Dopasowanie impedancji


Laminaty mikrofalowe

Typowe rodzaje linii:

- linia paskowa symetryczna, niesymetryczna

- falowód koplanarny

- linie szczelinowe

Podstawą wszystkich struktur planarnych jest podłoże dielektryczne, na które nanosi się metalizację ścieżek: pasków w technice PCB (printer curcuits board) lub na izolacyjnej warstwie półprzewodnika w technologii monolitycznych układów scalonych.

Typowa linia, najczęściej stosowana to NLP.

Schemat linii przedstawiono na poniższym rysunku.

Grubość metalizacji T podaje się w OZ tj uncje na stopę kwadratową:

1/2 OZ - 17,5 μm.

1 OZ - 35 μm.

2 OZ - 70 μm

W katalogach h podaje się w częściach cala:

np. 0,01 0,02 0,31 0,5

[mm] 0,254 0,508 0,78 1,27

Parametry:

εr - przenikalność dielektryczna - podawana jest w stosunku do ε0 próżni i zawiera się w granicach od εr = 2 ÷ 80 , odpowiednio dla teflonu i specjalnych spieków z proszków ceramicznych.

- tangens kąta stratności - określa straty w dielektryku. Typowe wielkości to: 10-3 ÷ 10-4 i zależy od częstotliwości - rośnie wraz z f.

RGH (Roughness surface) nierównomierność położenia metalizacji w procesie technologicznym (elektrolitycznie - Electrodeposite lub walcowanie - rolled).

Warstwa kontaktu metalu metalu z dielektrykiem wpływa na straty.

RHO - rodzaj metalu - typowo miedź , rzadziej , złoto. Parametr ten podaje się jako stosunek konduktywności metalu i przewodności złota ( typowe wartość: RHO = 0,72).

Przykłady standardowych podłóż mikrofalowych

- firmy 3M - Cuclod, Epsilan 10

- Rogers - RT/Duroid

Firma Rogers

5880

6006

6010

dla porównania laminat kiepski

εr

2,20 ± 0,015

6,15 ± 0,15

~ 10

~ 4,35

tg δ [10GHz]

9 ⋅ 10-4

19 ⋅ 10-4

23 ⋅ 10-4

2 ⋅ 10-2 [1GHz]

wsp. temp.

[ppm/K]

dla 0 - 100o C

-129

-350

-390

rezystancja

na cm

2 . 107

2 . 107

5 . 105

rezystancja na cm2

3 . 108

7 . 107

5 . 106

rodzaj

laminatu

PTFE + Glass

(microfiber)

PTFE + proszek ceramiczny Al2O3

PTFE

epoksydowo-

szklany

PTFE - politetrafluoroetylen - formie masy plastycznej

Inna metoda osiągnięcia małych εr to teflon. Czysty teflon ma najlepszą odporność na przebicie elektryczne.

Ceramika

Al2O3

εr = 9,7

tg δ = 3 . 10-4 [10GHz]

Kwarc

SiO2

εr = 3,78

tg δ = 4 . 10-4 [10GHz]

Rutile

TiO2

εr = 85

tg δ = 2 . 10-4 [10GHz]

rezonatory dielektryczne

Półprzewodniki:

Si GaAs

εr = 11,7 εr = 13,4

tg δ = 5 . 10-3 [10GHz] tg δ = 16 . 10-4 [10GHz] - lepsza izolacja niż Si

Na poniższych trzech rysunkach przedstawiony został wpływ częstotliwości na stałą propagacji w niesymetrycznej linii paskowej.

0x01 graphic

0x01 graphic

Parametry laminatu: r=2.45, h=0.762, t=0.035; r=10, h=1.27 t=0.035 [mm]

0x01 graphic

Wl - określa szerokość linii 50Ω

0x01 graphic

Zależność impedancji od wymiarów linii dla dwóch wartości εr

Ograniczenie dopasowania impedancji (Fano - Youla)

Z = R + j X Y = G + j B G,L,C,R ≠ f(f)

Dla danej impedancji Z istnieje wymienność poziomu Γ i szerokości pasma.

Ograniczenia możliwości dopasowania impedancji dla układu A) podał Bode w 45r

A

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

B

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

C

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

D

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

Dopasowanie dwóch impedancji rzeczywistych

Dopasowanie impedancji za pomocą toru schodkowego

Schemat układu przedstawia rys.

0x01 graphic

gdzie: Z0 < Z1 < Z2 < ZN < ZL lub odwrotnie

, ..............

Założenia:

  1. Wszystkie ogniwa mają taką samą długość θ = βl

  2. Rozważany transformator jest układem symetrycznym, tzn.: Γ0 = ΓN , Γ1 = ΓN-1 , Γ2 = ΓN-2 ......

  3. Pomija się wielokrotne odbicia fal powracających po pierwszych odbiciach (tzn. poszczególne współczynniki odbicia są małe)

Wówczas z założeń (1) i (3) otrzymuje się wyrażenie na współczynnik odbicia na wejściu układu:

(1)

a korzystając z założenia (2) otrzymuje się:

(2) (3)

ostatni wyraz w wyrażeniu (3) jest równy:

jeżeli N jest nieparzyste lub jeżeli N jest parzyste

Impedancje Zn dobiera się w ten sposób aby moduł współczynnika na wejściu układu Γ= F(ω) spełniał określone warunki, np. żeby w paśmie pracy charakterystyka była maksymalnie płaska lub równomiernie falista.

