Monokryształ to materiał będący w całości jednym kryształem; może zawierać w całej swej objętości niewielką ilość defektów tejże struktury a jego zewnętrzna forma nie musi odzwierciedlać struktury krystalicznej. Do hodowli monokryształów wykorzystywana jest metoda Czochralskiego, będąca najstarszą i jedną z najpowszechniej stosowanych metod do produkcji monokryształów metali i ich stopów. Została opracowana w 1918 roku przez wybitnego polskiego uczonego Jana Czochralskiego. Metodą Czochralskiego produkuje się w skali światowej ponad 90% krzemu, zużywanego do wytwarzania układów scalonych. Z uwagi na specyfikę owej metody uzyskiwany krzem zawsze zawiera domieszkę tlenu w położeniu międzywęzłowym, który ulega przemianom w czasie wytwarzania układów scalonych. Wyprodukowane monokryształy krzemu są przetwarzane na płytki szlifowane, polerowane lub płytki stanowiące podłoże na warstwy epitaksjalne.

Cmos-CMOS (ang. Complementary MOS) – technologia wytwarzania układów scalonych, głównie cyfrowych, składających się z tranzystorów MOS o przeciwnym typie przewodnictwa i połączonych w taki sposób, że w ustalonym stanie logicznym przewodzi tylko jeden z nich. Dzięki temu układ statycznie nie pobiera żadnej mocy (pomijając niewielki prąd wyłączenia tranzystora), a prąd ze źródła zasilania płynie tylko w momencie przełączania – gdy przez bardzo krótką chwilę przewodzą jednocześnie oba tranzystory. Tracona w układach CMOS moc wzrasta wraz z częstotliwością przełączania, co wiąże się z przeładowywaniem wszystkich pojemności, szczególnie pojemności obciążających wyjścia. Układy CMOS są relatywnie proste i tanie w produkcji umożliwiając uzyskanie bardzo dużych gęstości upakowania tranzystorów na jednostce powierzchni płytki krzemu. W nowoczesnych układach powierzchnia zajmowana przez jeden tranzystor jest mniejsza od 1 µm². Obwody CMOS zostały wynalezione w 1963 przez Franka Wanlassa z firmy Fairchild Semiconductor. Pierwszy układ scalony wykonany w technologii CMOS powstał w firmie RCA w 1968 pod okiem Alberta Medwina. Oryginalnie układy CMOS stanowiły oszczędną alternatywę do energochłonnych układów TTL. Znikomy pobór mocy układów CMOS przy małych częstotliwościach przełączania stanowił atut zwłaszcza w układach zegarów przemysłowych oraz wszędzie tam, gdzie czas pracy z baterii był istotniejszy niż szybkość działania. Z czasem poprawiono także parametry dynamiczne i po 25 latach układy CMOS zdominowały elektronikę cyfrową.

Zasilacz stabilizowany to urządzenie elektroniczne służące do zasilania napięciem stałym innych obwodów i urządzeń elektrycznych. Charakteryzuje się bardzo dużą stabilnością napięcia wyjściowego. Stałe napięcie wyjściowe nie zależy od wahań napięcia sieci i obciążenia. Głównymi elementami zasilacza stabilizowanego są:

* transformator, * prostownik * kondensator filtrujący, * stabilizator napięcia stałego.

Ponieważ napięcie wyjściowe zmienia się wraz ze zmianami prądu obciążenia, układ stabilizatora "śledzi" napięcie wyjściowe, dokonując takiej zmiany, jaka jest konieczna do utrzymania napięcia wyjściowego na stałym poziomie. Zasilacze z tej grupy gwarantują stabilizację napięcia i dobre filtrowanie zakłóceń pochodzących z sieci elektrycznej.Zastosowanie - urządzenia powszechnego użytku typu: walkman, odtwarzacze kasetowe, odtwarzacze CD, DVD i MP3, gry komputerowe, radioodbiorniki, telefony, kasy fiskalne odbiorniki radiowe i telewizyjne, tzw. efekty gitarowe lub mierniki oraz inny sprzęt domowy i biurowy wymagający zasilania napięciem stałym stabilizowanym.

