Kostrzewski Arek LTK

W poniższej tabeli przedstawione są wyniki dla rodziny charakterystyk wyjściowych tranzystora 2N 3055 IC=f(UCE) przy IB=const.

Dla I_B=2000 [μA]

UCE [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1
IC [mA]	18	35	77	112	221	285	324	336	341

2	3	5	10	12	15
346	352	361	384	401	415

Dla I_B=3000 [μA]

UCE [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1
IC [mA]	25	47	88	137	155	280	453	455	459

2	3	5	10	12	15
465	471	481	503	518	535

Dla I_B=4000 [μA]

UCE [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1
IC [mA]	40	54	88	94	204	143	484	552	581

2	3	5	10	12	15
590	599	606	649	661	684

W tabelach zawarte są uzyskane wyniki dla rodziny charakterystyk wejściowych tranzystora 2N 3055 IB=f(UBE) przy UCE=const oraz dla rodziny charakterystyk przejściowych tranzystora 2N 3055 IC=f(IB) przy UCE=const.

Dla U_CE= 5 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,45	1,04	2,07	3,01	4,05	5,07	6,01	7,94	9,11	9,84
UBE [V]	0,59	0,64	0,70	0,74	0,78	0,81	0,82	0,84	0,85	0,85
Ic [mA]	106	227	391	512	629	729	814	968	1052	1110

Dla U_CE= 10 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,53	1,01	2,07	2,92	3,97	5,09	6,09	7,99	8,97	10,1
UBE [V]	0,57	0,61	0,66	0,68	0,71	0,73	0,75	0,77	0,77	0,78
Ic [mA]	142	246	423	541	664	781	871	1023	1092	1166

Dla U_CE= 15 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,62	0,98	1,98	3,0	4,11	5,06	6	7,92	8,97	9,97
UBE [V]	0,53	0,56	0,62	0,65	0,67	0,68	0,69	0,71	0,66	0,66
Ic [mA]	185	256	444	584	713	806	892	1039	1103	1163

Wyznaczenie współczynnika wzmocnienia prądowego β dla różnych wartości napięcia UCE.

Korzystając z narysowanych charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego ,odczytałem wartości prądu kolektora I_C dla wartości napięcia U_CE podanych przez prowadzącego. Następnie obliczyłem współczynnik wzmocnienia prądowego tego tranzystora korzystając ze wzoru:

IB=2000μA

UCE	V	0,8	1,6	2,4	3,2	4	4,8	5,6	6,4	7,2	8	8,8	9,6	10,4	11,20
IC	mA	340	345	350	353	358	360	365	370	372	377	380	383	385	393
β	-	170	172,5	175	176,5	179	180	182,5	185	186	188,5	190	191,5	192,5	196,5

IB=3000μA

UCE	V	0,8	1,6	2,4	3,2	4	4,8	5,6	6,4	7,2	8	8,8	9,6	10,4	11,20
IC	mA	455	460	463	468	473	478	483	488	490	495	500	502	510	515
β	-	151,7	153,3	154,3	156	157,7	159,3	161	162,7	163,3	165	166,7	167,3	170	171,7

IB=4000μA

UCE	V	0,8	1,6	2,4	3,2	4	4,8	5,6	6,4	7,2	8	8,8	9,6	10,4	11,20
IC	mA	563	585	593	600	603	608	615	623	627	633	635	643	650	658
β	-	140,8	146,3	148,3	150	150,8	152	153,8	155,8	156,8	158,3	158,8	160,8	162,5	164,5

Wnioski

Uzyskane charakterystyki badanego przez nas tranzystora są zgodne z wykresami teoretycznymi dlatego tez uważam , ze ćwiczenie zostało wykonane przez nas poprawnie. Współczynnik wzmocnienia prądowego β jest zawsze większy od jedności. Uzyskane wyniki są poprawne, co mogę stwierdzić po wyznaczeniu wartości wzmocnienia prądowego β.

Charakterystyka wejściowa.

Kształt przebiegu jest zbliżony do charakterystyki diody przy polaryzacji w kierunku przewodzenia. Jest to spowodowane polaryzacją złącza B-E tranzystora w kierunku przewodzenia. Różnice przebiegu dla różnych U_CE występują pod wpływem zjawiska Early'ego. Przy większym U_CE maleje efektywna grubość bazy i mniej nośników wstrzykiwanych z emitera do bazy rekombinuje w jej objętości co powoduje, ze maleje prąd bazy I_B.

Charakterystyka wyjściowa.

Charakterystyka prądu IC szybko wzrasta w zakresie początkowym. Tranzystor wychodzi ze stanu nasycenia i przy U_CE>U_BE pracuje w obszarze aktywnym. W tym zakresie pracy wystepuje niemal stała wartość prądu kolektora. Jest ona proporcjonalna do wartości prądu bazy (I_c=β₀I_B). Pewne nachylenie charakterystyki jest spowodowane występowaniem zjawiska Early'ego. Wzrost wartości napięcia U_CE zmieniając efektywną grubość bazy zwiększa gradient koncentracji nośników w bazie, zwiększając przy tym składową dyfuzyjną prądu bazy, a następnie zwiększając wartość prądu kolektora.

Charakterystyka przejściowa.

Zgodnie z równaniem I_C= β₀I_B jest liniowa w przybliżeniu. Prawdopodobnie błędne wyniki pomiarów spowodowały to, ze w naszym przypadku jest ona nieco zaokrąglona. Napięcie U_CE wpływa na tę zależność przez zmianę efektywnej grubości bazy.

---