1.12.2010

ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

LABORATORIUM

ĆW. NR 4

POLOWY TRANZYSTOR ZŁĄCZOWY JFET

Wykonali:

Piotr Iwanowski

Tomasz Bronk

Dawid Budnarowski

1. Wykreślenie na jednym wykresie zmierzonych charakterystyk wyjściowych i_D(u_DS) tranzystora z zaznaczoną granicą między zakresem nasycenia i nienasycenia.

Na podstawie otrzymanych charakterystyk wyznaczamy wartość napięcia U_E .

1. Wykreślone na jednym wykresie zmierzone charakterystyki przejściowe i_D(u_GS) tranzystora.

2. Wyznaczone wartości parametrów małosygnałowych tranzystora (transkonduktancji g_m oraz konduktancji wyjściowej g_ds ) dla dwóch punktów pracy (jednym leżącym w zakresie nasycenia, oraz drugim w zakresie nienasycenia).

- transkonduktancja

- konduktancję wyjściową

Zakres nasycenia

g_m=

g_ds=

Zakres nienasycenia

g_m=

g_ds=

1. W celu wyznaczenia wartości parametrów małosygnałowych (transkonduktancji i konduktancji wyjściowej ) tranzystora na podstawie charakterystyk statycznych skorzystano ze wzorów opisujących te charakterystyki dla poszczególnych zakresów pracy z zakresu przewodzenia.

Odpowiednio dla zakresu nienasycenia:

Aby obliczyć transkonduktancję liczymy pochodną względem u_GS:

Aby obliczyć konduktancję wyjściową liczymy pochodną względem u_DS:

1. Wyznaczanie wartości przyrostowej rezystancji wejściowej tranzystora na podstawie pomiarów prądu bramki przy dwóch dodatnich napięciach u_GS.

dla dodatnich napięć u_GS:

- dla ujemnych napięć u_GS:

1. Wyznaczanie wartości rezystancji r_ds dla różnych napieć u_GS korzystając z pomiarów charakterystyk wyjściowych i_D(u_DS), uzyskanych dla małych wartości napięcia u_DS.