Moc tracona w układzie przy przełączaniu tego układu przebiegiem prostokątnym o wypełnieniu ½ i częstotliwości 100 Hz w układzie cyfrowym Od czego i w jaki sposób zależy moc tracona w układach wykonanych w technologii CMOS? Uwaga, jade ze skryptu....

moc strat wynikająca z prądu upływu – charakteryzuje pobór mocy w warunkach statycznych i jest proporcjonalna do napięcia zasilania i złożoności układu. b) moc tracona w wyniku przeładowywania pojemności obciążania – jest proporcjonalna do wartości pojemności, częstotliwości przełączania i kwadratu napięcia zasilania. c) moc tracona w wyniku przepływu prądu przez oba tranzystory komplementarne w chwili przełączania – zależy od czasu narastania (opadania) i częstotliwości napięcia U.Liniowo zależna od częstotliwości0

Specyfikacja ukladow scalonych-sa raelizowane z odpowiednich materialow polprzewodnikowych (Si, SiGa,GaAs ) które tworza monokrysztal,sa wytwarzane na monokrystalicznym podlozu polprzewodnikowym (wafer) np. CMOS lub w postaci bardzo cienkich warstw (tft-thin) na podlozu izolacyjnym;nie pozwalaja na realizacje cewek wewnatrz ukladu (integracja monokrystaliczna) a jedynie cewek spiekanych na powierzchni monokrysztalu;nie najepsze właściwości maja wykonane w ukaldach scalonych;dobre właściwości maja kondensatory realizowane w technologii CMOS;w uk. Sc. z duzo wieksza dokladnoscia można zrealizowac parametry bezwymiarowe np. stosunek dwoch rezystancji lub pojemnosci;podstawowym i najbardziej popularnym elementem w u.s sa tranzystory(NMOS); najwieksza grupe us satnowia uklady zrealizowane technologia CMOS;

Sygnał cyfrowy – sygnał, którego dziedzina i zbiór wartości są dyskretne. Jego odpowiednikiem o ciągłej dziedzinie i ciągłym zbiorze wartości jest sygnał analogowy. Znaczenie tego terminu może odnosić się do: * wielkości fizycznej, która z natury jest dyskretna (np. liczba błysków lampy w ciągu godziny)* wielkości pierwotnie ciągłej i analogowej, która została spróbkowana i skwantowana (np. sygnał na wyjściu komparatora napięcia kontrolującego pewien proces w określonych chwilach) * każdej reprezentacji jednego z powyższych, w tym (najczęściej) w postaci ciągu liczb zapisanych w pamięci maszyny cyfrowej (np. plik komputerowy typu WAV). Sygnał dyskretny – model wielkości zmiennej, która jest określona tylko w dyskretnych chwilach czasu. Najczęściej jest to sygnał powstały poprzez próbkowanie sygnału ciągłego.W odróżnieniu od sygnału ciągłego, sygnał dyskretny nie jest funkcją zdefiniowaną dla ciągłego przedziału argumentów, lecz ciągiem liczbowym. Każda wartość ciągu nazywa się próbką (ang. sample).W odróżnieniu od sygnału cyfrowego, poszczególne próbki sygnału dyskretnego analogowego mogą przyjmować dowolne wartości z nieograniczonego lub ograniczonego zbioru.

