AGH , Wydz. EAIiE ZAKŁAD ELEKTRONIKI
|
Imię , nazwisko : JAROSŁAW GANDZEL GRZEGORZ GRZESIAK RADOSŁAW IWAN
|
||
LABORATORIUM ELEKTRONIKI
|
Semestr : letni .
|
||
Rok akademicki : 1998 / 99
|
Rok studiów : II |
Grupa : II |
|
Kierunek : ELEKTROTECHNIKA
|
Zespół : 2 .
|
||
Temat ćwiczenia : Wzmacniacz RC . |
Nr ćwiczenia :
|
||
Data wykonania ćwiczenia : 08.03.1999
|
Data zaliczenia sprawozdania : |
Wstęp teoretyczny :
Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Ćwiczenie polega na dokonaniu pomiaru częstotliwości granicznych oraz wzmocnienia w zakresie średnich częstotliwości jednotranzystorowego wzmacniacza RC z typowym układem zasilania i stabilizacji punktu pracy tranzystora. Celem ćwiczenia jest zilustrowanie jakościowych i ilościowych związków między podstawowymi roboczymi wzmacniacza a parametrami elementów układu.
Schemat jednostopniowego tranzystorowego wzmacniacza pasmowego badanego w ćwiczeniu przedstawia Rys.1.
Rys.1. Schemat badanego układu wzmacniacza
Rezystancja Rg reprezentuje oporność wewnętrzną źródła sygnału wejściowego, Ro - rezystancję obciążenia układu, elementy R1 i R2 stanowią układ polaryzacji bazy tranzystora, Rc jest rezystorem kolektorowym (wpływającym na wzmocnienie układu), Re - emiterowym (ustalającym wartość stałoprądową prądu emitera, a zatem i kolektora). Pojemności C1 i C2 sprzęgają badany układ z układem sygnału sterującego (poprzedni stopień) oraz obciążeniem, separując te układy stałoprądowo. Kondensator Ce zwiera składową zmienną prądu emitera (wpływa na przebieg charakterystyk częstotliwościowych w zakresie małych częstotliwości).
Podstawową funkcją wzmacniacza jest wzmocnienie sygnału bez zmiany jego kształtu. We wzmacniaczach rzeczywistych powstają dwojakiego rodzaju zniekształcenia sygnału:
1.Zniekształcenia nieliniowe, wywołane np. przez nieliniowość charakterystyk statycznych niektórych elementów wzmacniaczy, szumy i zakłócenia.
2.Zniekształcenia liniowe, wywołane niejednakowym przenoszeniem przez wzmacniacz sygnałów o różnych częstotliwościach.
Wzmocnienie to odbywa się kosztem energii doprowadzonej z pomocniczego źródła napięcia stałego. Wzmacniacz charakteryzują następujące parametry robocze:
- impedancja wejściowa Zwe=
;
- impedancja wyjściowa Zwy=
;
- wzmocnienie napięciowe ku=
;
- skuteczne wzmocnienie napięciowe kus=
;
Właściwości wzmacniacza opisują jego charakterystyki częstotliwościowe:
- amplitudowa (zależność modułu wzmocnienia od częstotliwości)
- fazowa (określa przesunięcie fazowe między sygnałem wejściowym i wyjściowym)
- amplitudowo-fazowa
Do ważnych wielkości charakteryzujących wzmacniacz należą również stałość parametrów. Stałość określa wpływ zmian np. napięcia zasilania, temperatury, wilgotności itd. na parametry wzmacniacza (wzmocnienie, moc oddawaną, zniekształcenia itp.). Przez stabilność wzmacniacza rozumie się niemożliwość samowzbudzenia.
Opracowanie wyników :
1.Pomiar wzmocnienia i rezystancji wejściowej wzmacniacza :
Schemat połączeń do pomiaru wzmocnienia
Tabela wyników:
C2 Rc |
UWE |
UWY1 |
UWY2 |
f |
kus |
ku |
RWE |
|
[mV] |
[V] |
[V] |
[kHz] |
|
|
[kΩ] |
680nF 12kΩ |
22 |
3 |
6 |
1 |
140 |
270 |
10,8 |
68nF 470Ω |
30 |
0,3 |
0,5 |
1 |
10 |
17 |
14,3 |
47nF 2,7kΩ |
6 |
0,3 |
0,5 |
1 |
50 |
83 |
15,1 |
Napięcia uzyskaliśmy odczytując amplitudę z ekranu oscyloskopu, następnie mnożyliśmy ją przez ilość woltów na podziałkę, oraz uwzględniliśmy stosunek napięć na kolejnych wyjściach.
kus=
, ku=
,
RWE=
gdzie : Rg=10 [kΩ]
Rezystancje teoretyczną obliczyliśmy z zależności:
Rwe teor. = RB II rb'e
RB = R1 || R2 = 75 k
R1 = 300 k R2 = 100 k
rb'e = 12 k
Wyniosła ona Rwe teor. = 10,4 kΩ .
2.Pomiar pasma przenoszenia wzmacniacza :
Schemat połączeń do pomiaru pasma
C2 Rc |
fd |
fg |
fgTeor |
|
[Hz] |
[kHz] |
[kHz] |
680nF 12kΩ |
18 |
10,4 |
18 |
68nF 470Ω |
31 |
----- |
360 |
47nF 2,7kΩ |
53 |
38,5 |
72 |
Wartość teoretyczną częstotliwości granicznej górnej obliczamy z zależności:
, gdzie:
3.Przesterowanie wzmacniacza :
Wykresy napięcia na wyjściu przy przesterowaniu wzmacniacza dla poszczególnych konfiguracji:
C2=47 [nF] y=5 V/dz 1,2 dz
Rc=2,7 [kΩ] x=50 μs/dz 1,8 dz
C2=39 [nF] y=0,5 V/dz 2,6 dz
Rc=470 [Ω] x=20 μs/dz 2,6 dz
C2=33 [nF] y=5 V/dz 2,4 dz
Rc=4,7 [kΩ] x=1 s/dz 1 dz
Wnioski :
Największe napięciowe wzmocnienie badanego wzmacniacza uzyskaliśmy w konfiguracji z największą rezystancją Rc=12 [kΩ] i wartością pojemności C2=680 [nF]. Wzmocnienie napięciowe skuteczne wyniosło kus=140 natomiast ku=270. Porównując wartości wzmocnienia przy zmianie wartości elementów Rc i C2 dochodzimy do wniosku, że największy wpływ na wartość wzmocnienia napięciowego ma rezystancja Rc.
Dla każdej z konfiguracji wartości rezystancji wejściowej wzmacniacza różnią się znacznie (największa różnica wynosi ok. 45%). Błąd ten może wynikać z błędnie odczytanych wartości napięć wyjściowych i wejściowego. Maksymalna odchyłka wartości doświadczalnej od wartości teoretycznej wynosi ok. 46%. Błąd ten może wynikać z błędnie przyjętych wartości elementów (Rg) oraz z błędu odczytu z oscyloskopu.
Porównując wyniki pomiaru częstotliwości granicznych otrzymane przy pomocy oscyloskopu z wartościami teoretycznymi stwierdzamy, że odbiegają one od siebie w sposób znaczący (wartości teoretyczne są większe ok. 2 razy).
Przy przesterowaniu na wejście wzmacniacza podajemy napięcie o zwiększonej amplitudzie w wyniku czego wzrasta prąd kolektora, powoduje to obserwowany stan nasycenia tranzystora (część płaska przebiegu napięcia).
1
1