sprzęt profesjonalny (komputery, urządzenia telekomunikacyjne) i wojskowy
- duża wytrzymałość mechaniczna
- odporność na procesy lutowania
- zdolność do długotrwałej pracy w podwyższonych temperaturach
- możliwość metalizowania otworów
laminat do pracy w zakresie wielkiej częstotliwości
a) teflonowo-szklany (GT, GX)
- praca ciągła nawet powyżej 200˚C
- mała wartość ε, mała kontrolowana wartość tgδ
- bardzo słaba stabilność termiczna
- trudna obrabialność
- bardzo wysoka cena
b) polistyrenowo-szklany
c) polietylenowo-szklany
laminaty wysokotemperaturowe, wysokostabilne
- na bazie żywic polimidowych (Tg=275˚C) i triazynowych (Tg=250˚C)
laminaty z warstwą rezystywną
- podłoże epoksydowo-szklane
- folia rezystywna (25Ω/□ lub 100Ω/□)
- folia miedziana
(niezbędny proces dwukrotnego trawienia)
5. Metody wytwarzania połączeń elektrycznych na laminatach :
metoda subtraktywna (ubytkowa) - wytrawianie mozaiki w foli miedzianej:
- wykonanie otworów, szczotkowanie powierzchni
- miedziowanie chemiczne i elektryczne wstępne (grubość Cu 3-5μm)
- maskowanie
- metalizacja elektrolityczna Cu+SnPb
- zmywanie maski
- trawienie
Metoda stosowana do wytwarzania ok. 95% płytek drukowanych.
metoda addytywna (narostowa) - chemiczne osadzanie miedzi w uprzednio uaktywnionych miejscach po czym jej pogrubianie elektrolityczne
Należy stosować laminaty z warstwą adhezyjną z katalizatorem, który należy uaktywnić przed procesem miedziowania chemicznego.
6. Laminaty wielowarstwowe - sposób wytwarzania:
Wytwarzane głównie w oparciu o cienkowarstwowe laminaty epoksydowo-szklane (niefoliowane, foliowane miedzią jednostronnie, foliowane miedzią dwustronnie). Zwarstwiane przy pomocy preimpregnatów (prepegów tj. żywic w stanie półutwardzonym B)
7. Płytki drukowane elastyczne - sposób wytwarzania i zastosowanie:
Płytki drukowane giętkie:
- ułatwienie okablowania
- dopasowanie obwodu drukowanego do złożonego kształtu urządzenia
- zwiększenie stopnia miniaturyzacji i niezawodności
- zmniejszenie ciężaru
Elastyczne kompozycje PYRALUX
- dopuszczalne jest 500 mln cykli zginania i skręcania (nie występuje rozwarstwienie folii, nie tworzą się też pęcherze przy lutowaniu)
- duża absorpcja udarów mechanicznych i wibracji
Montaż okablowania:
- połączenia lutowane automatycznie lub zaciskane
Zastosowanie:
-sprzęt kosmiczny, komputerowy, wojskowy, motoryzacyjny
Ograniczone zastosowanie:
- koszty
- trudniejsza technologia
8. Płytki drukowane z rdzeniem aluminiowym - sposób wytwarzania i zastosowanie:
Wytwarzanie:
Zastosowanie:
- dobre przewodnictwo cieplne (wzmacniacze mocy, zasilacze, układy sterowania, regulatory i stabilizatory napięcia)
- zdolność do odprowadzania ciepła (układy gdzie konieczna jest kompensacja termiczna)
- odporność na duże różnice temperatur, szoki termiczne i udary (sprzęt lotniczy i rakietowy, motoryzacyjny jak regulatory, przerywacze i urządzenia zapłonowe)
9. Technologia cienkowarstwowa:
Umożliwia modyfikację powierzchni różnych materiałów, zwiększając ich odporność mechaniczna, chemiczna i podwyższając walory estetyczne. Pozwala na uzyskanie miniaturowych układów elektronicznych, których własnościami można sterować albo przez grubość warstw, albo przez dobór nanoszonych materiałów. materiałów ten sposób można otrzymać materiały, których nie ma w przyrodzie.