Półprzewodniki − najczęściej substancje krystaliczne, których konduktywność (przewodnictwo właściwe) może być zmieniana w szerokim zakresie (np. 10-8 do 103 S/cm) poprzez domieszkowanie, ogrzewanie, oświetlenie badź inne czynniki. Przewodnictwo typowego półprzewodnika plasuje się między przewodnictwem metali i dielektryków. Wartość rezystancji półprzewodnika maleje na ogół ze wzrostem temperatury. Półprzewodniki posiadają pasmo wzbronione między pasmem walencyjnym a pasmem przewodzenia w zakresie 0 - 6 eV (np. Ge 0,7 eV, Si 1,1 eV , GaAs 1,4 eV, GaN 3,4 eV, AlN 6,2 eV). Koncentracje nośników ładunku w półprzewodnikach można zmieniać w bardzo szerokich granicach, zmieniając temperaturę półprzewodnika lub natężenie padającego na niego światła lub nawet przez ściskanie czy rozciąganie.W przemyśle elektronicznym najczęściej stosowanymi materiałami półprzewodnikowymi są pierwiastki grupy IV (np. krzem, german) oraz związki pierwiastków grup III i V (np. arsenek galu, azotek galu, antymonek indu) lub II i VI (tellurek kadmu). Materiały półprzewodnikowe są wytwarzane w postaci monokryształu, polikryształu lub proszku. Obecnie otrzymywane są również półprzewodniki organiczne, na ogół wielocykliczne związki aromatyczne np. poli(p-fenyleno-winylen). Półprzewodnik samoistny jest to półprzewodnik, którego materiał jest idealnie czysty, bez żadnych zanieczyszczeń struktury krystalicznej. Koncentracja wolnych elektronów w półprzewodniku samoistnym jest równa koncentracji dziur.Przyjmuje się, że w temperaturze zera bezwzględnego (0 K= -273 stopni Celsjusza) w paśmie przewodnictwa nie ma elektronów, natomiast w temperaturach większych ma miejsce generacja par elektron-dziura; im wyższa temperatura, tym więcej takich par powstaje.Domieszkowe Półprzewodniki samoistne mają mało ładunków swobodnych (co objawia się dużą rezystywnością), dlatego też stosuje się domieszkowanie. Materiały uzyskane przez domieszkowanie nazywają się półprzewodnikami niesamoistnymi lub półprzewodnikami domieszkowanymi.Domieszkowanie polega na wprowadzeniu i aktywowaniu atomów domieszek do struktury kryształu. Domieszki są to atomy pierwiastków, które nie wchodzą w skład półprzewodnika samoistnego. Na przykład domieszka krzemu (Si) w arsenku galu (GaAs). Ponieważ w wiązaniach kowalencyjnych bierze udział ustalona liczba elektronów, zamiana któregoś z atomów struktury na odpowiedni atom domieszki powoduje wystąpienie nadmiaru lub niedoboru elektronów.

Heterozłącze półprzewodnikowe (rys.1) to granica rozdziału pomiędzy dwoma różnymi materiałami półprzewodnikowymi, które tworzą wspólną strukturę krystaliczną. Takie połączenie daje dużo nowych możliwości, gdyż w heterozłączu zmianie ulegają podstawowe parametry półprzewodnika takie jak szerokość przerwy zabronionej, struktura pasm energetycznych, przenikalność elektryczna ε oraz ruchliwość nośników ładunku (elektronów lub dziur)

Termistor to opornik półprzewodnikowy lub metalowy, którego rezystancja (opór) zależy od temperatury. Wykonuje się je z tlenków: manganu, niklu, kobaltu, miedzi, glinu, wanadu i litu. Od rodzaju i proporcji użytych tlenków zależą właściwości termistora. Rodzaje termistorów * NTC – o ujemnym współczynniku temperaturowym (ang. negative temperature coefficient) – wzrost temperatury powoduje zmniejszanie się rezystancji;* PTC – (pozystor) o dodatnim współczynniku temperaturowym (ang. positive temperature coefficient), wzrost temperatury powoduje wzrost rezystancji;* CTR – o skokowej zmianie rezystancji (ang. critical temperature resistor) – wzrost temperatury powyżej określonej powoduje gwałtowną zmianę wzrost/spadek rezystancji. W termistorach polimerowych następuje szybki wzrost rezystancji (bezpieczniki polimerowe), a w ceramicznych, zawierających związki baru, spadek.Podstawowe parametry * R – rezystancja nominalna, znormalizowana podawana jest zazwyczaj w temperaturze 25 °C jako R25 * α – TWR – Temperaturowy współczynnik rezystancji (dla termistorów typu CTR podaje się temperaturę krytyczną) * P – dopuszczalna moc * B – stała materiałowa [wyrażona zwykle w kK – kiloKelwinach * tolerancja, w zależności od rodzaju wykonania termistora

Złacze pn- Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników o różnych typach przewodnictwa: p i n.

W obszarze typu n (negative) nośnikami większościowymi są elektrony (ujemne). Atomy domieszek (donory) pozostają unieruchomione w siatce krystalicznej. Analogicznie w obszarze typu p (positive) nośnikami większościowymi są ładunki elektryczne dodatnie. Atomy domieszek są tu akceptorami. W półprzewodnikach obu typów występują także nośniki mniejszościowe przeciwnego znaku niż większościowe; koncentracja nośników mniejszościowych jest dużo mniejsza niż większościowych. Obszar o mniejszej koncentracji domieszek znajdujący się pomiędzy kontaktem złącza a warstwą zubożoną nazywany jest bazą.

Elementy półprzewodnikowe=Najważniejszymi z używanych obecnie elementów półprzewodnikowych są: diody prostownicze, detekcyjne, stabilizacyjne i pojemnościowe, tranzystory „zwykłe", zwane fachowo bipolarnymi. tranzystory polowe, zwane leż unipolarnymi oraz tyrystory. Osobną grupę, raczej podzespołów niż elementów, tworzy wielka już obecnie rodzina układów scalonych.

