wzm tranzyst


0x08 graphic
Politechnika Śląska w Gliwicach

Wydział Elektryczny

Kierunek : elektrotechnika.

Rok akademicki 1999/2000.

Semestr 4.

Sprawozdanie

ćwiczenie laboratoryjne z podstaw elektroniki :

Badanie wzmacniaczy tranzystorowych

Grupa 2 sekcja 2

Glos Piotr

Kwaczała Marcin

Mikołajczyk Rafał

Zorychta Szymon

Wstęp teoretyczny

Wzmacniaczem elektronicznym nazywa się układ elektroniczny zwiększający moc sygnałów przy zachowaniu ich kształtu. Zwiększenie mocy odbywa się doprowadzonej z zewnątrz energii zasilania.

Wzmacniacz można przedstawić w postaci czwórnika aktywnego, który w ograniczonym zakresie pracy (dla małych sygnałów) jest czwórnikiem liniowym.

0x08 graphic

Rysunek nr 1. Wzmacniacz jako czwórnik aktywny

Wzmacniacz taki charakteryzują wzmocnienia : mocy kp , napięcia ku , i prądu ki :

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

Wzmocnienie napięciowe wzmacniacz dla sygnałów sinusoidalnych zmiennych jest liczbą zespolona. Wykres modułu tego wzmocnienia w funkcji częstotliwości nazywa się charakterystyką amplitudowo-częstotliwościowa wzmacniacz, a wykres fazy w zależności od częstotliwości - charakterystyką fazowo-częstotliwościową. Typowa charakterystyka amplitudowo-częstotliwościowa wzmacniacz szerokopasmowego przedstawiona jest na poniższym rysunku. Z charakterystyki tej można wyznaczyć pasmo przenoszenia wzmacniacza zawarte między dolną a (fgd) i górna (fgg) częstotliwością graniczną. Dla częstotliwości granicznych wzmocnienie napięciowe wzmacniacz ma wartość kmax/0x01 graphic
, co oznacza jego zmniejszenie w odniesieniu do wartości maksymalnej o 3 dB.

Rysunek nr 2. Charakterystyka amplitudowo-częstotliwościowa wzmacniacza szerokopasmowego

Wzmacniacze mogą wprowadzać zniekształcenia wzmacnianych sygnałów. Zniekształcenia te dzieli się na liniowe i nieliniowe. Przyczyną zniekształceń liniowych są jednakowe są niejednakowe właściwości wzmacniaczy dla różnych częstotliwości. Przyczyną zniekształceń nieliniowych jest nieliniowość elementów, zwłaszcza czynnych, wzmacniacza. Liniowy zakres pracy wzmacniacza można określić na podstawie jego charakterystyki przenoszenia, czyli zależności U2 = f(U1) - poniższy rysunek

Rysunek nr 3. Charakterystyka przenoszenia wzmacniacza

Schemat Pomiarowy

Rysunek nr 4. Widok płyty czołowej stanowiska laboratoryjnego

Wyniki pomiarów

Pomiary współczynnika wzmocnienia napięciowego przy zasilaniu sinusoidalnym (kształt sinusoidy kontrolowany na ekranie oscyloskopu).

Pomiar nr 1

Uwe [mV]

Uwy [V]

RC [kΩ]

RE [Ω]

f [kHz]

kU = Uwy/Uwe

5,57

1,92

15

0

2

334

6,28

1,941

6,2

0

2

309

31,5

1,598

15

240

2

51

Pomiary zależności napięcia wyjściowego od częstotliwości sygnału wejściowego dla wzmacniacza jednostopniowego

Pomiar nr 2 - wykres 1

Dla: U1 = 6,2 [mV], RC = 15 [kΩ], RE = 0, C = 10 [μF]

L.p.

f [Hz]

U2 [V]

1

10

0,15

2

20

1,05

3

40

1,61

4

60

1,84

5

80

1,96

6

100

2

7

140

2,103

8

200

2,16

9

2000

2,155

10

2500

2,128

11

3500

2,08

12

4500

2,036

13

5500

1,96

14

6500

1,907

15

8000

1,602

16

15000

1,45

17

20000

1,215

18

30000

0,825

19

40000

0,638

Odczytano z wykresu : fgd 36 [Hz], fgg 15 [kHz]

Pomiar nr 3 - wykres 2

Dla: U1 = 6,2 [mV], RC = 15 [kΩ], RE = 0, C = 0,22 [μF]

L.p.

f [Hz]