10. Technologia grubowarstwowa:
Warstwy grube generalnie składają się z podłoża i pasty.
- drobnowarstwowa faza aktywna elektrycznie (proszki metali lub ich stopów o uziarnieniu 0,5 - 5 mikrometra
- lepiszcze stałe (sproszkowane szkliwo najczęściej ołowiowo-boro-krzemianowe lub tlenki Bi O , Cu O,NiO, PbO
- nośnik organiczny (terpined (faza lotna) + etyloceluloza (faza nielotna))
- dodatki organiczne wpływające na tiksotropie i napięcie powierzchniowe pasty
W typowym ukł. ze skrzyżowaniami wykorzystuje się 8-20 razy więcej pasty przewodzącej niż rezystywnej i 3-10 razy więcej niż pasty dielektrycznej.
11. Podstawowe wymagania i rodzaje podłoży do układów hybrydowych (cienko- i grubowarstwowych)
Podłoże - element niezbędny w układach warstwowych ; na jego powierzchni osadzane są mat. przewodzące, rezystywne i dielektryczne tworzące bierne elementy układu, ponadto jest ono bazą dla umocowania wszelkich chipów z el. czynnymi i biernymi.
Podstawowe wymagania :
- duża przewodność cieplna
-duża rezystywność
-wysoka wytrzymałość mechaniczna
-odporność na wysokie temperatury
-odporność na oddziaływanie chemikaliów
-mały ciężar właściwy (zast. lotnicze,kosmiczne,medyczne)
Rodzaje :
- podł. alundowe - do 15x15 cm, grubość 0.25 - 1.5 mm, różnorodne kształty, możliwe wytworzenie otworów i cięcie narzędziami diamentowymi lub laserem
- podł. berylowe - proszek BeO jest toksyczny, i droższy
- podł. stalowe emaliowane - ograniczenia wywołane przez temp. mięknięcia emalii (ok.650C) oraz dużymi stratami w w. cz.
12. Metody wytwarzania i właściwości cienkich warstw przewodzących.
Metody wytwarzania :
-elektroliza
-samoorganizacja
- utlenianie termiczne
-piroliza
-azotowanie próżniowe
-rozpylanie stałoprądowe
-rozpylanie w polu w.cz.
-parowanie wiązką elektronów
-rozpylanie katodowe stałoprądowe lub w polu w.cz. w.c. udziałem reakcji chemicznych
-parowanie wiązką elektronów z udziałem reakcji chemicznych
-rozkład w plazmie w.cz.
Właściwości:
-duża przewodność właściwa
-odporność na korozje
-łatwa zwilżalność przez inne metale (procesy dołączania innych metali np. przy lutowaniu)
-duża wytrzymałość mechaniczna
-dobra adhezja do podłoża i innych warstw
-zgodność procesu nanoszenia z procesami nanoszenia innych warstw (kompatybilność)
13. Metody wytwarzania i właściwości grubych warstw przewodzących.
Zasadnicza metoda wytwarzania warstw grubych jest sitodruk
1 - sito ; 2-pasta ; 3- rakla (urządzenie przeciskające)
4-podłoże;5 - nanoszona warstwa
Właściwości :
w zależności jakiego materiału użyjemy do utworzenia grubej warstwy i jego cech - właściwości można podzielić na:
rezystywność, lutowalność, odporność na ługujące działanie lutowia, przydatność do montażu drutowego, odporność na procesy migracji, adhezji i jej zmian pod wpływem starzenia termicznego i cykli temperaturowych, współpracy z innymi warstwami.
14.Metody lutowania. Podstawowe spoiwa lutownicze.
Metoda zanurzeniowa polega na zanurzeniu do roztopionego stopu lutowniczego (o temperaturze około 240°C) układu grubowarstwowego, wyprowadzeń i elementów dyskretnych. Metodą tą lutuje się półprzewodniki, kondensatory monolityczne bez końcówek i tantalowe w obudowach plastikowych. Metoda ta jest tania, umożliwia łatwą kontrolę jakości połączeń lecz nie może być użyta dla układów o wysokim stopniu miniaturyzacji.