Elementy półprzewodnikowe bierne- Termistor jest elementem półprzewodnikowym, którego rezystancja zależy od temperatury.Zmiana wartości rezystancji może nastąpić na skutek wzrostu temperatury otoczenia termistora lub (i) wydzielonego w nim ciepła. Warystory są to rezystory wykonane z półprzewodnika, których rezystancja zależy od napięcia doprowadzonego do ich zacisków. Warystory mają nieliniową charakterystykę napięciowo. Hallorron jest elementem półprzewodnikowym wykorzystującym zjawisko Halla, zwany jest on także generatorem Halla lub czujnikiem Halla. Hallortony stosuje się miedzyinnymi w: podzespołach biernych do pomiaru natężenia pola magnetycznego, układach współpracujących z magnesami trwałymi do pomiaru regulacji i stabilizacji pola magnetycznego , przesunięć mechanicznych, żyratorach, detektorach fazy, analizatorach harmonicznych oraz jako wyłączniki bezkontaktowe.Hallotrony zbudowane sa z mono- i polikryształu półprzewodnikowego lub w postaci cienkiej warstwy naniesionej na mikę lub szkło (krzem, german, arsenek). Gaussotron nosi nazwę magnetorezystora, a jego działanie opiera się na zjawisku gaussa. Materiałami stosowanymi w produkcji gaussotronów są półprzewodniki o dużych ruchliwościach nośników (arsenek galu, tellurek rtęci, arsenek indu, antymonek indu). Gaussotrony sa stosowane przedewszystkim w automatyce przemysłowej i do pomiaru silnych pól magnetycznych. elementy aktywne: półprzewodnikowe (tranzystory, tyrystory, układy scalone itp.), lampy próżniowe (diody, triody, pentody itd.)

Bramki logiczne to podstawowe funktory w układach cyfrowych. Realizują one określone funkcje logiczne jednej, dwu lub wielu zmiennych wejściowych. Sygnał ten jest dwustanowy (poziom L, czyli stan logiczny 0, oraz poziom H, czyli stan logiczny 1). Do opisu działania bramek logicznych stosujemy tzw. tablice prawdy. Zawiera ona wszystkie kombinacje sygnałów wejściowych, oraz przedstawia jaki wówczas będzie panował stan na wyjściu. Realizację funkcji logicznych bramek przedstawia się również językiem algebry Boole'a. Na rysunku pokazane są symbole bramek. A poniżej dla każdej bramki w formie tabeli podane są tablice prawd danych bramek.

Układy sekwencyjneUkłady kombinacyjne nie potrafią przechowywać danych Porzebny jest układ, który potrafi zmienić swoją wartość nie tylko na podstawie funkcji bieżących ale również poprzednich danych wejściowych taki układ musi jakoś zapamiętać swój stan bieżący Układy sekwencyjne (ang. sequential logic circuits) zawierają element magazynowania danych położenie przerzutnika (ang. flip-flop) pełni taką funkcję Układy kombinacyjne są uogólnieniami bramek a sekwencyjne przerzutników Skoro układ sekwencyjny wykorzystuje przeszłe dane wejściowe do wyznaczenia bieżących to musi istnieć mechanizm porządkowania zdarzeń układ asynchroniczny uaktywnia się jeśli tylko zmieniają dane wejściowe układ synchroniczny do porządkowania wykorzystują zegar Zegar to układ, który emituje serię impulsów o dokładnie określonej szerokości i interwale pomiędzy impulsami interwał ten nazywamy cyklem zegarowym i mierzymy w megahercach (MHz –miliony impulsów na sek) Zmiany stanów w sekwencyjnych układach synchronicznych następują jedynie w momencie gdy zegar „tyknie” (ang. tick) Układy sekwencyjne mają przerzutniki przełączane zboczem (ang. edge) sygnału (w większości) ang. edge-triggered przełączane poziomem sygnału (zatrzaski, ang. latch) –niski-wysoki (ang. low-high) ang. level-triggered Do przechowania swoich danych układy sekwencyjne wykorzystują zasadę sprzężenia zwrotnego (ang. feedback) dana wyjściowa zwracana jest jako wejściowa do tego samego układu Przykład: jeśli Q jest 0 to zawsze będzie 0; jeśli jest 1 to zawsze będzie 1

Rejestr buforowy (w skrócie rejestr) jest zespołem przerzutników synchronicznych o wspólnym wejściu taktującym i wspólnym wejściu zerującym, przeznaczony jest do chwilowego przechowania wektora informacji. Wprowadzanie wektora informacji odbywa się równolegle (wszystkie bity składowe jednocześnie). Wszystkie bity wektora informacji są dostępne jednocześnie i mogą być odczytane równolegle.