U2 [V]

1

100

0,635

2

150

0,86

3

200

0,95

4

2000

1,116

5

2500

2,128

6

3500

2,08

7

4500

2,036

8

5500

1,96

9

6500

1,907

10

8000

1,602

11

15000

1,45

12

20000

1,215

13

30000

0,825

14

40000

0,638

Odczytano z wykresu : fgd 140 [Hz],

Pomiar nr 4 - wykres 3

Dla: U1 = 17 [mV], RC = 15 [kΩ], RE = 240 [Ω], C = 10 [μF]

L.p.

f [Hz]

U2 [V]

1

4

0,48

2

10

0,66

3

30

0,878

4

50

0,84

5

2000

0,882

6

4000

0,847

7

8000

0,68

8

20000

0,47

9

25000

0,396

10

30000

0,328

Odczytano z wykresu : fgd 7 [Hz], fgg 12 [kHz]

Pomiary zależności napięcia wyjściowego od częstotliwości sygnału wejściowego dla wzmacniacza dwustopniowego

Pomiar nr 5- wykres 4

Pomiary zależności napięcia wyjściowego od częstotliwości sygnału wejściowego dla wzmacniacza dwustopniowego

Dla: U1 = 7,1 [mV], RC = 15 [kΩ], RE = 240 [Ω], C = 10 [μF]

L.p.

f [Hz]

U2 [V]

1

5

2,3

2

10

2,78

3

20

3,01

4

2000

3,29

5

3000

3,05

6

5000

2,585

7

7000

2,17

8

10000

1,705

Odczytano z wykresu : fgd 5 [Hz], fgg 6,5 [kHz]

Wnioski

W celu wyznaczenia współczynnika wzmocnienia napięciowego kU wystarczył jeden pomiar, ponieważ dla określonych parametrów RC , RE , f przyjmuje on wartość stałą - kU = const.

Wzrost wartości opornika P1 ( rysunek nr 4) powoduje obcinanie górnej połowy sinusoidy.

Wzrost wartości opornika P2 ( rysunek nr 4) powoduje obcinanie dolnej połowy sinusoidy.

Niewłaściwy dobór punktu pracy tranzystora powoduje mocne zniekształcenie przebiegu wyjściowego (odbiega od sinusoidalnego).

Zminimalizowanie zniekształceń przenoszonego sygnału uzyskaliśmy poprzez regulacje P1 i P2 (dobór punktu pracy tranzystora) i właściwy dobór amplitudy napięcia wejściowego.

Wzrost wartości opornika RE pociąga za sobą zwiększenie się pasma przenoszenia wzmacniacza (na podstawie wykresów 1 i 3), jednocześnie powoduje spadek wzmocnienia wzmacniacza.

Z wykresów 1 i 2 wynika iż zmiana pojemności CS nie wpływa na wartość górnej częstotliwości granicznej, natomiast zmniejszenie tej pojemności powoduje zwiększenie dolnej częstotliwości granicznej.

Ponieważ wiedzieliśmy (na podstawie rozważań teoretycznych) iż pojemność CS nie wpływa na fgg , dlatego pomiar 3 został wykonany tylko dla niższych częstotliwości pasma przenoszenia.

Znaczną trudnością w trakcie wykonywania ćwiczenia okazało się utrzymanie możliwie idealnego przebiegu (sinusoidalnego) napięcia wejściowego (kontrola na oscyloskopie - regulacja opornikami P1 i P2).

0x01 graphic

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Podstaw wzm tranzyst, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
EEKsem3 wzm tranzystorowy w10
wzm tranzystoroew
wzm tranzyst2
tranzystorowe wzm mocy
wzm mocy - obrazki, 1. Pomiar tranzystorowego wzmacniacza mocy 25W. Obci˙˙enie 8W.
Tranzystor
3 Wzm operacyjny protokol zima
F 1 Zasada działania tranzystora bipolarnego
17 obl 7 piers wzm
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
71 NW 12 Tranzystorowa syrena
Wnioski tranzystor, Szkoła, Elektronika I, Elektronika
wzm operacyjny - wyzysk, Inzynieria Materiałowa, I semestr, Elektrotechnika, elektrotechnika, Układy
Wzmacniacz Tranzystorowy, Elektrotechnika, Elektrotechnika, elektronika
tranzystory diody
TRANZYSTORY WIELKIEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
90 Tranzystor bipolarny jako wzmacniacz
Tranzystor polowy

więcej podobnych podstron