Metoda rozpływowa rozpoczyna się wstępnym pocynowaniem płytki układu grubowarstwowego oraz elektrod elementów dołączanych i końcówek. Układ umieszcza się następnie w piecu partiowym lub tunelowym, gdzie umieszczone na płytce elementy dyskretne i końcówki są dociskane do płytki, polewane topnikiem i podgrzewane do temperatury 220...240°C. Następuje w ten sposób połączenie warstw cyny na płytce i na elementach o końcówkach.
Podstawowe spoiwa lutownicze: Sn63Pb37 (LC63), Sn60Pb40 (LC60), Sn50Pb50 (LC50), Pb60Sn40 (LC40), Pb70Sn30 (LC30), Pb75Sn25 (LC25), Pb80Sn20 (LC20), Sn62Pb37Cu1, Sn60Pb38Cu2, Sn62,5Pb36Ag1,5, Sn62Pb36Ag2, Sn57Pb39Ag4
15.Kleje przewodzące prąd elektryczny
ELPOX 15 - Klej epoksydowy przewodzący prąd elektryczny, dwuskładnikowy. Klej ten przeznaczony jest do wykonywania połączeń wszędzie tam, gdzie niemożliwe jest stosowanie metod lutowniczych głównie do reperacji przerwanych ścieżek
ELECTON 40AC - Akrylowy, jednoskładnikowy lakier przewodzący prąd służący do naprawy obwodów drukowanych w elektronice. Wykorzystywany między innymi do usuwania uszkodzeń w drukarkach, komputerach PC i wszelkich układach elektronicznych.
UM194 - klej przewodzący produkcji krajowej. Jednoskładnikowy klej przewodzący prąd służy do naprawy obwodów drukowanych w elektronice
16.Podział rezystorów (kryteria)
Ze wzgl na:
rezystancje :
-o rezystancji stałej
- o rezystancji nastawnej
rodzaj materiału:
drutowe, masowe, cieczowe, płynowe
zakres zastosowania :
techniczne i laboratoryjne
użytkowanie :
regulacyjne, rozruchowe, dodatkowe, uziemiające
wielkość napięcia :
wysoko- i niskonapięciowe
rodzaj regulacji :
o stałej i zmiennej rezystancji
budowę:
węglowe-kompozytowe, warstwowe węglowe, warstwowe metalowe, grubowarstwowe, cienkowarstwowe, z tlenków metali,drutowe
26. Podstawowe cechy konstrukcyjne rezystorów do montażu powierzchniowego:
Aktualnie powszechne zastosowanie znalazły rezystory przewidziane do montażu powierzchniowego (SMD). Są to rezystory warstwowe, płaskie. Metalizowane powierzchnie końcowe tych rezystorów są wykorzystywane do bezpośredniego ich lutowania do płytki drukowanej. Warstwa rezystancyjna pokrywana jest lakierem ochronnym. Są wykonywane w technologii grubowarstwowej. Na wysokoalundową płytkę ceramiczną nanoszona jest warstwa rezystywna połączona z cynowanymi wyprowadzeniami i zabezpieczona pokryciem
ochronnym.
Rezystory do montażu powierzchniowego typu SMD charakteryzują się małymi wymiarami, dobrą stabilnością parametrów elektrycznych, wysoką niezawodnością i dużą wytrzymałością mechaniczną. Rezystory te znajdują zastosowanie w urządzeniach telekomunikacyjnych, komputerach, sprzęcie audio-video, urządzeniach medycznych i sprzęcie wojskowym
27. Wytwarzanie i parametry rezystorów objętościowych:
W Rezystorach objętościowych korpus przewodzi prąd elektryczny. Elementy te produkowane są gł. w USA z mas likierowo-sadzowych z odpowiednim wypełniaczem. Obudową rezystora jest tworzywo termoutwardzalne. Obudowa, rdzeń przewodzący i odp. ukształtowane końcówki są połączone w pr. prasowania i polimeryzacji. Po wykonaniu rezystory są dzielone na grupy w zależności od rezystancji od 10Ω do 10MΩ, a następnie ocechowane.