Rejestr przesuwny (ang. shift register) jest rejestrem zbudowanym z przerzutników połączonych ze sobą w taki sposób, iż w takt impulsów zegarowych przechowywana informacja bitowa przemieszcza się (przesuwa) do kolejnych przerzutników. Rejestry przesuwne mogą być budowane z przerzutników synchronicznych D Flip-Flop (D-Latch nie nadają się do tego celu), RS lub JK. Zasadę działania opiszemy na przykładzie prostego rejestru przesuwnego zbudowanego z przerzutników typu D. Określamy sygnały wejściowe i wyjściowe rejestru.Dane z wejścia S są wprowadzane do rejestru przy dodatnim zboczu sygnału zegarowego CLK (jeśli do konstrukcji rejestru zastosujemy przerzutniki JK, to wpis może następować przy zboczu ujemnym). Jednocześnie dane z wyjść QA do QD zostają przesunięte o jeden bit w prawo. Na zwolnionym wyjściu QA pojawią się dane wprowadzone z wejścia S. Wejście sterujące CLR umożliwia wyzerowanie rejestru.Budowa takiego rejestru jest bardzo prosta - wystarczy połączyć wejścia D przerzutników z wyjściami Q poprzednich przerzutników. Wejście D pierwszego przerzutnika łączymy bezpośrednio z wejściem S. Jeśli teraz wystąpi impuls zegarowy, to pamiętana informacja przemieści się o jeden bit w prawo

Mikroprocesor (ang. microprocessor) — układ scalony realizujący instrukcje programu i przeprowadzający operacje przetwarzania i przesyłania danych. Mikroprocesory systematyzuje się względem szerokości słowa danych przetwarzanego za pomocą jednej instrukcji dowolnego typu: 4-bitowe (obecnie niespotykane), 8-bitowe (pierwsze popularne układy stosowane w mikrokomputerach domowych, obecnie mikrokontrolery), 16-bitowe (wykorzystywane niegdyś w stacjach roboczych i wydajnych komputerach osobistych i domowych, obecnie mikrokontrolery), 32-bitowe (obecnie najpopularniejsze), 64-bitowe (wchodzące na rynek). Szerokość słowa danych nie ma wpływu na szerokość magistrali danych (może być ona węższa lub szersza) czy na szerokość magistrali adresowej. Przodującymi producentami mikroprocesorów są firmy: AMD, Intel, Motorola. Cały sprzęt komputerowy, sieciowy i telekomunikacyjny oraz niezliczone aplikacje branżowe opierają się na mikroprocesorach. Szybkość pracy mikroprocesora mierzy się częstotliwością cyklu zegarowego w MHz oraz wskaźnikiem liczby instrukcji wykonywanych średnio w jednym cyklu zegarowym (IPC — ang. Instructions Per Cycle) — im są one wyższe, tym większa szybkość pracy procesora. W prawie każdym mikroprocesorze możemy wyróżnić następujące bloki budowa * ALU – jednostka arytmetyczno-logiczna (Arithmetic Logic Unit), wykonuje ona operacje logiczne na dostarczonych jej danych, podstawowy zestaw to: dodawanie, podstawowe operacje logiczne (AND, XOR, OR, NOT), oraz przesunięcia bitowe w lewo i w prawo. W bardziej złożonych mikroprocesorach zestaw ten jest znacznie bogatszy. * CU – układ sterowania (Control Unit), zwany też dekoderem rozkazów. Odpowiedzialny jest on za dekodowanie dostarczonych mikroprocesorowi instrukcji i odpowiednie sterowanie pozostałymi jego blokami (na przykład jeśli zdekodowaną instrukcją będzie dodawanie, CU odpowiednio ustawi sygnały sterujące, by ALU wykonała tę właśnie operację) * Rejestry – umieszczone wewnątrz mikroprocesora komórki pamięci o niewielkich rozmiarach (najczęściej 4/8/16/32/64/128 bitów) służące do przechowywania tymczasowych wyników obliczeń (rejestry danych) oraz adresów lokacji w pamięci operacyjnej (rejestry adresowe). Proste mikroprocesory mają tylko jeden rejestr danych zwany akumulatorem. Oprócz rejestrów danych i rejestrów adresowych występuje też pewna liczba rejestrów o specjalnym przeznaczeniu: PC – licznik rozkazów (Program Counter) – zawiera on adres komórki pamięci zawierającej następny rozkaz do wykonania o IR – rejestr instrukcji (Instruction Register) – zawiera on kod aktualnie wykonywanej przez procesor instrukcji. o SP – wskaźnik stosu (Stack Pointer) – zawiera adres wierzchołka stosu Mikroprocesor komunikuje się z otoczeniem za pomocą szyny danych i szyny adresowej. Generalnie każdy bardziej skomplikowany mikroprocesor można zaklasyfikować do jednej z trzech architektur: * CISC (Complex Instruction Set Computers) * RISC (Reduced Instruction Set Computers) * VLIW (Very Long Instruction Word)

