Fotorezystor

Fotorezystor, zwany również LDR (Light Dependent Resistor), jak nazwa wskazuje, ma oporność zmieniającą się w zależności od ilości padającego nań światła. Silniejsze światło wywołuje spadek rezystancji.

Fotorezystor produkowany jest przeważnie z dwóch rożnych materiałów. Siarczek kadmu (CdS) jest wrażliwy w przybliżeniu na to samo widmo światła co ludzkie oko. Czułość selenku kadmu (CdSe) jest przesunięta w stronę podczerwieni. CdS posiada maksymalną czułość przy 515 nm, a CdSe przy 730 nm, ale poprzez zmieszanie tych dwóch materiałów, można otrzymać różne charakterystyki - z maksymalną czułością pomiędzy 515 a 730 nm.

Siarczek kadmu i selenek kadmu w ciemności nie posiadają w ogóle (albo niewiele) wolnych elektronów, przez co wartość rezystancji jest bardzo wysoka. Energia, napływająca w postaci światła, powoduje wyzwolenie elektronów walencyjnych i ich przeniesienie do pasma przewodzenia. Wartość rezystancji będzie wówczas niska.

Wielkość zmian rezystancji zależy, oprócz składu materiałowego, od typu procesu produkcyjnego, powierzchni i odległości miedzy elektrodami, jak również od powierzchni, która jest oświetlana. Fotorezystor ma względnie dużą zależność temperaturową: 0,1 do 2%/K.

Czas odpowiedzi zmienia się od 1 ms do wielu sekund, w zależności od natężenia światła, jak również czasu oświetlenia i czasu pozostawania bez oświetlenia. Typ CdSe jest szybszy niż typ CdS. Oba posiadają pewien "efekt pamięciowy" - po długotrwałym, statycznym oświetleniu wartość rezystancji zostaje przesunięta na pewien czas. Typ CdSe ma silniejszy efekt pamięciowy niż typ CdS.