Rezystory objętościowe to takie, w których prąd płynie całą objętością rezystora. Do ich budowy stosuje się organiczne lub nieorganiczne materiały oporowe. Stosowane są głównie w sprzęcie profesjonalnym, gdzie wytrzymują duże obciążenia prądowe i mocy.
Parametry:
Rezystancja znamionowa, będąca wskaźnikiem wartości rezystancji. Podawana z największym dopuszczalnym odchyleniem rezystancji rzeczywistej od rezystancji znamionowej. Dopuszczalne odchyłki są zawarte w przedziale 0,1 - 20 %.
Moc znamionowa, która jest największą dopuszczalną mocą możliwą do wydzielenia w rezystorze. Moc ta jest zależna od powierzchni rezystora, sposobu odprowadzenia ciepła, maksymalnej dopuszczalnej temperatury pracy i temperatury otoczenia.
Napięcie znamionowe, jest największym dopuszczalnym napięciem, które może być przyłożone do rezystora bez zmiany jego właściwości, a szczególnie bez jego uszkodzenia. Wartości znamionowe napięć dla większości rezystorów wynoszą od kilkudziesięciu do kilkuset woltów.
29. Wytwarzanie i zalety potencjometrów hybrydowych:
Hybrydowe elementy rezystancyjne zbudowane są z przewodzącej pasty z tworzywa sztucznego pokrywającej rezystancyjne element drutowy. Daje to elementy o nieskończonej rozdzielczości i długim oczekiwanym okresie użytkowania (patrz rysunek wyjaśniający budowę).
Ich zastosowanie jest ograniczone do dzielników napięcia.
Budowa elementu rezustancyjnego hybrydowego:
31. Charakterystyka prądowo-napięciowa (I-V) warystora:
Zakres temperaturowy pracy warystorów 233 -358 K. Okazuje się, że ch-ka warystorowi występuje dla ceramiki ZnO tylko wtedy, gdy spiekanie prowadzone jest w powietrzu lub w tlenie. Rzeczywistą ch-kę warystora opisuje się zależnością: I=CUα lub U = C1Iβ (C,C1 - stałe, α,β - współczynniki nieliniowości warystora.
32. Wytwarzanie warystorów na bazie ZnO i rola dodatków w kształtowaniu ch-ki I-V
Wytwarzanie:
Skład podst.
ZnO + 0,5% mol. Bi2O3 + 1% mol. Sb2O3 + 0,5% mol. CoO +0,5% mol. MnO2 + 0,5%mol. Cr2O3
1. Odważanie i mielenie proszków w młynach kulowych
2. Dodawanie substancji organicznych
3. Wygrzewanie w powietrzu (600 - 800oC)
4. Ponowne rozdrabnianie
5. Prasowanie w pastylki 30-60MPa (300-600 atm)
6. Spiekanie (1100 - 1350oC, 1-4h) odbywa się przy udziale fazy ciekłej powstałej ze stopienia Bi2O3 i Sb2O3.
7. Ewentualne szlifowanie powierzchni czołowych
8. Nanoszenie elektrod
9. Wygrzewanie w tlenie lub powietrzu (500-700oC)
10. Lutowanie wyprowadzeń
11. Pokrywanie (fluidyzacja)
12. Selekcja i testowanie.
Rola dodatków:
Bardzo ważną rolę spełniają dodatki tlenkowe w ZnO - ilustruje to zależność nap. charakterystycznego V1mA i wsp. nieliniowości α od sumarycznej zawartości dodatków tlenkowych X (X = Bi2O3 + Sb2O3 + CoO +MnO2 + Cr2O3; 1:2:1:1:1
38. Parametry charakterystyczne kondensatorów:
Kondensator - element elektroniczny bierny zachowawczy stanowiący układ dwóch przewodników (tzw. Okładek) lub dwóch zespołów okładek odizolowanych warstwą dielektryka i gromadzący pole elektryczne. Po przyłączeniu kondensatora do źródła napięcia na obu jego okładkach pojawią się równe co do wartości bezwzględnej, a różniące się co do znaku ładunki elektryczne.: Q = CU.