Pamięć RAM i ROM
1. Pamięć ROM
W pamięciach nieulotnych typu ROM umieszczone są informacje stałe. ROM jest najbardziej niezawodnym nośnikiem informacji o dużej gęstości zapisu. Zapis informacji dokonuje się w procesie produkcji lub podczas ich programowania. W pamięci ROM zapisuje się ustawienia BIOSu.Pamięci typu ROM przeznaczone są głównie do umieszczania w nich startowej sekwencji instrukcji, kompletnych programów obsługi sterowników i urządzeń mikroprocesorowych, także ustalonych i rzadko zmienianych danych stałych.Ze względu na sposób umieszczania danych pamięci ROM dzieli się na:
1) Pamięć ROM programowana maską (mask ROM) - Jej zawartość ustala się na podstawie wzorca dostarczanego przez użytkownika w trakcie procesu technologicznego. Pamięć ta jest przeznaczona tylko do odczytu, co w wielu wypadkach uniemożliwia jej zastosowanie.
2) Pamięć PROM (Programmable ROM). - Jest dostarczana przez producenta w stanie niezaprogramowanym z możliwością jednokrotnego ustalania dowolnej zawartości bezpośrednio przez użytkownika. Właściwą treść pamięci ustala się jednorazowo przez elektryczne przepalenie odpowiednich połączeń wewnętrznych. Każda pomyłka w czasie programowania eliminuje programowany układ.
3) Pamięć EPROM (Erasable Programmable ROM). - Najpopularniejszy rodzaj pamięci kasowalnej i programowalnej o nieulotnej zawartości informacji. Kasowanie zawartości dokonuje się przez intensywne naświetlenie promieniem ultrafioletowym. Nie jest możliwe kasowanie pojedynczych bajtów pamięci, natomiast proces przeprogramowania zawartości pamięci może być powtarzany wielokrotnie. Przewidywany czas trwałości danych umieszczanych w pamięci EPROM wynosi co najmniej 10 lat.
4) Pamięci EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM). - Każdy bajt można kasować elektrycznie i zapisać nową zawartością bezpośrednio w urządzeniu, w którym normalnie funkcjonuje pamięć, a do zaprogramowania dowolnego bajtu wystarcza jeden cykl zapisu. Wykorzystanie tej możliwości sprawia, że pamięć ta jest idealnym rozwiązaniem przy uruchamianiu nowego oprogramowania, bądź modyfikacji zawartości istniejącej pamięci. Przyjmuje się, że pamięć EEPROM powinna wytrzymać 100 tys. przeprogramowań.Do PC pamięci EEPROM trafiły natychmiast, gdy tylko ich cena zaczęła na to pozwalać – możliwość przedłużenia "moralnego życia" płyty głównej przez wymianę BIOS-u była bardzo atrakcyjna dla producentów komputerów. Tym bardziej, że dostępność takich pamięci zbiegła się w czasie z początkiem dywersyfikacji standardu PC - stosowane w nich procesory przestały być wiernymi kopiami Intelowskich.
5) Pamięć Flash EEPROM. W tym typie pamięci zwykle nie można kasować
6) ani programować pojedynczych bajtów. Możliwe jest kasowanie i programowanie blokami pamięci lub w całości. Pamięci Flash wytrzymują od 100 do 10 tys. cykli kasowania i programowania. Pamięci ROM są stosowane w praktyce do zapamiętywania podstawowych funkcji konfiguracyjnych oraz obsługi systemu operacyjnego komputera. Na ogół służą do zapamiętania informacji o rodzajach portów, stosowanej pamięci RAM, dyskach itp. 2. Pamięć RAM (Random Access Memory)
