Tematy ćwiczeń na laboratorium przyrządów półprzewodnikowych

Data	Ćw.	Sala	Temat
21.10.98 28.10.98 04.11.98 18.11.98 02.12.98 09.12.98 16.12.98 06.01.99 13.01.99 20.01.99	1 2 3 4 5 6 7 8 9 10	012 012 218 218 012 012 218 012 218 218, 012	Wstępne Charakterystyka prądowo-napięciowa złącza p-n Elementy stabilizacyjne Wpływ temperatury na półprzewodnik (termistory) oraz na złącze p-n Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n Charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny w układzie wzmacniacza małej częstotliwości Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i IGFET Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych Poprawki

---