Zmiany napięcia doprowadzanego do kondensatora powodują zmiany ładunków na jego okładkach. W rezultacie przez kondensator płynie prąd o natężeniu:
=
Jeżeli do kondensatora doprowadzone jest np. zmienne harmoniczne napięcie
, wówczas natężenie prądu płynącego przez kondensator wynosi:
, tzn. prąd będzie wyprzedzał napięcie w fazie 90o.
Pojemność znamionowa C = Cg + Cb + Cr (poj.geometryczna+ poj.brzegowa+ poj. rozproszenia), Stopień miniaturyzacji ocenia się przy pomocy charakterystyk porównawczych kondensatora tj. pojemności właściwej:
(V-obj. kond. bez obudowy), oraz 3 zredukowanych obj. kondensatora:
;
;
(
- jednostkowa moc bierna)
Temperaturowy współczynnik pojemności:
(TWC kondensatora);
;
(TW- przenikalności dielektrycznej mat. dielektryka kondensatorowego); αm,αd, wsp. rozszerzalności cieplnej elektrod i dielektryka.
współczynnik stratności kondensatora:
tg δ>δd (dochodzi stratność związana z rezystancją elektrod i doprowadzeń oraz stratność obudowy i El. kontr.)
Rezystancja izolacji Riz:
Riz ≠ f(C) dla C < 0,2 μF
przy C >0,2 μF τ = Riz. C ~ const.
lg Riz(T2) = lg Riz(T1) - β (T2 - T1)
Wytrzymałość dielektryczna kondensatorów:
(wsp. bezpieczeństwa)
Un - napięcie pracy tj. napięcie znamionowe, które kondensator winien wytrzymać przez 10000 lub 100000 h (energetyka) dla oznaczonego zakresu temperatur do Tmax.
Upr - napięcie próby, czyli napięcie które konden. winien wytrzymać w stosunkowo krótkim czasie (5-10s)
U przeb - napięcie przebicia (powoduje trwałe uszkodzenie kondensatora w krótkim czasie po jego doprowadzeniu)
Stabilność pojemności - nieodwracalne zmiany pojemności pochodzące z cyklicznych zmian temp. i wilgoci oraz występujące z upływem czasu eksploatacji lub magazynowania w skutek zjawisk starzeniowych.
Niezawodność kondensatorów - ocenia się ją przy pomocy wsp. intensywności uszkodzeń λ będącego funkcją napięcia i temp pracy kondensatora.
39. Klasyfikacja i zastosowanie kondensatorów:
Klasyfikacja:
w zależności od stosowanego dielektryka:
- z diel. gazowym (powietrzne, próżniowe, z gazem sprężonym)
- z diel. stałym nieorg. (mikowe, ceramiczne, szklane)
- z diel. stałym org. (papierowe, foliowe)
- z diel. tlenkowym (elektrolityczne aluminiowe, elektrolityczne tantalowe, warstwowe - nieelektrolityczne)
- z diel. ciekłym
z punktu widzenia konstrukcji:
- stałe
- zmienne (strojeniowe, stroikowe, dekadowe)
ze wzgl. na charakter eksploatacji - przewidziane do pracy przy:
- napięciu stałym (nisko- lub wysokonapięciowe)
- napięciu zmiennym (częstotliwości sieciowe, częst. akustyczne)
- napięciu impulsowym
ze wzgl na kształt:
Zastosowanie:
kondensator jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych, szeroko wykorzystywany we wszystkich typach układów, w szczególności razem z cewką tworzy obwód rezonansowy.
jako kondensator sprzęgający, blokujący napięcie stale, ale przepuszcza dalej napięcie zmienne. Jako kondensator blokujący, zwierający napięcie zmienne, które występuje razem z napięciem stałym.