Transformator impedancji o charakterystyce maksymalnie płaskiej

Maksymalnie płaską charakterystykę przepuszczania można uzyskać jeżeli pierwszych (N - 1) pochodnych względem częstotliwości (lub θ) wyrażenia na Γ będzie równe zeru przy częstotliwości środkowej pasma f0, przy której

Warunek ten będzie spełniony, jeżeli współczynnik odbicia będzie równy:

(4)

a jego moduł: (5)

Stałą A można wyznaczyć zakładając θ = 0 (fala nieskończenie długa). Wówczas współczynnik odbicia będzie uzależniony tylko od impedancji końcowych:

⇒ ZL > Z0

(6)

Podstawowe własności symbolu Newtona:

Porównując (1) i (6) otrzymuje się:

Jeżeli zrobi się założenie, że wartości Γn są małe oraz Γθ = 0 również jest małe to można skorzystać z rozwinięcia funkcji ln x w szereg

np. dla x = 2

otrzymuje się:

Przykład 1

Dopasować za pomocą transformatora podwójnego impedancję 100Ω do impedancji 50Ω.

Pasmo pracy transformatora

Względną szerokość pasma pracy określamy jako zakres pracy transformatora, w którym moduł współczynnika odbicia nie przekracza zadanej wartości |Γ| ≤ |Γmax| .

(7)

Przykład 2

Obliczyć szerokość pasma dla układu z poprzedniego przykładu, jeżeli maksymalny moduł współczynnika odbicia wynosi 0.05.

Pasmo wynosi 0.5

Transformator impedancji o charakterystyce równomiernie falistej (Czebyszewa)

Nazwa transformatora Czebyszewa pochodzi stąd, że moduł współczynnika odbicia w pasmie przepuszczania takiego transformatora zmienia się w/g wielomianu Czebyszewa

Wielomian Czebyszewa

Wielomian stopnia n-tego zmiennej x

Tn(x) = 2 x Tn-1 (x) - Tn-2(x) (8)

T0 (x) = 1

T1 (x) = x

T2 (x) = 2 x2 - 1

T3 (x) = 4 x3 - 3x

T4 (x) = 8 x4 - 8 x2 + 1

Dla |x| ≤ 1 , wartość wielomianu nie przekracza wartości ± 1 , natomiast gdy x → ∞ wartość wielomianu również dąży do nieskończoności

Jeżeli podstawi się x = cos θ, to okaże się, że Tn(cos θ) = cos (n θ). Wartość wielomianu Tn (cos θ) zmienia się w granicach ±1 gdy θ zmienia się od 0 do π.

Przy projektowaniu transformatora dąży się do utrzymania wielomianu w paśmie przepustowym w granicach 0 - 1 gdy θ zmienia się od θ1 = θmin do wartości θ2 = θmax.

Warunek ten będzie spełniony, gdy wykona się następujące podstawienie:

(9)

(10)

Gdy θ = 0 otrzymuje się (11)

Podstawiając A do wzoru (10) otrzymuje się:

(12)

Moduł współczynnika odbicia w paśmie pracy jest maksymalny dla TN = 1(współczynnik A określa maksymalną wartość odbić).

(13)

dla cos θ = 1, po uwzględnieniu zależności (13) ze wzoru (9) otrzymuje się:

(14)

Z zależności (14) można wyznaczyć szerokość pasma transformatora przy zadanym maksymalnym współczynniku odbicia oraz zadanej wartości N:

(15)

lub N przy zadanym maksymalnym współczynniku odbicia oraz zadanej szerokości pasma:

(16)

Uwaga! Jeżeli cos > 1 należy do obliczeń wprowadzić kąty zespolone czyli cos zamienić na cosh.

Przykład 3

Dopasować impedancję 100Ω do impedancji 50Ω za pomocą podwójnego transformatora Czebyszewa.

Maksymalny moduł współczynnika odbicia w paśmie Γmax = 0.05.

T2(sec θmin cosθ) = 2 (sec θmin cosθ)2 - 1

T2 osiąga max dla T2 = 1

z zależności (13) oraz danych otrzymuje się

sec θmin = 1.96, a θmin = 59.3o

z zależności (10) otrzymuje się:

Γ= 2Γ0cos 2θ + Γ1 = Γmax sec2 θmin cos 2θ + Γmax (sec2 θmin -1)

Γ0 = 0.5 sec2 θmin Γmax = Γ2 = 0.096

Γ1 = Γmax (sec2 θmin -1) = 0.142

Szerokość pasma dla tego układu wynosi 0.675

Uwaga! Należy pamiętać, że jeżeli N jest parzyste to ostatni wyraz w nawiasie kwadratowym jest równy

Przykład 4

Dopasować impedancję z poprzedniego przykładu w tym samym paśmie częstotliwości za pomocą trójsekcyjnego transformatora Czebyszewa.