Podstawowy rodzaj pamięci o dostępie swobodnym, nieodzowny w każdym komputerze, przechowujący całość lub część bieżąco wykonywanego programu. Pamięć operacyjna pozostaje w stałym kontakcie z procesorem, dla którego logicznie przedstawia uporządkowany ciąg komórek zaadresowanych od 0 do 2n, przy czym n oznacza liczbę bitów rejestru adresowego procesora. Pamięć operacyjna może być zrealizowana jako pamięć stała lub pamięć zapisywalna.Rozmiar (pojemność) pamięci operacyjnej, oprócz szybkości procesora, charakteryzuje możliwości komputera. Współczesne komputery PC z reguły dysponują dziesiątkami megabajtów pamięci operacyjnej. Takich ilości pamięci wymagają programy stosujące interfejsy graficzne.
2.1. Podział pamięci RAM ze względu na budowę.
SRAM - (Static RAM), pamięć statyczna. Cechuje ją bardzo krótki czas dostępu do poszczególnej komórki i nieulotność. Niestety, pamięci SRAM są drogie, dlatego też wykorzystuje się je głównie jako pamięci cache.
DRAM - (Dynamic RAM) pamięć dynamiczna. Pamięć ta jest wolniejsza niż pamięć SRAM a w dodatku jest ona ulotna. Aby pamięć ta nie utraciła danych trzeba ją odświeżać z częstotliwością co najmniej kilkaset Hz. Odświeżanie polega na zwykłym odczycie zawartości komórki.
SDRAM - (Synchronous Dynamic RAM) pamięć dynamiczna, synchroniczna. Pamięć ta jest podobna do pamięci DRAM, z tym że dostęp do komórek pamięci jest zsynchronizowany z zewnętrznym zegarem taktującym procesor.
2.2. Podział ze względu na dostęp
FPM RAM - (Fast Page Mode RAM), pamięć ta zorganizowana jest w strony, przy czym najszybciej realizowany jest dostęp do kolejnych komórek w obrębie strony. EDO RAM - (Extended Data Output RAM), jest to pamięć w przypadku której w czasie odczytu danej komórki, może zostać pobrany adres następnej.
BEDO RAM - (Burst EDO RAM), w przypadku tej pamięci zamiast jednego adresu pobierane są cztery, przy czym na magistralę wystawiany jest tylko pierwszy co znacznie zwiększa szybkość dostępu.
2.3. Moduły pamięci.
Pamięć fizycznie występuje w postaci kości (układów scalonych), które mogą być całkowicie od siebie różne. Dlatego też powstały standardy konstrukcyjne, wymuszające łączenie kości w funkcjonalne moduły, które są zwyczajnymi płytkami drukowanymi z wlutowanymi chipami pamięci. Wraz z rozwojem komputerów i poszerzaniem szyny adresowej powstały różne typy modułów. SIMM - (Single Inline Memory Module), moduł 32-stykowy, w którym szerokość szyny adresowej wynosi 8 bitów. Moduły te obecnie wykorzystywane są jedynie w niektórych kartach rozszerzających,gdyż płyty główne już dawno przestały je obsługiwać. PS/2 - moduł 72-stykowy z 32-bitową szyną adresową. Jego nazwa powstała od rodziny komputerów PS/2, w których pierwotnie zainstalowano te moduły.DIMM - (Dual Inline Memory Module) moduł 128-stykowy w którym szyna adresowa ma 64 bity. Jest to najnowszy standard konstrukcyjny wykorzystywanych w płytach z procesorem Pentium. 2.4. Układ DMA. Układ DMA (Direct Memory Access) służy do bezpośredniej komunikacji z pamięcią bez użycia procesora. Najczęściej wymiana danych przebiega na linii pamięć - urządzenia zewnętrzne, lecz możliwa jest też wymana pamięć – pamięć.

Klasyfikacja analogowych układów elektronicznych-wzmacniacze,filtry wzm. Selektywne generatory zasilacze ukł. Przetwarzania danych,przyrządy przenoszenia ładunku,układy funkcyjne, modulatory, dekodery.