w filtrach i obwodach rezonansowych, gdzie najczęściej wspólnie z elementem indukcyjnym lub rezystorem, stanowi obwód rezonansowy lub obwód filtra np. w oscylatorze albo filtrze separującym głośnika.
np. w zasilaczu sieciowym znajdują się kondensatory do magazynowania energii, która jest używana do filtrowania (wygładzania) napięcia stałego.
w obwodach czasowych wykorzystuje się ładowanie i rozładowywanie kondensatora do określenia czasu. Przykładem tego jest multiwibrator astabilny.
jako elementu odkłócającego, używa się kondensatora, który może pochłonąć krótkie impulsy napięcia tak np. jak w obwodzie RC przyłączonym do cewki przekaźnika. Używa się również kondensatorów np. typu X lub Y w celu tłumienia zakłóceń o wysokich częstotliwościach (RFI). Przy prądach zmiennych wysokiego napięcia, używa się często do pomiarów pojemnościowych dzielników napięcia. Nie maja one takich dużych strat jak rezystancyjne dzielniki napięcia.
40. Technologia i właściwości kondensatorów mikowych:
Szczególna cechą miki przydatną do budowy kondensatorów jest jej łupliwość (płytki minimalnej grubości 4μm). Ponadto - mały jej tgδ, mały TWC i duża stabilność długookresowa. Do produkcji kondensatorów stosuje się tzw. mikę potasową (inaczej moskowit) o parametrach: ε=7, tgδ=(1÷4)10-4 przy f=106Hz, TWε=(15÷20).10-6, ρ=1014÷1015Ω.cm, wytrzymałość dielektryczna 500 ÷ 200 kV/mm.
Kondensatory mikowe zbudowane są podobnie jak ceramiczne kondensatory wielowarstwowe, ale ponieważ nie podlegają wygrzewaniu w wysokich temperaturach, elektrody można wykonać ze srebra. Mika jest to minerał twardy i odporny, charakteryzujący się tym, że rozdziela się na cienkie płytki, które można wyposażyć w elektrody. Właściwości elektryczne np, rezystancja izolacji, stratność i stabilność są doskonałe i całkowicie porównywalne z najlepszymi tworzywami sztucznymi i ceramiką. Kondensatory mikowe są jednak względnie duże i drogie, co powoduje, że w znacznym stopniu zastępowane są m,in, przez kondensatory polipropylenowe. Stosuje się je często w układach wielkiej częstotliwości, gdzie wymagane są nie tylko niskie straty, ale również wysoka stabilność częstotliwości i temperatury. Produkowane są o wartościach pojemności od 1pF do 0,1 mF.
41. Technologia i właściwości kondensatorów ceramicznych:
Kondensatory ceramiczne dzielą się na trzy rodzaje.
Typ 1
Produkowane są z użyciem dielektryka o przenikalności względnej w granicach 10...600. Kondensatory te charakteryzują się małymi stratami i są produkowane ze ściśle określonym współczynnikiem temperaturowym w zakresie -1500...+150ppm/K. Umożliwia to łatwą kompensację temperaturową obwodów rezonansowych. Są to najlepsze z popularnych kondensatorów, ale produkowane są tylko w niewielkim zakresie pojemności.
Typ 2 (ferroelektryczne)
Mają znaczną pojemność przy niewielkich rozmiarach. Niestety okupione jest to pogorszeniem parametrów kondensatora. Duża zależność pojemności od częstotliwości powoduje że kondensatory te nie nadają się do precyzyjnych obwodów rezonansowych. Doskonale sprawdzają się w obwodach odsprzęgania zasilania, sprzęgania poszczególnych stopni itp. Dodatkowo zachęcająca jest ich niska cena.
Typ 3 (półprzewodnikowe)
Są właściwościami podobne do ferroelektrycznych, tyle że mają jeszcze mniejsze gabaryty. Zmniejszenie gabarytów uzyskana dzięki specjalnej budowie opartej na porowatym spieku.