Ponieważ pasmo jest takie samo jak w poprzednim przykładzie , więc sec θmin = 1.96

T3(sec θmin cosθ) = sec θmin cosθ(4 sec2 θmin cos2θ - 3)

T3(secθmin) = 24.24

ze wzoru (13) obliczamy Γmax = 0.0138

Wielomian Czebyszewa możemy przedstawić :

T3(sec θmin cosθ) = sec3 θmin cos3θ + 3 sec θmin (sec2 θmin - 1)cosθ

z zależności (10) po podstawieniu danych ,otrzymujemy:

2 Γ0 cos3θ + 2 Γ1 cosθ = 0.104 cos 3θ +0.231 cosθ

Γ0 = Γ3 = 0.052 Γ1 = Γ2 = 0.115

Uwaga! Przydatny może być wzór:

Jeżeli n - parzyste ostatni wyraz jest równy

Jeżeli n - nieparzyste

Analiza dokładna transformatora Czebyszewa

Analiza dokładna transformatora polega na analizie np. funkcji tłumienia mocy, która jest zdefiniowana następująco ( wprowadza się ozn. ρ =Γ)

Pi - moc padająca

Funkcja tłumienia mocy (15)

|T|2 = 1 - ρ2 T - współczynnik transmisji

Chcemy, żeby współczynnik stratności mocy zmieniał się w/g zależności:

k2 - współczynnik tolerancji

θm. - kąt przy którym mamy największe założone odbicia

max PLR = 1 + k2

Analiza układu dla dowolnego N jest uciążliwa, dlatego poniżej przedstawiona zostanie analiza transformatora dla N = 2 oraz 3

N = 2

PLR = 1 + k2 [2 (sec θm. cos θ)2 - 1]2

PLR = 1 dla θ = θz

PLR = 1 + k2 [(sec θz. cos θ)2 - 1]2 (17)

Z zależności (16) i (17) po podstawieniu θ = 0 i uwzględnieniu otrzymujemy

oraz (18)

Impedancje Z1 i Z2 obliczamy transformując impedancję obciążenia ZL przez dwa odcinki linii o długości elektrycznej θ i impedancjach kolejno Z2, Z1 oraz wiedząc, że

  1. dla częstotliwości środkowej moduł współczynnika odbicia osiąga maksimum

  2. Γ(θz) = 0

Z drugiego warunku stosunkowo prosto otrzymujemy związek pomiędzy impedancjami Z1 i Z2

(19)

Natomiast z warunku (1) wyznaczamy Z1.

(20)

Podstawiając, do (20) zależność (19) otrzymujemy:

N = 3

PLR = 1 + k2 sec2 θm. cos2 θ[4 (sec θm. cos θ)2 - 3]2

PLR = 0 gdy θ = 0.5 π , czyli dla częstotliwości środkowej oraz jeżeli jest spełniony warunek:

4 (sec θm. cos θ)2 - 3=0 ⇒

Z zależności (15) i (16) po podstawieniu θ = 0 i uwzględnieniu otrzymujemy

oraz

Korzystając z warunków, że dla częstotliwości środkowej oraz θz moduł współczynnika jest równy zero możemy obliczyć impedancje transformatora.

Przykład 5

Wyznaczyć w sposób dokładny parametry obwodów dopasowujących z przykładu 3 i 4 oraz porównać wyniki:

N=2

dokładne przybliżone

Z1 = 60.97Ω Z1 = 60.62Ω

Z2 = 82.01Ω Z2 = 80.52Ω

N = 3

Z1 = 55.73Ω Z1 = 55.49Ω

Z2 = 70.71Ω Z2 = 69.90Ω

Z3 = 89.72Ω Z3 = 88.07Ω

Literatura:

  1. Litwin R., Suski M. - Technika mikrofalowa - WNT W-wa 1972, rozdz. 3

  2. Collin R.E. - Fundations for microwave engineering - McGrow-Hill Book Company ..... 1966, rozdz.5

  3. Katalogi firm 3M, Rogers

Technika mikrofalowa - Dopasowanie impedancji 8

Jolanta Zborowska



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
07 Badanie układów dopasowania impedancji
tbwcz - lab2 - dopasowanie impedancji -, Elektronika i telekomunikacja-studia, rok II, semIII, Tbwcz
2 Dopasowanie impedancji
dopasowanie impedancji sprawko nasze
tbwcz dopasoweanie impedanji
Tbwcz Susek zadanie dopasowanie impedancji wykres
dopasowanie impedancji nasze
Metody dopasowania impedancji
IMPEDANCJE DOPASOWANIE
IMPEDANCJE DOPASOWANIE
Wyklad 6 Testy zgodnosci dopasowania PL
wyklad 6 Testy zgodnosci dopasowania PL
Konspekt - MP- 4; Sprawdzenie szczelnosci i dopasowania maski przeciwgazowej., CHEMIA I MATEMATYKA
Źródło rzeczywiste Dopasowanie odbiornika do źródła
dopasowane rozwiazania id 14037 Nieznany
Differential Impedance, What's the Difference

więcej podobnych podstron