Związki między parametrami wzmacniacza


POLITECHNIKA RADOMSKA

Wydz. Transportu

LABORATORIUM

UKŁADÓW elektrONIcznYCH

Data:

Imię i nazwisko:

Grupa:

Zespół:

Rok akademicki:

Nr ćwiczenia:

1

Temat: Związki między parametrami pasmowymi i impulsowymi.

Ocena:

0x01 graphic

Schemat badanego układu

1. Wyznaczenie charakterystyki przenoszenia wzmacniacza

a) z tranzystorem „wolnym” BD395

f [Hz]

500

1000

5000

10000

50000

75000

100000

200000

Uwe [mV]

11

11

11

11

10,5

10

10

9,5

Uwy [mV]

100

100

90

90

80

70

55

40

k [V/V]

9,09

9,09

8,18

8,18

7,62

7

5,5

4,21

=6,36

0x01 graphic

b) z tranzystorem „szybkim” BC107

f[Hz]

500

1000

5000

10000

50000

75000

100000

200000

Uwe[mV]

85

82,5

80

75

75

75

75

75

Uwy[V]

1,4

1,3

1,3

1,3

1,25

1,05

0,9

0,55

k[V/V]

16,47

15,76

16,25

17,33

16,67

14,00

12,00

7,33

=11,3

0x01 graphic

2. Obserwacja odpowiedzi jednostkowych wzmacniaczy tranzystorowych

  1. z tranzystorem „wolnym” BD395

0x01 graphic

  1. z tranzystorem „szybkim” BC107

0x01 graphic

Wnioski:

Charakterystyki przenoszenia wzmacniacza badaliśmy dla zakresu częstotliwości od 500 Hz do 200 kHz. Dla mniejszych częstotliwości nie udało się nam odczytać wartości napięć Uwe oraz Uwy, dlatego na wykresach odcinek ten narysowaliśmy linią przerywaną (przypuszczamy, że właśnie taki ma kształt) . Po wykreśleniu charakterystyk zaznaczając można było odczytać fg dla każdego ze wzmacniaczy. Jest to nieco dziwne, ale dla obydwu rodzajów tranzystorów - „szybkiego” i „wolnego” częstotliwość górna wynosi około 100 kHz.

Następnie na oscyloskopie zaobserwowaliśmy odpowiedź jednostkową każdego ze wzmacniaczy. Określając na ich podstawie czasy narastania, tutaj również okazuje się, że są one bardzo zbliżone i wynoszą τn ≈ 5μs . Odpowiedź jednostkową obserwowaliśmy przy f = 1 kHz , więc pomyśleliśmy, że może mieć to wpływ na taki nieoczekiwany wynik. Jednak okazało się że dla większych częstotliwości ( f = 50 kHz ) nie ulega on zmianie. Znając fg oraz τn mogliśmy wyznaczyć iloczyn τn*fg co było głównym celem ćwiczenia. Wynosi on τn*fg = 5 10 -6 * 100 10 3 = 0,5

Analizując pomiary stwierdzamy, że oba wzmacniacze mają identyczne τn*fg , a jednak różnica, którą można było między nimi zaobserwować polegała na tym, iż tranzystor „wolny” (BD395) zniekształcał przebieg prostokątny podany na wejście układu, a „szybki” zmian takich nie wprowadzał.

Analiza iloczynu τn*fg

Podczas badania częstotliwościowego wzmacniaczy i podczas opisu matematycznego rozdzielało się zakres dużych, średnich i małych częstotliwości i dla każdego z tych obszarów tworzyło się odrębny schemat zastępczy co ułatwiało analizę i projektowanie, Takie same schematy zastępcze stosuje się do opisu impulsowego. Zakresowi dużych częstotliwości, a więc szybkich zmian będzie odpowiadał fragment szybkiej zmiany podczas narastania lub opadania impulsu.

Zakresowi małych częstotliwości , przy powolnych zmianach będzie odpowiadał fragment impulsu, gdzie nie następują żadne zmiany przebiegu lub zmiany są bardzo powolne.

W praktyce wystarcza, żeby impuls miał dostatecznie narastanie i opadanie w porównaniu z szybkością reakcji wzmacniacza, np. czas narastania impulsu może być 10 razy mniejszy od czasu własnego narastania wzmacniacza. Impuls taki po przejściu przez wzmacniacz jest zniekształcony, pogarsza się czas narastania i opadania oraz pojawiają się zniekształcenia grzbietu w postaci oscylacji i zwisu. We wzmacniaczach ze sprzężeniem bezpośrednim, tj tam gdzie nie ma kondensatorów sprzęgających stopnie ani tez kondensatorów blokujących rezystory w obwodzie zasilania zmniejsza się tylko szybkość narastania i opadania zboczy. W układach z tymi kondensatorami pojawiają się zwis impulsu, w układach z indukcyjnościami mogą występować jeszcze oscylacje następujące po szybkich fazach impulsu.

Czas narastania τn definiuje się jako okres w czasie którego napięcie U2 ( lub prąd ) zmieni się od poziomu 0,1 E2 do poziomu 0,9 E2 a czas opadania τo jest to okres w którym napięcie zmieni się od 0,9 E2 do 0,1 E2 .

Obliczając czas narastania i opadania otrzymuje się :

τn = τo = 2,2τ =2,2/2πfg = 0,35/fg

Dla naszych wzmacniaczy reguła ta jest prawdziwa

τn = 0,35/fg to τn*fg = 0,35

a my otrzymaliśmy τn*fg = 0,5 więc różnica jest niewielka.

1



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Zwiazki korelacyjne parametrow zageszczenia wyznaczonych VSS i LFG
SOCJOLGOIA wykł 8 cz 2! 01 2011 WIĘZI SPOŁĘCZNE to wspólności i związki między ludźmi
Zadania ze statystyki cz5 związki między zmiennymi
Związki miedzy kultura a osobowoscia (1)
Edmund Wnuk Lipiński - Kultura polityczna, ZALEŻNOŚCI MIĘDZY PARAMETRAMI
Jakie są związki między występowaniem łuszczycy a uprawianiem sportu
Związki między dysmorfofobią i zaburzeniami odżywiania się
Krytyczne parametry wzmacniacza Nieznany
Ściągi mikro, Ściąga wykład 9, Teoria produkcji- zajmuje się rzeczową stroną procesów wytwórczych, a
Uwagi dotyczące projektów legalizacji prawnej związków między osobami homoseksualnymi, INNE - RÓŻNOŚ
porównanie parametrów wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów
turowski 2, Socjologia humanistyczna- zajmuje się związkami między jednostką, społeczeństwem i kultu
związki międzygminne
03.zależności między parametrami, STATYSTYKA
Elektronika - Podstawowe parametry wzmacniacza operacyjnego, Politechnika Opolska, sprawozdania, zac
LTP  Pomiar parametrów wzmacniaczy operacyjnych
śródka, wytrzymałość materiałów,Związki między naprężeniami a odkształceniami w stanie sprężystymx

więcej podobnych podstron